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電子發(fā)燒友網>存儲技術>未來HBM產量將大幅增加

未來HBM產量將大幅增加

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三星將投資1萬億韓元擴大HBM產能,以滿足英偉達和AMD需求

三星計劃在天安工廠安裝該設備,增加hbm的出貨量。天安工廠是三星半導體后端工程生產基地。考慮到hbm是垂直連接多個dram而成的形態(tài),三星為增加出貨量,需要更多的后端處理器。據報道,此次擴建的總投資額為1萬億韓元。
2023-07-14 10:05:27513

HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產

據業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導體企業(yè)正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632

業(yè)界最快、容量最高的HBM?

來源:半導體芯科技編譯 業(yè)內率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進的1β工藝節(jié)點實現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07587

預估2024年HBM位元供給年增105%,多數(shù)產能明年Q2陸續(xù)開出

報告預測說,到2023年至2024年是AI建設熱潮時期,因此,隨著對AI訓練用芯片的需求集中,hbm使用量會增加,但隨著今后轉換為推論,AI訓練用芯片和hbm需求的年增加率會有所減少。
2023-08-11 10:57:57276

韓國半導體設備商積極開發(fā)新一代HBM加工工具

 目前,hbm在整個dram市場中所占比重不到1%,但隨著人工智能和ai半導體市場的迅速增長,對hbm的需求正在增加。市場調查機構預測說,到2023年全世界hbm需求將達到2.9億gb,比前一年增加60%,到2024年將增長30%。
2023-09-01 14:25:15474

臺積電3nm產量大幅增加,已預計6.5萬片晶圓

臺積電計劃到2023年為止,只批量生產蘋果的3nm工程,新iphone15的初期訂貨量將比以前的型號有所減少。因此,預計4/4季度的3納米工程生產量很難達到當初的預測值80-10萬盒。消息人士稱,因此有人提出質疑稱,tsmc能否在2023年之前實現(xiàn)n3的銷售額增長4%至6%的目標。
2023-09-15 10:35:46519

存儲廠商HBM訂單暴增

目前,HBM產品的主要供應商是三星、SK海力士和美光。根據全球市場調研機構TrendForce集邦咨詢的調查顯示,2022年,SK海力士在HBM市場占據了50%的份額,三星占據了40%,美光占據了10%。
2023-09-15 16:21:16374

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點

? ? 據了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM,能夠提升數(shù)據處理速度,HBM DRAM產品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代
2023-10-10 10:25:46400

一文解析HBM技術原理及優(yōu)勢

HBM技術是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據中心等領域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM技術的原理、優(yōu)勢、應用和發(fā)展趨勢。
2023-11-09 12:32:524343

SK海力士預計今年 HBM 芯片出貨量 2030 年可達 1 億顆

11 月 14 日消息,SK 海力士副會長兼聯(lián)席 CEO 樸正浩透露,今年公司高帶寬內存(HBM)出貨量大幅增加,預計到 2030 年將達到每年 1 億顆。 昨日下午,在京畿道光州東谷 CC 舉行
2023-11-15 08:44:50189

HBM未來

Rambus產品營銷高級總監(jiān) Frank Ferro 在 Rambus 設計展會上發(fā)表演講時表示:“HBM 的優(yōu)點在于,可以在可變的范圍內獲得所有這些帶寬,并且表示獲得了非常好的功耗?!?/div>
2023-11-15 15:50:19266

如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化?

如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化?
2023-11-29 16:13:18189

速度優(yōu)勢是HBM產品成功的關鍵

速度優(yōu)勢是HBM產品成功的關鍵
2023-11-29 16:22:53172

預計英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復雜,預計需要2個季度左右的時間,因此業(yè)界預測,最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結果。但是,驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示,各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值,還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:57443

英偉達HBM3e 驗證計劃2024 Q1完成

HBM4 預計將于 2026 年推出,具有針對英偉達和其他 CSP 未來產品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下,HBM4 將標志著其最底部邏輯芯片(基礎芯片)首次使用 12 納米工藝晶圓,由代工廠提供。
2023-11-28 09:45:13201

英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復雜,預計需要2個季度左右的時間,因此業(yè)界預測,最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結果。但是,驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示,各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值,還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:30353

HBM4為何備受存儲行業(yè)關注?

當前,生成式人工智能已經成為推動DRAM市場增長的關鍵因素,與處理器一起處理數(shù)據的HBM的需求也必將增長。未來,隨著AI技術不斷演進,HBM將成為數(shù)據中心的標準配置,而以企業(yè)應用為重點場景的存儲卡供應商期望提供更快的接口。
2023-12-02 16:30:32215

大算力芯片里的HBM,你了解多少?

內外人士的視野和傳統(tǒng)的GDDR相比,HBM不僅僅提供了更大的位數(shù)寬度,而且通過TSV和Interposer的連接方式,大幅降低了數(shù)據通訊上的能量損耗。這對于大算力芯片的
2023-12-05 16:14:18554

下一代HBM技術路線選擇對行業(yè)有何影響?

HBM 存儲器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔(TSV 或連接孔),并與放置在基礎封裝層上的中間件相連,中間件上還安裝有處理器,提供 HBM 到處理器的連接。
2023-12-06 10:40:49136

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能

為增強AI/ML及其他高級數(shù)據中心工作負載打造的 Rambus 高性能內存 IP產品組合 高達9.6 Gbps的數(shù)據速率,支持HBM3內存標準的未來演進 實現(xiàn)業(yè)界領先的1.2 TB/s以上內存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能

作為業(yè)界領先的芯片和 IP 核供應商,致力于使數(shù)據傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 內存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達 9.6
2023-12-07 14:16:06329

SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現(xiàn)已提前調整產量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00247

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:00250

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內存(HBM3E)產品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品,其性能也實現(xiàn)了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:21330

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術對比

AI服務器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務器平均HBM容量增加,經測算,預期25年市場規(guī)模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53203

HBM良率問題影響AI芯片產量

在以臺積電與三星代工為首的諸多企業(yè)中,長期以來,保持硅晶圓高效產出的良品率一直是個難題。然而,這個難關如今已經蔓延至HBM行業(yè)。
2024-03-07 09:41:25204

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51158

三星強化HBM工作團隊為永久辦公室,欲搶占HBM3E領域龍頭地位?

這一結構性調整體現(xiàn)出三星對于存儲器領域HBM產品間競爭壓力的關注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機,并因其在人工智能領域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501408

從兩會看AI產業(yè)飛躍,HBM需求預示存儲芯片新機遇

高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成為主流趨勢。這表明,HBM芯片的需求在未來一段時間內繼續(xù)保持旺盛,也將為相關企業(yè)提供了重要的機遇。
2024-03-12 13:59:09406

預期HBM供應將大幅增長,驅動DRAM產業(yè)發(fā)展

擔任分析師職務的人員對于HBM的面貌做出解釋,指出與同等容量和制程的 DDR5比較,HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間,然而其良品率卻相對較低,普遍低20%-30%。
2024-03-18 16:01:4391

英偉達CEO贊譽三星HBM內存,計劃采購

 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24352

算力需求催生存力風口,HBM競爭從先進封裝開始

無疑是今年最火熱的高端存儲產品。 ? 在AI芯片需求不減競爭加劇的背景下,全球最大的兩家存儲器芯片制造商三星和SK海力士都在積極擴大HBM產量搶占AI芯片存力風口。與此同時,作為HBM頭部廠商的SK海力士和三星在推進HBM迭代的同時,仍在不斷探索新的HBM芯片封
2023-12-03 08:34:552005

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