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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>NAND閃存市場(chǎng)分析 閃存控制器行業(yè)玩家分析

NAND閃存市場(chǎng)分析 閃存控制器行業(yè)玩家分析

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全球NAND閃存市場(chǎng)受日韓貿(mào)易戰(zhàn)影響 漲價(jià)15%

目前韓國(guó)日本之間的糾紛還沒擺平,但是考慮到韓國(guó)三星、SK海力士?jī)杉夜菊剂巳?0%以上的內(nèi)存、50%以上的閃存生產(chǎn),日本制裁對(duì)韓國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)影響會(huì)很大,如果雙方不解決供應(yīng)限制的話。威剛方面看好NAND閃存漲價(jià),預(yù)計(jì)NAND閃存芯片將漲價(jià)10%到15%,而SSD硬盤也會(huì)有差不多的漲幅。
2019-07-09 09:28:021465

四種閃存設(shè)計(jì)優(yōu)劣點(diǎn)分析

由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢(shì),在過去一年里,閃存的普及率開始飆升。不過,我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中,我們對(duì)四種常見閃存設(shè)計(jì)部署方法進(jìn)行了分析,它們都有各自的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2013-06-18 14:15:402188

NAND閃存現(xiàn)曙光,今年?duì)I收有望大增

據(jù)IHS公司的閃存市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào),由于在手機(jī)、游戲控制臺(tái)和混合存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大,NAND閃存市場(chǎng)今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。
2013-06-25 17:04:26684

市場(chǎng)預(yù)期NAND閃存供求緊張致SSD價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)

由于在今年的購(gòu)物假期中消費(fèi)者購(gòu)買全新固態(tài)硬盤的需求不斷攀升,在接下來(lái)的數(shù)周甚至數(shù)月時(shí)間內(nèi)NAND閃存的價(jià)格可能將持續(xù)拉升。根據(jù)DRAMeXchange公布的最新報(bào)告,2016年第3季度NAND閃存全球總營(yíng)收同比增長(zhǎng)19.6%,究其原因是因?yàn)樵谠摷径仁褂?b class="flag-6" style="color: red">閃存的產(chǎn)品尤其是智能手機(jī)呈現(xiàn)了巨大的需求。
2016-12-05 16:28:10659

PK三星閃存 紫光2019年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存

國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少,但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存
2017-05-09 15:10:042255

解析NAND閃存系統(tǒng)的特性平衡

在設(shè)計(jì)使用NAND閃存的系統(tǒng)時(shí),選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅V匾?閃存控制器還必須足夠靈活,以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對(duì)于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:282455

如何根據(jù)NAND閃存特性選擇正確的閃存控制器

NAND閃存是一種大眾化的非易失性存儲(chǔ)器,主要是因?yàn)樾⌒停凸那覉?jiān)固耐用。 盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲(chǔ),但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時(shí),需要考慮許多重要特性。 這些特性適用于所有類型的存儲(chǔ),包括耐用性
2020-12-18 15:10:382262

開放NAND閃存接口ONFI介紹

制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡(jiǎn)化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)和任何其他需要固態(tài)大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件
2023-06-21 17:36:325876

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446

NAND閃存深入解析

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯 NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47

NAND閃存的錯(cuò)誤觀念

在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此,弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55

閃存控制器

閃存控制器1.閃存寫當(dāng)寫閃存時(shí)不能進(jìn)入供電模式1、2和3。而且寫的時(shí)候系統(tǒng)時(shí)鐘源不能改變。2.閃存頁(yè)面擦除擦除一個(gè)頁(yè)面時(shí)不能進(jìn)入供電模式1、2和3,且系統(tǒng)時(shí)鐘源不能改變。當(dāng)擦除時(shí)使能了看門狗,則定時(shí)
2021-07-22 09:32:33

閃存驅(qū)動(dòng)控制器的資料分享

描述閃存驅(qū)動(dòng)控制器
2022-08-25 06:48:00

STM32F303VCT6的內(nèi)部閃存使用哪種閃存類型,NAND還是NOR?

幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機(jī)存取指令或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)NAND 內(nèi)存是從起始頁(yè)面地址開始的順序訪問,不支持直接獲取指令(必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM)。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的,但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49

XIP是否通過QSPI支持NAND閃存

大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問: XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng),則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44

Xilinx Spartan 6是否支持NAND閃存

認(rèn)為每個(gè)組件都有自己的閃存。您如何看待,我應(yīng)該只使用一個(gè)NAND閃存進(jìn)行FPGA和處理訪問,這意味著FPGA配置文件(.mcs)也存儲(chǔ)在非易失性閃存中,在加電時(shí),ARM處理會(huì)自動(dòng)配置FPGA
2019-05-21 06:43:17

i.MX系列處理培訓(xùn)資料及市場(chǎng)分析

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2009-10-26 18:22:36

東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

。隨著帶有控制器功能的存儲(chǔ)需求不斷擴(kuò)大,東芝已經(jīng)采取行動(dòng)使其在這個(gè)不斷擴(kuò)大的市場(chǎng)上占領(lǐng)領(lǐng)先地位,東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。 
2008-08-14 11:31:20

什么是閃存控制器架構(gòu)?

分析閃存控制器的架構(gòu),首先得了解SSD。一般來(lái)說(shuō)SSD的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存(Flash芯片)作為存儲(chǔ)介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。我們通常所說(shuō)的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2019-09-27 07:12:52

使用PE微型調(diào)試在微控制器閃存程序時(shí),無(wú)法在控制器閃存程序怎么解決?

當(dāng)我使用 PE 微型調(diào)試在微控制器閃存程序時(shí),我們?cè)?216 處收到以下錯(cuò)誤 ieruntime 錯(cuò)誤并且 GDB 已終止,因此我們無(wú)法在控制器閃存程序。請(qǐng)解決問題
2023-04-17 06:03:53

可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品的全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品

,優(yōu)化了控制器,這些產(chǎn)品還提供更快的讀/寫速度。讀取速度提高約8%,而寫入速度提高將近20%。 市場(chǎng)對(duì)于能夠支持智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用的NAND閃存的需求繼續(xù)增長(zhǎng)。帶控制器的嵌入式內(nèi)存尤其供不應(yīng)求,因?yàn)?/div>
2018-09-13 14:36:33

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

時(shí)間回到2018年第一季度,三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤(rùn)率是40%,但是第一季度過后NAND價(jià)格就開始暴降,據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50%,而根據(jù)分析師表示,未來(lái)每年
2021-07-13 06:38:27

如何為nand閃存創(chuàng)建自己的外部加載

大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載(我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載)。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接來(lái)構(gòu)建 .stldr?我走對(duì)路了嗎?
2022-12-20 07:17:39

如何采用Virtex 4的SLC NAND閃存

放到PLB上的解決方案。 Micron為NAND控制器提供VHDL內(nèi)核,我們可能會(huì)最終使用它,但只是想看看之前是否有人這樣做過。謝謝
2020-06-17 09:54:32

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存取代NAND閃存的可能性分析

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08

SK海力士開發(fā)出238層NAND閃存芯片

閃存NAND海力士NAND閃存SK海力士行業(yè)芯事時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2022-08-03 11:11:04

NOR和NAND閃存技術(shù)

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年
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2010-03-24 16:34:358226

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2011-12-15 17:11:3151

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2012-05-03 09:25:32709

固態(tài)硬盤趨旺 閃存控制器市場(chǎng)2011年破10億美元大關(guān)

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2012-05-04 08:52:28548

趨勢(shì):NAND閃存市場(chǎng)走旺 SSD廠商處于劣勢(shì)

據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào),盡管超級(jí)本領(lǐng)域使用的固態(tài)硬盤(SSD)不斷增加,但與NAND閃存供應(yīng)商相比,專門生產(chǎn)快速SSD的廠商卻處于劣勢(shì)。NADN閃存供應(yīng)商擁有廣闊的市場(chǎng)以及令
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2017-01-10 11:28:23599

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NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì)解析

工作原理 S3C2410開發(fā)板的NAND閃存NAND閃存控制器(集成在S3C2410 CPU中)和NAND閃存芯片(K9F1208U0A)兩大部分組成。
2017-10-29 11:29:272

Q3季度NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑,2020年NAND市場(chǎng)或?qū)⑦M(jìn)行大洗牌

今年Q1季度到Q2季度以來(lái),NAND閃存價(jià)格一直在下滑,市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了,本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升,藉此提振下NAND價(jià)格,不過現(xiàn)在來(lái)看這些廠商想的太樂觀了,Q3季度NAND閃存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下滑,這種情況持續(xù)下去,不排除2020年NAND市場(chǎng)大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681

