9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 3D NAND仍然是其主要閃存產品。 SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開發轉向批量生產，現在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。 SK Hynix
2019-11-25 17:21:555462 ? 在6月2日的臺北電腦展上，存儲大廠美光終于發布了該公司的首個PCIe 4.0客戶端級SSD，3400系列和2450系列，兩者都采用了他們最新的176層3D TLC NAND閃存。除此之外
2021-06-05 09:00:007716 來做宣傳。這些消息足以看出，今年即將迎來UFS 4.0的推進。UFS作為目前智能手機常用的閃存規范之一，幾乎已經是安卓機標配了，那么新的UFS 4.0又有何改動呢？ ? 尺寸變小，速度翻倍 ? 既然是
2022-05-07 00:48:003800 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:23988 最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優勢。
2013-08-29 10:46:512064 
國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:292569 倍；UFS3.1能夠支持3GB/s讀寫速度，是UFS 2.2的兩倍。 ? 與之前基于LPDDR4x DRAM和UFS 2.2 NAND閃存的解決方案相比，DRAM性能提升了50%，從17GB/s提高到
2021-06-17 07:08:003267 更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于各種下一代移動應用。鎧俠?UFS 產品性能的改進使這些應用程序能夠利用 5G 的連接優勢，從而加快下載速度、減少延遲時間并改善用戶體驗。 鎧俠UFS 4.0產品
2023-06-06 14:30:191529 
的232層3D NAND技術，美光UFS 4.0解決方案可實現高達 1 TB容量，其卓越性能和端到端技術創新將助力旗艦智能手機實
2024-02-28 17:36:07402 
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
耐用性。由于尺寸、冷卻和電池要求，系統設計將光通量和能效視為重中之重。 目前有很多對3D結構光圖形進行優化的技術。其中一個特別有效的方法就是自適應圖形集。算法確定了圖形與波長的最佳組合，以提高被掃描物體
2018-08-30 14:51:20
NAND FLASH就是通過die堆疊技術，加大單位面積內晶體管數量的增長。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲容量，若采用48層TLC 堆疊技術，存儲密度可提升至256GB，輕松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯
觀點：盡管NAND閃存市場需求在一定程度上受到了經濟形勢的影響，但美光市場卻逆勢增長，其市場份額首次突破20%大光。這是其
2012-09-24 17:03:43
UFS 3．0閃存與UFS 2．1閃存相比有哪些提高？
2021-07-12 08:06:22
和UFS閃存的基礎知識吧：eMMC：Embedded Multi Media Card，它是在NAND閃存芯片的基礎上，額外集成了主控制器，并將二者“打包”封裝封成一顆BGA芯片，從而減少了對PCB主板的空間占用，也是移動設備中普及度最高的存儲單元。eMMC的性能會隨著總線接口的升級而提升，而目前最新的
2021-07-22 07:17:09
三部分：前端UFS接口（M-PHY），UFS控制器和閃存介質（圖中的Memory模塊）。VCC給閃存介質供電，VCCQ一般給閃存輸入輸出接口和UFS控制器供電，VCCQ2一般給M-PHY或其它...
