本文則以 SDR SDRAM 為例,描述 DRAM Device 與 Host 端的接口,以及其內(nèi)部的其他模塊,包括 Control Logic、IO、Row & Column Decoder 等。
2020-09-22 15:34:594192 在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221688 方便買(mǎi)到的SDRAM最大容量是128Mb/片,最大工作速度是133MHz。問(wèn)題6:用得比較少但速度很快,通常用于服務(wù)器cache的SRAM有什么特點(diǎn)呢?答:1)SRAM是靜態(tài)的,DRAM或SDRAM
2012-08-15 17:11:45
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信,RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
RAM有哪些分類(lèi)?特點(diǎn)是什么?DRAM和SRAM對(duì)比分析哪個(gè)好?
2022-01-20 07:16:10
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
DRAM 連接32位SDRAM時(shí),最大支持64Mx32bit?
2023-05-26 07:27:07
。盡管本文絕不是對(duì)所有內(nèi)存技術(shù)的全面討論,但在討論所提出的內(nèi)存技術(shù)時(shí),DRAM,SRAM和FLASH可以為我們提供有用的比較點(diǎn)。DRAM盡管有各種各樣的可用RAM類(lèi)型(具有不同的速度),但它們幾乎總是
2020-09-25 08:01:20
結(jié)構(gòu)體一、SDRAM 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(也是一個(gè)芯片)問(wèn)題:它出什么地方來(lái)的呢?為什么會(huì)用到它?它怎么工作的?stm32控制芯片內(nèi)部有一定大小的SRAM和FLASH作為內(nèi)存和程序儲(chǔ)存空間,但是有時(shí)候后可能程序比較大,內(nèi)存就不夠用了,就要在stm32芯片的外部擴(kuò)展儲(chǔ)存器了,其實(shí)跟電腦擴(kuò)展內(nèi)存加內(nèi)存
2022-01-20 08:22:13
第一次畫(huà)帶SDRAM的板子,按照sram的方式地址移位了,也就是fmc的A1接SDRAM的A0了,還有救嗎?
2018-10-24 08:10:43
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?
2021-12-24 07:04:20
外頻同步,取消等待時(shí)間,所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。ARM里的ram和SDRAM有什么區(qū)別ram包括SRAM和DRAM,前者是靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,主要是依靠觸發(fā)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù),無(wú)需刷新,而后者是動(dòng)態(tài)
2022-10-25 15:08:10
存儲(chǔ)器SDRAM。另外,XMC接口還可以用于驅(qū)動(dòng)LCD屏。SRAM/NOR/PSRAM界面:如下圖1,XMC接口分為4個(gè)界面,每個(gè)界面對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)不同的存儲(chǔ)器類(lèi)型,對(duì)應(yīng)使用的引腳部分相同,部分不同。本帖
2022-03-14 20:31:33
一、DDR內(nèi)存SRAM:內(nèi)部隨機(jī)存儲(chǔ)器,速度高,可以與CPU同頻,通常作為內(nèi)部RAM或者是Cache使用。但是內(nèi)存小,成本高。SDRAM:同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,第四代的SDRAM發(fā)展了好幾代到了
2022-02-07 06:15:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
RAM簡(jiǎn)介:隨機(jī)存儲(chǔ)器,可以隨時(shí)進(jìn)行讀寫(xiě)操作,速度很快,掉電以后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,可以直接和CPU通信舉例:內(nèi)存條、SRAM、 SDRAM、 DDR 等保存數(shù)據(jù): 程序數(shù)據(jù)、中間結(jié)果ROM、EPROM
2021-12-10 08:20:53
1、RAM(random access memory):(都屬于易失性存儲(chǔ)器)SRAM:靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,6個(gè)晶體管存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù),功耗大,面積大DRAM:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,一個(gè)晶體管和一個(gè)電容存儲(chǔ)一位數(shù)
2021-12-17 06:35:02
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
2021-02-05 06:11:16
說(shuō)DRAM相比SRAM要便宜很多,計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。 DRAM分為很多種,常見(jiàn)的主要FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等
2015-11-04 10:09:56
僅有8KB,在實(shí)際上的應(yīng)用中,如果遇到數(shù)據(jù)需要擴(kuò)容的情況下,由于MCU本身的管腳數(shù)量有限,一個(gè)并行接口的SRAM或SDRAM卻需要3~40個(gè)封裝管腳,STM32F1并不具備外擴(kuò)SRAM的能力。當(dāng)然如果
2016-12-21 11:35:39
Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號(hào)線是漏極開(kāi)路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM
2008-12-04 10:16:36
一般來(lái)說(shuō)DRAM芯片的工作原理,比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新,這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
在以往的STM32F103上,只能使用SRAM而不支持SDRAM的擴(kuò)展。這里有必要說(shuō)明一下。SRAM是Static Random Access Memory的縮寫(xiě),中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器,它是
2017-05-27 22:25:15
: SRAM處于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器金字塔的最頂端,在速度上,SRAM》DRAM》NAND。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的操作條件比較簡(jiǎn)單,就是簡(jiǎn)單的MOS管打開(kāi),相互fighting或者傳輸值的過(guò)程,用core電壓就可以實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 16:42:13
在復(fù)制代碼到SDRAM以后,CPU內(nèi)部的SRAM也有和SDRAM一模一樣的代碼了,為什么執(zhí)行l(wèi)dr pc,=on_sdram就跳到SDRAM,他怎么知道跳哪里呢?CPU內(nèi)部不也有on_sdram這段代碼嗎?
