由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中，我們對四種常見閃存設(shè)計部署方法進(jìn)行了分析，它們都有各自的優(yōu)點和缺點。
2013-06-18 14:15:40
2188 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512064 
?閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。 什么是pSLC pSLC?是一種虛擬的 SLC?技術(shù)，通過采用特殊的控制算法和管理方法，在 MLC?或 TLC?閃存芯片上模擬 SLC?存儲單元。 1、pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間，其性能接近于SLC； 2、透過Flash控制器的創(chuàng)新性設(shè)
2023-08-02 15:16:593366 
閃存控制器1.閃存寫當(dāng)寫閃存時不能進(jìn)入供電模式1、2和3。而且寫的時候系統(tǒng)時鐘源不能改變。2.閃存頁面擦除擦除一個頁面時不能進(jìn)入供電模式1、2和3，且系統(tǒng)時鐘源不能改變。當(dāng)擦除時使能了看門狗，則定時
2021-07-22 09:32:33
有一顆EMMC，要用PSLC模式燒錄，請問各位大俠PSLC是什麼？
2012-04-17 11:55:58
KW38 中的“程序閃存的高級閃存安全”是什么意思？
2023-02-28 06:18:21
GaN為5G sub-6GHz大規(guī)模MIMO基站應(yīng)用提供的優(yōu)勢LDMOS的優(yōu)勢是什么如何選擇正確的晶體管技術(shù)
2021-03-09 07:52:21
Python是什么？有什么優(yōu)勢？Java是什么？有什么優(yōu)勢？為什么Lisp是AI開發(fā)的頂級編程語言之一？Prolog是什么？有什么優(yōu)勢？C ++是什么？主要有哪些應(yīng)用領(lǐng)域？
2021-07-02 06:36:55
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
UFS 3．0閃存與UFS 2．1閃存相比有哪些提高？
2021-07-12 08:06:22
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2020-12-26 17:28:46
什么是閃存？為何國產(chǎn)存儲芯片eMCP有著不可替代的優(yōu)勢?
2021-06-18 07:51:33
作者：李建勛 樊曉光 禚真福來源：什么是基于閃存平臺的存儲管理策略？在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機(jī)械故障少的優(yōu)勢已逐漸成為最流行的存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器。然而，閃存常見
2019-07-31 08:17:49
V3的全閃存方案，在大于1000桌面以上就有超過30%的成本優(yōu)勢。 ２.運維效率高 典型2000個桌面部署速度相對傳統(tǒng)存儲提升2倍（20小時縮減為8小時），啟動風(fēng)暴時間縮減75%（60分鐘
2018-11-29 11:41:44
什么是內(nèi)存（RAM）？什么是閃存（ROM）？內(nèi)存與閃存之間的區(qū)別在哪里？內(nèi)存與閃存之間有什么不同？
2021-06-18 09:41:00
的成本、設(shè)計效率及重要性，基于MCU的解決方案可為設(shè)計者們提供諸多優(yōu)勢。通過選擇帶適當(dāng)外圍與閃存的8 位MCU，工程師們能充分利用其優(yōu)勢來設(shè)計一種離線鋰電池充電器。帶2KB 閃存及適當(dāng)外圍以提供一種廉價
2011-01-13 09:35:28
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2021-08-23 19:27:13
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2021-10-29 19:13:21
大家好，我已經(jīng)閱讀了很多關(guān)于如何從PROM閃存和SPI閃存配置FPGA的PDF文件，但我需要知道如何使用mcs文件配置閃存本身（我知道它可以通過IMPACT完成，我知道所有步驟，但是我需要知道這些
2019-07-10 07:36:39
大家好， 我正在使用SPC560D030作為我的產(chǎn)品。我想使用數(shù)據(jù)閃存存儲設(shè)備配置，即我想將數(shù)據(jù)閃存用作NVM。配置數(shù)據(jù)為120字節(jié)。我嘗試使用數(shù)據(jù)閃存作為NVM閱讀參考手冊
2018-09-25 17:15:42
）配置比特流時，這種11引腳雙QSPI配置將具有非常大的優(yōu)勢。閃存配置下一代閃存采用x1（主要用于SFDP訪問）、x4或x8 IO總線寬度運行，支持SDR或DDR格式傳輸數(shù)據(jù)，并且通過使用新的數(shù)據(jù)選
2021-05-26 07:00:00
我正在使用PSoC造飾器，想知道是否有一種方法來讀取/寫入閃存的一小部分。我想在閃存結(jié)束時保留一些類似于128字節(jié)的東西來存儲序列號和其他應(yīng)用程序配置信息。這是可能的嗎？我希望固件能夠讀取/寫入閃存。車道
2019-10-28 07:33:46
我使用的是 MIMXRT1170-EVK，具有 IS25WP128-JBLE QSPI NOR 閃存。我已經(jīng)設(shè)置了 hello world 代碼，以便代碼從內(nèi)部 RAM 運行，釋放閃存以供使用。 我
