對于新手來說，這已經(jīng)成為最大的問題之一：哪種類型的內(nèi)存在DDR4和DDR5的戰(zhàn)斗中勝出?當(dāng)最新的游戲CPU出現(xiàn)DDR4或DDR5內(nèi)存選項(xiàng)時，這一點(diǎn)變得尤為重要。DDR5的到來為更高的性能水平打開了大門，但早期的生產(chǎn)陣痛導(dǎo)致了短缺和黃牛級別的定價(jià)。也就是說，DDR5的價(jià)格終于降到了一個類似于正常數(shù)量的水平，你需要決定是否值得升級到最好的RAM套件之一。但是，當(dāng)然，您還必須確定是否有足夠大的性能增益來證明升級是合理的。

DDR5帶來了許多承諾，但它最重要的賣點(diǎn)之一是它可以為擁有大量內(nèi)核的處理器提供更高水平的帶寬。內(nèi)存帶寬變得越來越重要，因?yàn)榻裉斓默F(xiàn)代芯片可以達(dá)到主流PC的16核，但與有足夠時間成熟的硬件相比，新硬件可能會遇到困難，這是常識。例如，第一代DDR4無法與當(dāng)時最好的DDR3競爭，許多人想知道歷史是否會在DDR5上重演。

我們還看到了具有非二進(jìn)制容量的新內(nèi)存套件的出現(xiàn)，如48GB和96GB套件，它們在定價(jià)和容量方面具有更大的靈活性。

我們將查看下面的細(xì)節(jié)，看看規(guī)格表中DDR4和DDR5之間的差異，然后深入測試，看看每種類型的內(nèi)存在哪里最有效。

DDR5與DDR4規(guī)格

DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)向我們承諾了一個更密集的內(nèi)存棒的未來，這最終等同于系統(tǒng)中更大的內(nèi)存容量。DDR4止步于16G內(nèi)存芯片，但DDR5可以使用64G內(nèi)存芯片。后者還支持芯片堆疊，芯片上最多有8個芯片，這意味著DDR5每個模塊最高可以達(dá)到2TB。這將適用于帶有 LRDIMM的服務(wù)器。在主流市場上，DDR5可能會止步于128GB。不過，由于最初的DDR5內(nèi)存模塊使用的是16GB的內(nèi)存芯片，因此我們在近期內(nèi)將看到最大32GB的存儲容量。

如果我們看一下JEDEC(聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會)規(guī)范，DDR4數(shù)據(jù)速率從DDR4-1600到DDR4-3200。因此，很容易將DDR5視為DDR4的延續(xù)，因?yàn)镈DR5從DDR5-3200開始，一直延伸到DDR5-6400。

然而，回顧DDR4時代的開始，DDR4-1600內(nèi)存從未成為主流。相反，DDR4-2133作為DDR4的基線。DDR5遵循類似的模式。雖然JEDEC指定的數(shù)據(jù)速率低至DDR5-3200，但許多主流DDR5產(chǎn)品的起點(diǎn)是DDR5-4800。

與上一次從DDR3到DDR4的過渡不同，DDR5沒有比它的前身擁有更多的引腳。相反，DDR5保留了288引腳的安排，但引腳不同。因此，缺口的位置已經(jīng)改變，將有助于防止經(jīng)驗(yàn)不足的用戶試圖將DDR5內(nèi)存模塊插入DDR4插槽，反之亦然。不過，這只是一個很小的變化。真正改變游戲規(guī)則的是在內(nèi)存外部看不到的架構(gòu)層面。

DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。JEDEC還將突發(fā)長度從8個字節(jié)(BL8)增加到16個字節(jié)(BL16)。如前所述，這些升級可以提高效率并減少數(shù)據(jù)訪問延遲。在雙dimm設(shè)置中，這種轉(zhuǎn)換實(shí)際上將DDR5轉(zhuǎn)換為4 x 32位配置，而不是DDR4上傳統(tǒng)的2 x 64位配置。