2019-08-01 23:13:53
1. 嵌入式的內(nèi)存內(nèi)存的發(fā)展從DRAM到廣泛使用的SDRAM,到之后一代的DDR(或稱DDR1),然后是DDR2和DDR3進(jìn)入大眾市場(chǎng),2015年開(kāi)始DDR4進(jìn)入消費(fèi)市場(chǎng)。單片機(jī)領(lǐng)域中,使用較多
2021-12-17 07:44:44
隨之消失,故具有易失性。 RAM又可分為靜態(tài)RAM(SRAM:StaticRandom Memroy)和動(dòng)態(tài)RAM(DRAM:Dynamic Random Access Memory)。 SRAM 中
2016-06-10 08:04:24
, PSRAM - Pseudo SRAM是一種具有SRAM接口協(xié)議(無(wú)需刷新,無(wú)需DRAM控制器)、具有DRAM單管存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器,比SRAM容量大很多,價(jià)格便宜很多,比SDRAM容易使用,功耗也低很多。不失為外擴(kuò)單片機(jī)內(nèi)存的一種解決方案。
2018-09-18 14:03:15
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思?加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些?導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些?虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的?
2021-08-11 08:07:31
1.SDRAM引入1.1 常見(jiàn)存儲(chǔ)器介紹:DRAM介紹同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(synchronous dynamic random-access memory,簡(jiǎn)稱SDRAM),有一個(gè)同步接口的動(dòng)態(tài)
2022-05-16 15:03:13
算一些常見(jiàn)的參數(shù)即可。重定位代碼到SDRAM中DRAM初始化之后,實(shí)際上重定位代碼過(guò)程和之前重定位到SRAM中完全相同。原作者:mituzhizhen
2022-05-16 14:15:08
本文概括闡述了DRAM 的概念,及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容,并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為了防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò),需要周期性地給DRAM充電,故DRAM的充電速度比SRAM慢。另一方面,這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)
2019-09-18 09:05:09
本篇文章是為了記錄flash,sram,dram,rom,ram在單片機(jī)等的應(yīng)用ROM和RAM都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。ROM停止供電仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù),RAM掉電之后丟失數(shù)據(jù),如:計(jì)算機(jī)的內(nèi)存1、ROM
2022-01-11 06:25:18
在帶有LQFP144的CUBEMX中,沒(méi)有配置SRAM和SDRAM嗎?但對(duì)于其他數(shù)據(jù)包(LQFP176、LQFP208),存在類(lèi)似 SDRAM1、SDRAM2、SRAM 的配置。LQFP144
2022-12-15 07:41:12
比如L4+我知道SRAM和寄存器是能正常供電的,但是DRAM stop模式下是正常供電的嗎??
2019-01-15 08:19:38
的應(yīng)用場(chǎng)合。并口SRAM通常速度都比較快,應(yīng)用在很多高速場(chǎng)合,比如作為CPU的高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache),如下圖所示:SRAM處于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器金字塔的最頂端,在速度上,SRAM>DRAM
2020-06-17 16:26:14
oDRAM0_CLK = SRAM_CLK;// SDRAM0 Clock 232assign oDRAM1_CLK = SRAM_CLK;// SDRAM1 Clock dram
2018-07-03 09:50:29
現(xiàn)在,我正在使用帶有 SDRAM 的 imxrt1052。所有變量都在 SDRAM 中。但我想要 SRAM 中的一些變量,以及 SDRAM 中的其他變量。怎么做 ?