2023-03-20 06:29:52
過程，其中包括對整個價值鏈的優(yōu)化，而這只能通過對總成本予以足夠重視來實現(xiàn)。將閃存用于智能卡IC的優(yōu)勢在面向支付、身份識別和交通應(yīng)用的大用量芯片卡市場上，要應(yīng)對強(qiáng)大的價格壓力，固定式掩模ROM（只讀存儲器
2018-12-07 10:19:51
收購鉭電容（專業(yè)優(yōu)勢高價）鉭電容回收【帝歐電子 財富熱線 ***QQ：879821252 】 收購鉭電容，收購AVX鉭電容，收購NEC鉭電容，收購KEMET(基美）鉭電容，收購VISHAY(威士
2021-01-06 17:07:48
嗨，我們想用Spartan 6汽車級FPGA（XA6SLX100-2FGG484Q-ND）設(shè)計一種新的PCB。請為設(shè)計指定SPI配置閃存，因為Xilinx（間接編程簡介 - SPI或BPI閃存）中列出的所有SPI閃存都是合法的。請建議替代SPI閃存。
2020-06-05 15:35:51
在過去幾年里，汽車應(yīng)用對 NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應(yīng)用在信息娛樂和引擎控制等方面。然而，隨著汽車電腦化進(jìn)程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。尤其是在高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤和信息娛樂等系統(tǒng)對NOR 閃存的市場需求迅猛增長。
2019-08-09 06:31:34
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2021-01-04 17:10:16
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2021-09-22 19:28:08
有一顆元件是EMMC，需要用PSLC模式燒錄，請問PSCL是什麼意思？到處都找不到這個資料，請各位大俠幫忙！
2012-04-17 11:52:49
某閃存廠商指控蘋果在閃存市場上“欺行霸市”
近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經(jīng)常向韓系三星，海力士等
2009-12-03 09:24:11425 閃存卡的存取速度 存取速度是指閃存卡在被寫入數(shù)據(jù)或讀取數(shù)據(jù)時的數(shù)據(jù)傳輸速度。不同類型的閃存卡采用
2010-01-09 15:03:29973 閃存卡的電壓 不同類型的閃存卡具有不同的規(guī)
2010-01-09 15:04:411086 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 Flash閃存有哪些類型
Flash閃存是非易失性存儲器，這是相對于SDRAM等存儲器所說的。即存儲器斷電后，內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607 恒憶閃存抗X射線
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極（浮柵）捕獲（或排除）電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改（偏離原始電壓值）。在附加的編程和
2010-04-12 14:12:16641 
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機(jī)械故障少的優(yōu)勢已逐漸成為最流行的存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器。然而，閃存常見的用法是簡單的流模式，它沒有
2010-06-21 15:10:22495 
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始
2010-10-18 09:54:481629 本內(nèi)容介紹了usb閃存盤是什么意思，包括usb閃存盤的組成及閃存盤的存儲原理。
2011-12-21 11:19:1012120 LPC1138閃存(Flash)，有需要的下來看看。
2016-01-13 16:45:57
20 VMAX 全閃存
2016-12-25 00:20:540 NetApp_閃存解決方案為數(shù)據(jù)庫工作負(fù)載帶來的優(yōu)勢
2016-12-29 12:01:010 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451320 近日閃存門可謂是愈演愈烈，而現(xiàn)在有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)三星在海外比如說美國地區(qū)悄悄地撤銷了手機(jī)閃存描述，也就是刪去了UFS 2.1閃存的描述。當(dāng)然之前三星之前就在閃存描述下面指出，“部分國家規(guī)格可能有差別”。而經(jīng)過網(wǎng)友的驗證，部分美版的Galaxy S8/S8+手機(jī)使用的是東芝生產(chǎn)的UFS 2.0閃存。
2017-05-08 10:21:54551 
三星作為手機(jī)行業(yè)的上游霸主，有著強(qiáng)大的科技創(chuàng)新實力以及完整的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，再加上其身為國際大品牌的影響力促使其對名譽(yù)有著更加負(fù)責(zé)任的擔(dān)當(dāng)精神，這也使得三星手機(jī)對自身要求更加苛刻，對于三星在閃存上的優(yōu)勢，源于其強(qiáng)大的市場基礎(chǔ)。