2021-11-12 06:16:12
3D虛擬工廠，運用AMR技術將產品研發與工廠規劃同步實施。自動生成一個3D工廠模型，提升工作便利度，避免那些事后才被發現的設計規劃中的失誤，保證產品投放市場的進度，而且能大大節省項目的時間和花費，真正
2017-03-17 10:21:34
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉45度，自己填加的3D模型旋轉45度后，代表3D模型的機械層不會和PCB重合；而用封裝向導畫的模型會和PCB重合。請問這個改怎么解決？雖然旋轉45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉了45度，但是在2D模式下的機械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
請教大家一個問題： Altium designer 的3D封裝在機械層是有線的，我的板子在機械層也畫了線來切掉一部分。那么在PCB的生產加工中，3D封裝位于機械層的線是否會影響加工效果。請實際操作過的回答下，非常感謝。如下圖：
2016-07-22 14:05:18
經理Troy Winslow打了個比方：新閃存以不超過CD光盤中間孔的大小存儲了十倍于光盤容量的數據。對于目前閃存設備容量偏小、使用壽命有限的問題，美光NAND閃存業務市場經理Kevin Kilbuck
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D閃存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系內存大廠美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，預計于2010年中
2022-01-22 08:05:39
3D NAND的生產狀況。之前西部資料制定過一個目標，希望今年采用BiCS 3技術生產的64層3D NAND能占到3D NAND產量的75%，不過現在這個數字有望能提升到90%以上。另一組資料顯示
2022-02-03 11:41:35
S29GL512S11DHIV10閃存芯片S29GL512S10GHI010隨著原廠3D NAND技術的發展，從2018下半年開始，各家均開始向96層3D技術升級，今天西部數據推出了其新一代96層
2022-02-02 08:45:13
將在3月份上市，采用主流的96層3D NAND，并充分利用UFS 3.1高帶寬以及SLC NAND緩存，可提供最高800MB/s的順序寫入速度。容量方面，iNAND MC EU521提供128GB
2022-01-28 15:23:27
高級經理Oded Sagee說，具有嚴格品質保證和可靠性保證的高容量存儲設備正快速成為汽車行業應用的標準。首次采用64層3D NAND TLC閃存技術制造的e.MMC EFD能夠滿足以上特征需求，用以
2022-01-31 12:21:30
SK海力士雖然并未有擴產消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術取得顯著進展。其中，美光最新的176層3D NAND已經在新加坡工廠量產，將在2021年推出基于該技術的新產品，SK
2022-01-26 08:35:58
pcb 3D導step用creo打開為什么絲印層顯示不出來 PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數據、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業大咖，與行業人士共同探討3D NAND技術的發展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優勢
2018-09-20 17:57:05
什么是閃存？eMMC和UFS之間的區別在哪里？UFS2.0和2.1之間有何不同？
2021-06-18 09:20:44
隨著很多全新技術的涌現，人們越來越需要用3D方法來表示現實世界中的物體。特別是機器視覺和機器人技術，它們都得益于精確和自適應的3D捕捉功能。其它針對3D掃描的應用包括生物識別、安防、工業檢查、質量
2022-11-16 07:48:07
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
本文介紹的三個應用案例展示了業界上先進的機器視覺軟件和及其圖像預處理技術如何促使2D和3D視覺檢測的性能成倍提升。
2021-02-22 06:56:21
、空隙填充若3D模型存在空隙，浩辰3D能自動識別3D模型上的空隙，并以紅X的形式標出，點擊確認后，即可直接填滿這個空隙，完成填補，從而便于打印設備的工作機制。3、定位零件步驟一：首先，定義打印機設置，在
2021-05-27 19:05:15
DRAM補全計劃？此前曾傳出紫光將斥資230億美元收購美的消息，后因美國***的限制，使這筆交易暫時壓后。美光就不需要給大家介紹，它的DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導體組件以及存儲器模塊
2016-07-29 15:42:37
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替傳統使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
優勢，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲產品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產和研發中來，存儲產品也開始走向了3D時代。在這些廠商發展3D閃存的過程當中，也
2020-03-19 14:04:57
的部分，實際上還要加上16字節的校驗信息，因此我們可以在閃存廠商的技術資料當中看到(512+16)Byte的表示方式。NAND是以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域
2018-06-21 14:57:19
在3D模式下能不能隱藏元件的3D，就是3D模式下只能看見PCB板
2019-04-18 05:51:13
能精確曝光物體層。該系統還采用了 TI 的低功耗 MSP430 嵌入式處理器將物體層曝光與電機控制同步以便實現精確的漸進式 3D 打印。 特性集成電機驅動例程通過自適應 GUI 自定義層疊順序采用模塊化系統設計，方便移植到其他 DLP 芯片組`
2015-04-28 10:35:23
的低功耗 MSP430 嵌入式處理器，將層曝光與電機控制同步，以便實現精確的漸進式 3D 打印。 特性集成電機驅動例程通過自適應 GUI 自定義層疊順序采用模塊化系統設計，方便移植到其他 DLP 芯片組
2022-09-26 07:03:30
Intel、美光宣布投產25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 鎂光年中量產25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發部門的經理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 雖然符合新的通用閃存卡（UFS）規范的產品出現，2013年將在移動NAND閃存市場引發新的技術競爭，但較舊的嵌入多媒體存儲卡（eMMC）標準在許多手機和平板電腦中仍將保持統治地位