2023-05-12 08:23:11
存儲(chǔ)器)512Mbit-4Gbit完全兼容Lyontek、Samsung、ISSI、Cypress SRAM SDRAM,大量降低成本。如有需要請(qǐng)隨時(shí)和我們聯(lián)系. 我們?cè)瓘S供貨,價(jià)格&交期較有
2013-08-30 10:31:33
SDR SDRAM Controller
Synchronous DRAM (SDRAM) has become a mainstream memory of choice in embedded
2009-05-14 11:04:5846 基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)作者:楊奇 楊瑩摘要:本文分別針對(duì)Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件,介紹了使用CPLD 進(jìn)行接口連接和編程控制,來(lái)構(gòu)成低成本
2010-02-06 10:41:1045 嵌入式測(cè)試和測(cè)量挑戰(zhàn)目錄引言3-4DRAM發(fā)展趨勢(shì) 3DRAM4-6SDRAM 6-9DDR SDRAM6DDR2 SDRAM 7DDR3 SDRAM 8DDR4 SDRAM 9GDDR 和LPDDR 9DIMMs 9-13DIMM 物理尺寸 9DIMM
2010-06-30 09:28:0894 本基礎(chǔ)指南共23頁(yè),它全面介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)概念,描述了DRAM的未來(lái)發(fā)展方向,并概述了如何藉由驗(yàn)證來(lái)改善內(nèi)存設(shè)計(jì)。
SDRAM 內(nèi)存系統(tǒng): 嵌入式測(cè)試和測(cè)量
2010-08-05 15:13:1286 SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM。
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328479 問(wèn)題1:什么是DRAM、SRAM、SDRAM? 答:名詞解釋如下 DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器,需要不斷的刷新,才能保存數(shù)據(jù),而且是行列地址復(fù)用的,許多都有頁(yè)模式 SRAM--------靜態(tài)的隨機(jī)存儲(chǔ)器,
2012-11-13 15:08:223345 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,功耗較小。
2017-11-03 16:11:1211256 SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)記憶信息的;SDRAM是靠MOS電路中的柵極電容來(lái)記憶信息的。由于電容上的電荷會(huì)泄漏,需要定時(shí)給與補(bǔ)充,所以動(dòng)態(tài)RAM需要設(shè)置刷新電路。但動(dòng)態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度
2017-11-03 18:26:435231 ,SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào),即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。 1、VDMS16M32芯片
2017-11-16 10:19:550 在很多通信芯片及系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)中,常常需要用到存儲(chǔ)容量大、讀寫(xiě)速度快的存儲(chǔ)器。在各種隨機(jī)存儲(chǔ)器件中,SDRAM的價(jià)格低、體積小、速度快、容量大,是比較理想的器件。但是,與SRAM相比較,SDRAM的控制
2017-11-28 19:51:265 常見(jiàn)存儲(chǔ)器概念辨析:RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存儲(chǔ)器可以分為很多種類(lèi),其中根據(jù)掉電數(shù)據(jù)是否丟失可以分為RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和ROM(只讀存儲(chǔ)器
2017-12-04 14:23:041862 本文檔使用 TAB = 4 對(duì)齊,使用keil5默認(rèn)配置打開(kāi)閱讀比較方便。 【*】程序簡(jiǎn)介 -工程名稱:FMC-SDRAM -實(shí)驗(yàn)平臺(tái): 秉火STM32 F429 開(kāi)發(fā)板 -MDK版本:5.16
2017-12-13 15:13:3718 DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力,因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能,用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念,及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0091644 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能
2018-05-30 07:18:0019347 ,SDRAM的原理和時(shí)序,SDRAM控制器,動(dòng)態(tài)隨即存儲(chǔ)器SDRAM模塊功能簡(jiǎn)介,基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn),一種簡(jiǎn)易SDRAM控制器的設(shè)計(jì)方法
2018-12-25 08:00:0056 的。 SDRAM,同步的DRAM,即數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步。 DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題,容量較SRAM大。但是讀寫(xiě)速度不如SRAM,但是現(xiàn)在,SDRAM的速度也已經(jīng)很快了,時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫(xiě)周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高,但是實(shí)際吞吐率要打折扣。