2017-05-11 10:03:0911107 相信很多人對不久前發(fā)生的華為閃存門事件都記憶猶新，此次事件帶火了一款軟件，也帶火了一個名詞“閃存”。這款軟件叫“Androbench”，購買華為P10的用戶分分下載Androbench測試閃存速度，導(dǎo)致華為商城無法下載該軟件。而這個名次“閃存”，相信很多人都會比較疑惑，閃存是運存嗎？
2017-05-12 11:19:122623 華為榮耀9這幾天才上市，胡歌是這款手機(jī)的代言人，讓人好不喜歡，可是華為p10就爆出閃存門事件，那么華為榮耀9存在閃存門嗎？閃存門怎么測試？一起來看看。
2017-06-13 16:55:165848 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
UFS 2.0閃存的亮點正是讀取速快，相對主流動的eMMC 5.0閃存讀取速更快，據(jù)悉UFS 2.0閃存一秒即可寫入20首以上的歌曲，它能行更快的完成讀取操控，從而更早的回到待機(jī)狀態(tài)。
2018-02-20 10:13:002688 現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396 隨著成本降低和技術(shù)進(jìn)步，閃存越來越多的被企業(yè)級數(shù)據(jù)中心作為存儲介質(zhì)使用。相比傳統(tǒng)的磁盤介質(zhì)，閃存的優(yōu)勢顯而易見：速度快，耗電低，省空間。特別在速度方面，閃存具有壓倒性的優(yōu)勢。
2018-05-09 13:46:001928 
的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現(xiàn)在的64/72層閃存堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，而到了140+層，堆疊厚度將增至
2018-05-28 16:25:4847895 RobertFrance先生介紹Spansion公司推出業(yè)界最快串行閃存產(chǎn)品——65nm Spansion? FL-S NOR閃存系列。
2018-06-25 17:00:003627 Vantara、Kaminario七家廠商所把持。除Pure Storage和Kaminario以外，其他五大廠商均長期占據(jù)傳統(tǒng)存儲市場的第一陣營，而今天它們將傳統(tǒng)存儲的優(yōu)勢延續(xù)到了新興的全閃存市場。
2018-07-26 17:02:014615 到2016年3月份為止，全球四大NAND豪門都推出了3D NAND閃存及TLC閃存，SSD硬盤的好處就不用多說了，現(xiàn)在不僅容量在提升，價格也不斷走低，這導(dǎo)致了性價比更有優(yōu)勢的TLC閃存需求高漲
2018-09-19 16:45:001570 傳統(tǒng)上，磁盤存儲相較于閃存的關(guān)鍵優(yōu)勢在于容量價格。對于容量為幾GB的小型USB閃存盤，閃存的價格能夠讓人接受。但是當(dāng)涉及到企業(yè)計算環(huán)境時，將整個組織的數(shù)據(jù)存儲在閃存中，高昂的價格讓人望而生畏。
2019-03-15 14:22:292491 華為存儲從2002年開始投入，已經(jīng)走過17個年頭。到今天，全球已經(jīng)超過1萬客戶選擇了華為存儲，在金融、運營商、能源、大企業(yè)各行各業(yè)的核心系統(tǒng)上都有OceanStor Dorado的身影。在整個存儲以及全閃存的市場上，華為在國內(nèi)保持了市場份額的第一名，同時在全球保持了增長率的第一。
2019-07-27 11:01:501261 PRO Endurance 128G作為三星存儲在閃存卡領(lǐng)域的旗艦產(chǎn)品，在外觀方面與自家其它閃存卡系列保持了較高的統(tǒng)一度，家族化的設(shè)計讓人很好辨認(rèn)，為了與EVO Plus系列進(jìn)行區(qū)分，此款PRO Endurance 128G在配色方面采用了黑色相間的撞色搭配，這也仿佛在訴說這它那低調(diào)持久的性能表現(xiàn)。
2019-09-29 10:16:452199 在手機(jī)選擇上，或許很多人只看重處理器和運行內(nèi)存，這是沒錯的，強(qiáng)悍硬件是手機(jī)擁有好體驗的基礎(chǔ)。不過，對于當(dāng)下5G手機(jī)而言，不僅要看處理器，產(chǎn)品配備UFS閃存的規(guī)格也是非常關(guān)鍵的，其直接影響到手機(jī)是否擁有流暢體驗。
2019-11-04 11:19:572063 同樣值得注意的是閃存有幾種不同的類型。最常見的兩種是NOR閃存和NAND閃存。
2019-12-05 11:54:343576 如同HDD硬盤中的SMR技術(shù)一樣，QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢，究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差，但是現(xiàn)在的價格還沒有達(dá)到預(yù)期。
2019-12-10 10:56:012332 NAND Flash是目前閃存中最主要的產(chǎn)品，具備非易失，高密度，低成本的優(yōu)勢，其陣列內(nèi)部包含由晶體管構(gòu)成的行列單元。
2020-02-24 17:57:302242 