2012-03-30 08:46:141488 東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。
2014-05-04 16:00:411264 現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 目前，東芝和西數先后宣布成功開發基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
的廠商競爭，以及日經貼般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區別和聯系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據
2017-10-13 20:33:26
6 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:364734 今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 到2016年3月份為止，全球四大NAND豪門都推出了3D NAND閃存及TLC閃存，SSD硬盤的好處就不用多說了，現在不僅容量在提升，價格也不斷走低，這導致了性價比更有優勢的TLC閃存需求高漲
2018-09-19 16:45:001570 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個NAND
2018-08-29 11:10:008278 
V-NAND技術，堆棧層數從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。?值得一提的是，三星在3D NAND閃存
2018-10-08 15:52:39395 西部數據公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤（EFD），豐富了其高質量、高耐用性的汽車儲存解決方案，
2018-10-18 16:52:411295 (GB)嵌入式NAND閃存模塊已經開始交付樣品。該模塊完全符合JEDEC UFS 1.1版本標準，專為包括智能手機和平板電腦在內的各種數碼消費品打造。 樣品主要用于由操作系統廠商對UFS I/F及其主芯片組中的協議進行評估。 由于主芯片組數據處理速度的提高以及無線連接帶寬的擴大，市場上對可支持高分辨
2018-11-09 17:36:01215 11月15日， 國產知名SSD主控芯片原廠聯蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯蕓科技自主
2018-11-19 17:22:316838 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
現在，長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華接受采訪時表示，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:002263 UFS2.1 兼容的托管型 NAND 存儲解決方案采用高性價比的 64 層 3D TLC NAND 架構，可提供超快速啟動和汽車級可靠性。
2019-08-19 01:10:002921 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:32791 通常情況下，固態硬盤（SSD）的底層NAND架構會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數據存儲產生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:341883 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術
2020-12-07 16:16:232416 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 發展至今，NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659 三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術，傳輸帶寬每通道達到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達到4200MB/s，同時順序寫入速度也提升到2800MB
2022-05-05 10:45:273249 
，但并沒有以UFS 4.0來做宣傳。這些消息足以看出，今年即將迎來UFS 4.0的推進。UFS作為目前智能手機常用的閃存規范之一，幾乎已經是安卓機標配了，那么新的UFS 4.0又有何改動呢?
2022-05-07 11:07:161664 3D TLC NAND 代表了存儲介質的轉折點，提供了更低的每比特成本和更小的占用空間。然而，為了使市場擴展到嵌入式行業，該技術需要提供一套可持續的、可擴展的比特糾錯解決方案。
2022-06-10 07:41:001401 
在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
通過實施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來基于 3D TLC NAND 的設備可以保證 SSD 質量和數據完整性。
2022-08-17 11:54:142019 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 UFS（Universal Flash Storage）是一種用于移動設備存儲的閃存存儲標準。UFS 3.1和UFS 4.0是UFS標準的不同版本，它們之間有一些顯著的差異。
2023-07-18 14:57:5758066 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 3.1和UFS 4.0之間的區別以及它們在實際使用中的差異。 1. 性能提升: - UFS 3.1： UFS 3.1是一種高速的存儲解決方案，支持二級存儲架構（DSC 2.0），最大傳輸速度達到
2024-01-17 11:05:524255 存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業界首款面向車載應用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品。
2024-02-22 16:21:51612 ，該方案具有突破性專有固件功能并采用業界領先的緊湊型 UFS 封裝（9 x 13mm）。基于先進的 232 層 3D NAND 技術，美光 UFS 4.0 解決方案可實現高達 1 TB 容量，其卓越性
2024-02-29 16:46:52161 
美光科技股份有限公司近日宣布推出其增強版通用閃存（UFS）4.0移動解決方案，標志著手機存儲技術的新里程碑。這一方案不僅具備創新的專有固件功能，還采用了業界領先的緊湊型UFS封裝（9 x 13mm），為智能手機市場帶來了前所未有的性能提升。
2024-03-01 09:41:53162
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