2019-04-01 16:24:2935283 SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類(lèi)型的內(nèi)存小。
2019-04-01 16:28:479614 SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,功耗較DRAM大,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。
2019-12-17 07:06:002478 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(synchronous dynamic random-access memory,簡(jiǎn)稱SDRAM)是有一個(gè)同步接口的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)。通常DRAM是有一個(gè)異步接口
2019-09-20 07:06:001389 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(synchronous dynamic random-access memory,簡(jiǎn)稱SDRAM)是有一個(gè)同步接口的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)。通常DRAM是有一個(gè)異步接口
2019-09-11 07:07:001919 在使用MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無(wú)法放入片上閃存或SRAM時(shí),開(kāi)發(fā)者通常考慮使用SDRAM。
2019-08-29 10:33:404438 H57V1262GTR SDRAM模塊B型
SDRAM外擴(kuò)存儲(chǔ) 8Mx16bit
型號(hào) SDRAM Board (B)
2019-12-30 09:01:471197 8 BIT 單片機(jī),由于能支持的RAM存儲(chǔ)比較小,內(nèi)部緩存又不夠;或者16 BIT MCU,支持的RAM比較大,但對(duì)低功耗有要求而無(wú)法用DRAM的系統(tǒng)。那么如何設(shè)計(jì)SRAM存儲(chǔ)主板呢?下面由英尚微電子介紹SRAM存儲(chǔ)器主板基本設(shè)計(jì)的五大步驟。 1.地址緩沖器在提供給存儲(chǔ)器的
2020-04-28 14:16:361185 接口,在響應(yīng)控制輸入前會(huì)等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào),這樣就能和計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)總線同步。時(shí)鐘被用來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)有限狀態(tài)機(jī),對(duì)進(jìn)入的指令進(jìn)行管線(Pipeline)操作。接下來(lái)由專注于代理銷(xiāo)售SDRAM、SRAM
2020-07-24 14:25:27719 DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲(chǔ)器,DRAM通常被稱為內(nèi)存,也有些朋友會(huì)把手機(jī)中的Flash閃存誤會(huì)成內(nèi)存。SRAM的存在感相對(duì)較弱,但他卻是CPU性能發(fā)揮的關(guān)鍵。
2020-07-29 11:14:1611869 SRAM的S是Static的縮寫(xiě),全稱是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫(xiě),全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這兩者有什么區(qū)別呢?首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu),你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的,比較出名的是6場(chǎng)效應(yīng)管組成一個(gè)存儲(chǔ)bit單元的結(jié)構(gòu):
2020-08-22 09:21:0018044 從純技術(shù)角度考慮兩個(gè)最廣泛使用的DRAM選項(xiàng)-同步DRAM(SDRAM)和減少延遲的DRAM(RLDRAM)。SDRAM tRC在過(guò)去10年中沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的發(fā)展,約為48ns,這與21MT/s的RTR
2020-09-28 15:05:58696 如若某一天,某種通用存儲(chǔ)器或殺手級(jí)存儲(chǔ)器將能夠同時(shí)替代SRAM,DRAM和閃存。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái),雖然下一代存儲(chǔ)技術(shù)仍然不能完全取代傳統(tǒng)存儲(chǔ)器,但它們可以結(jié)合存儲(chǔ)器的傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)來(lái)滿足對(duì)利基市場(chǎng)的需求。
2020-12-24 17:20:38962 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能,功耗較小。SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。但是SRAM也有它的缺點(diǎn),集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存
2021-01-11 16:48:1819308 PSRAM它具有類(lèi)SRAM的接口協(xié)議:給出地址、讀、寫(xiě)命令,就可以實(shí)現(xiàn)存取,不像DRAM需要memory controller來(lái)控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新,因此結(jié)口簡(jiǎn)單;但它的內(nèi)核是DRAM架構(gòu)
2021-01-20 16:24:271872 SDRAM作為大容量存儲(chǔ)器在高速圖像處理中具有很大的應(yīng)用價(jià)值。但由于SDRAM的結(jié)構(gòu)和SRAM不同,其控制比較復(fù)雜。文章詳細(xì)介紹了 SDRAM存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)、接口信號(hào)和操作方法,以及 SDRAM控制器