對3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲密度就越高，這是3D閃存的核心競爭力，2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073456 NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁構(gòu)成。每個塊包含多個頁
2020-07-22 11:56:265264 
無論消費者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 閃存是最常用器件之一，在諸如SSD等存儲設(shè)備中均存在閃存。但是，大家對閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對閃存的了解和認(rèn)識，本文將對QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對閃存具有興趣，不妨
2020-11-06 17:38:5882922 
兩大存儲芯片中，內(nèi)存未來的價格走勢風(fēng)云變幻，而閃存的價格就好多了——盡管幾大閃存原廠也在削減產(chǎn)能，但是閃存明年Q1季度價格還會繼續(xù)跌，跌幅在10-15%不等，SSD硬盤不怕漲價了。
2020-12-14 15:26:391452 100+層。 這么多年了，大家都知道了SLC、MLC、TLC及QLC閃存類型的區(qū)別，QLC閃存量產(chǎn)上市才2年左右，但是發(fā)展很快，因為它的容量、成本優(yōu)勢最大，消費者不爽的主要是性能差，尤其是緩存外性能不如HDD硬盤，還有就是可靠性差，擔(dān)心會掛。 前不久Intel發(fā)布了144層堆棧
2020-12-25 10:50:251920 由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400 由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 10:05:081872 NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲而已在嵌入式設(shè)備中廣泛使用了很長時間。對于某些低功耗應(yīng)用，串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設(shè)備更受歡迎。與串行SPI NOR閃存相比，并行NOR閃存具有并行性
2021-03-03 16:36:441619 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。
2021-03-03 17:42:495260 
根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)顯示，Dell EMC正在建立比NetApp更大的全閃存陣列（AFA）收入領(lǐng)先優(yōu)勢。NetApp在這個市場上仍然排名第二，但是華為和Pure Storage正在快速追趕
2021-04-01 15:43:242563 
STM32閃存編程手冊(嵌入式開發(fā)和編程)-STM32閃存編程手冊?STM32開發(fā)必備技術(shù)文檔之一
2021-08-04 12:44:2345 三級單元（TLC）、多級單元（MLC）、單層單元（SLC）、偽單層單元（pSLC）——有許多閃存技術(shù)。開發(fā)人員需要了解存儲的基本機(jī)制和存儲級別的效果，以了解哪些閃存產(chǎn)品最適合特定應(yīng)用。只有這樣，他們才知道該問供應(yīng)商什么問題。
2022-10-24 11:43:25414 圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時，他們只談?wù)揘AND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
中，SLC顆粒性能最好、可擦寫次數(shù)最高，但其容量成本比往往令人望而卻步。 企業(yè)該如何以更經(jīng)濟(jì)的成本獲得媲美SLC顆粒長壽命、高效能的存儲方案呢？ 為解決這一痛點，佰維自研的 pSLC（Pseudo SLC） 固件技術(shù)應(yīng)運而生，搭配先進(jìn) LDPC糾錯 技術(shù)，打造佰維超強(qiáng)耐久SSD。
2023-03-20 09:57:12825 
NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031197 
近日，MK米客方德推出工業(yè)級pSLCeMMC，創(chuàng)新的pSLC應(yīng)用，使得產(chǎn)品的擦寫壽命大幅提升，能夠滿足工業(yè)客戶對可靠性的嚴(yán)苛要求。圖一：4GBeMMC產(chǎn)品pSLC是一種介于SLC和MLC之間的技術(shù)
2022-05-13 15:46:201131 
在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35793 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光纖通道與iSCSI相比在支持企業(yè)工作負(fù)載的全閃存存儲陣列方面性能優(yōu)勢.pdf》資料免費下載
2023-08-28 16:44:060 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實現(xiàn)閃存存儲優(yōu)勢的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計注意事項.pdf》資料免費下載
2023-08-28 11:02:270
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