為了繼續(xù)推動更好的功率效率，DDR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V。但是，您將在1.1V找到的唯一內(nèi)存套件符合JEDEC的時序。例如，DDR4的標(biāo)準(zhǔn)工作電壓為1.2V，但超頻內(nèi)存套件或時序更緊的高階內(nèi)存套件對電壓的要求更高。就像我們看到DDR4在1.6V下擴(kuò)展到DDR4-5000一樣，DDR5也可能會爬上電壓階梯。這不是一場競賽，但1.35V是DDR5迄今為止最高的電壓(DDR5-6800)。

英特爾的極限內(nèi)存配置文件(XMP)擴(kuò)展與DDR4一起發(fā)展，所以現(xiàn)在我們有了XMP的第三次迭代。那么，XMP 3.0有什么變化呢?現(xiàn)在有多達(dá)五個XMP配置文件，用戶可以修改和保存兩個自定義XMP配置文件直接到SPD。

DDR5也標(biāo)志著電壓調(diào)節(jié)的根本變化。主板不再負(fù)責(zé)電壓調(diào)節(jié)，因?yàn)閮?nèi)存模塊有電源管理IC (PMIC)。(服務(wù)器級內(nèi)存12V，主流內(nèi)存5V)

PMIC 從主板獲取 5V 輸入并將其轉(zhuǎn)換為電壓軌的可用電壓，包括 VDD (1.1V)、VDDQ (1.1) 和 VPP （1.8V）。PMIC 有助于改善電壓調(diào)節(jié)和信號完整性并降低噪聲。然而，變化是一把雙刃劍。DDR5 內(nèi)存模塊上的穩(wěn)壓器有助于降低主板成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜性，但最終會將成本轉(zhuǎn)移到內(nèi)存模塊上。這也使得DDR5依賴于PMIC芯片的供應(yīng)，而持續(xù)的PMIC短缺是DDR5供不應(yīng)求的主要原因。

除了更高的帶寬和改進(jìn)的功耗外，DDR5 還將提供更高的每個內(nèi)存模塊容量。內(nèi)存密度和銀行齊頭并進(jìn)。當(dāng)您增加密度時，您還必須增加銀行的數(shù)量以容納額外的容量。DDR5 采用 32 組結(jié)構(gòu)，分為八組。相比之下，DDR4 的 16 組系統(tǒng)有四個組。每組仍然有四家銀行——這一點(diǎn)沒有改變。從 16 個庫增加到 32 個庫可以連續(xù)打開更多頁面。DDR5 還具有 Same Bank Refresh 功能 (SBRF)，允許它每組刷新一個 bank，而不是所有 bank。?

片上 ECC (ODECC) 是 DDR5 規(guī)范的另一個關(guān)鍵特性，但不應(yīng)將其與標(biāo)準(zhǔn) ECC 混淆。制造商轉(zhuǎn)向更小的節(jié)點(diǎn)以增加內(nèi)存芯片的密度，而片上 ECC 的工作是糾正這些芯片內(nèi)部的潛在錯誤以提高可靠性。不幸的是，這種保護(hù)僅限于芯片內(nèi)部的內(nèi)存陣列——一旦數(shù)據(jù)移出 DIMM，數(shù)據(jù)就會獨(dú)立存在。片上 ECC 不為傳輸中的數(shù)據(jù)提供任何保護(hù)，這就是為什么片上 ECC 不是正確的 ECC 實(shí)現(xiàn)。

人們可以質(zhì)疑片上 ECC 的效用，因?yàn)楫?dāng)數(shù)據(jù)通過內(nèi)存總線傳輸時，錯誤會更加突出。此外，片上 ECC 需要額外的容量來存儲奇偶校驗(yàn)，這代表了 DDR5 的另一個額外成本（除了 PMIC 之外）。片上 ECC 不是標(biāo)準(zhǔn) ECC 的替代品，但客戶將在服務(wù)器或企業(yè)環(huán)境中同時使用兩者。

編輯：黃飛

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