2021-01-26 15:30:5213 內(nèi)存可分為DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存和SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種。兩種存儲(chǔ)器都是揮發(fā)性的內(nèi)存,SRAM的主要使用flip-flop正反器,通常用于快取(Cache),而DRAM則是使用電容器及晶體管
2021-02-22 15:35:483111 pSRAM與SRAM相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,同時(shí),PSRAM的I/O接口與SRAM相同.PSRAM就是偽SRAM,內(nèi)部的內(nèi)存顆粒跟SDRAM的顆粒相似,但外部
2021-04-08 15:26:599271 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供一文讀懂SRAM和DRAM資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-15 08:40:1416 目前,在很多通信芯片及系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)中,常常需要用到存儲(chǔ)容量大、讀寫(xiě)速度高的存儲(chǔ)器。在各種隨機(jī)存儲(chǔ)器件中,SDRAM 的價(jià)格低、體積小、速度快、容量大,是比較理想的器件。但是,與SRAM相比較
2021-06-30 09:16:472346 基于FPGA的DDR3SDRAM控制器設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)介(arm嵌入式開(kāi)發(fā)平臺(tái)PB)-該文檔為基于FPGA的DDR3SDRAM控制器設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)介資料,講解的還不錯(cuò),感興趣的可以下載看看…………………………
2021-07-30 09:05:517 基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)介(嵌入式開(kāi)發(fā)工程師和基層公務(wù)員)-該文檔為基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)介文檔,是一份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………
2021-07-30 09:34:5911 DRAM相比較來(lái)說(shuō)待機(jī)電流消耗較低,且其存取時(shí)間也比DRAM和閃存更短。為此,SRAM是公認(rèn)最適合使用在可穿戴產(chǎn)品上的.SRAM具備有更為快速、低功耗的功能。因此SRAM首選用于帶寬要求高。SRAM比起DRAM更為容易控制,也更是隨機(jī)訪問(wèn)的優(yōu)點(diǎn)。 SRAM的類(lèi)型可按照以下進(jìn)行分
2021-10-28 16:17:171102 MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì),如何運(yùn)行SDRAM?2020-03-17 11:36 預(yù)計(jì) 10 分鐘讀完在使用 MCU 的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無(wú)法放入片上閃存或 SRAM
2021-10-29 11:36:150 FRAM與SRAM的比較。 并口FRAM vs SRAM 具有并行接口的FRAM與電池備用SRAM兼容,可以替代SRAM。通過(guò)用FRAM代替SRAM,客戶可以期望以下優(yōu)勢(shì)。 1、降低總成本 使用SRAM的系統(tǒng)需要持續(xù)檢查電池狀態(tài)。如果用FRAM替換后,客戶可以從維護(hù)電池檢查的負(fù)擔(dān)中解放出來(lái)。
2022-03-15 15:43:44741 更快,不用刷新實(shí)際操作。 在一些應(yīng)用中如果遇到數(shù)據(jù)需要擴(kuò)容的情況下,需要外擴(kuò)SRAM器件,一個(gè)并行接口的SRAM或SDRAM需要30~40個(gè)封裝管腳,MCU可用于外擴(kuò)SRAM的管腳數(shù)量有限,如果考慮SPI SRAM(串行SRAM)是一種不錯(cuò)的解決方案。 從降低成本的方向考慮,英
2022-04-18 17:37:331840 存儲(chǔ)在其內(nèi)部的信息不需要更新電路。SRAM具有很高的特點(diǎn)。 ? 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SDRAM)有一個(gè)同步接口,在響應(yīng)控制輸入之前等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào),以便與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)總線同步。時(shí)鐘用于驅(qū)動(dòng)有限狀態(tài)機(jī),并執(zhí)行進(jìn)入命令的管道操作。 英尚存儲(chǔ)芯片供
2022-12-08 16:03:24551 DRAM包括:SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx(Reduced Latency DRAM)、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:485428 今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM,在了解SRAM之前,有必要先說(shuō)明一下RAM:RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51589 元器件原理<DRAM> 由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫(xiě)入方法 <“1” 時(shí)> Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理<SRAM> 存儲(chǔ)單元
2023-07-12 17:29:08754 芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也有成熟的工藝,而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08477
評(píng)論
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