下半年閃存芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)潛力疲軟:SSD價(jià)格或?qū)⒗^續(xù)持續(xù)下滑趨勢(shì)

TrendForce旗下專注存儲(chǔ)業(yè)追蹤和調(diào)研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發(fā)布的最新閃存市場(chǎng)分析報(bào)告,稱2018下半年,NAND Flash閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)潛力疲軟。由于64層/72
2018-06-28 10:19:00895

探析NAND閃存控制器到底有多重要

),也得以進(jìn)軍工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。閃存控制器在這些系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用,能夠提供主機(jī)和閃存設(shè)備之間的物理接口,也可以高效地利用閃存來(lái)實(shí)現(xiàn)所需的可靠性和性能。
2018-06-09 18:30:002691

閃存儲(chǔ)器控制器選擇技巧

現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255

如何從NAND閃存啟動(dòng)達(dá)芬奇EVM

 DVEVM可以啟動(dòng)或(默認(rèn)),與非門,或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)(UART)。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)軟件讓它訪問;然而,由于它的價(jià)格低,速度快,壽命長(zhǎng),許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存
2018-04-18 15:06:579

NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)走低的原因:NAND組件過于求了

2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后,NAND閃存(flash)市場(chǎng)在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示,去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過于求了,從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063572

使用基于其Arria 10 SoC的存儲(chǔ)參考設(shè)計(jì),NAND閃存的使用壽命將加倍

了一片Arria 10 SoC和集成雙核ARM Cortex-A9處理器,同時(shí)采用了Mobiveil的固態(tài)硬盤(SSD)控制器,以及NVMdurance的NAND優(yōu)化軟件。這一參考設(shè)計(jì)提高了NAND應(yīng)用的性能和靈活性,同時(shí)延長(zhǎng)了數(shù)據(jù)中心設(shè)備的使用壽命,從而降低了NAND陣列的成本。
2018-08-24 16:47:00605

NAND閃存中啟動(dòng)U

NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485

關(guān)于不同NAND閃存的種類對(duì)比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧⊿LC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:241684

你知道NAND閃存的種類和對(duì)比?

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:345462

IDC對(duì)NAND閃存價(jià)格的最新預(yù)測(cè)

NAND的平均售價(jià)(美元/ GB)會(huì)降低54%,而下半年同比下降45%。 市場(chǎng)供應(yīng)和需求是影響客戶支付閃存存儲(chǔ)價(jià)格的兩個(gè)主要因素,需求增加會(huì)推動(dòng)價(jià)格上漲,促使供應(yīng)商增加產(chǎn)量。如果供過于求,則可能會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)量過剩以及價(jià)格下跌。 NAND 閃存產(chǎn)品平均售價(jià)年度變化(最右側(cè)年度價(jià)格變化
2019-03-20 15:09:01282

IDC調(diào)整對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)

IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26582

SM3267超高速USB 3.0閃存驅(qū)動(dòng)器控制器的詳細(xì)介紹

SM3267是一個(gè)USB 3.0單通道閃存驅(qū)動(dòng)器控制器,為SLC、MLC、TLC和高速切換和ONFI DDR NAND提供高性能和高兼容性。對(duì)于USB 3.0閃存磁盤應(yīng)用程序,此控制器支持多達(dá)4個(gè)NAND閃存設(shè)備的高容量。
2019-05-13 08:00:0029

NAND閃存連跌6個(gè)季度 上游廠商認(rèn)為5月會(huì)回暖

2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià),迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630

NAND閃存介紹及NAND閃存的優(yōu)缺點(diǎn)

NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣,默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過使用專用控制器來(lái)處理。另一方面,DRAM被認(rèn)為是“非常”可靠的。服務(wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)(并且可能是校正)電路,但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805

全球NAND閃存市場(chǎng)聞風(fēng)而動(dòng) 韓國(guó)對(duì)日制裁產(chǎn)生了一系列的影響

從去年初以來(lái),全球NAND Flash閃存市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度,導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑,多家廠商還削減了產(chǎn)能,其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10
2019-11-14 15:58:53502

5G通信引領(lǐng),DRAM和NAND閃存市場(chǎng)需求將增加

據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè),基于固態(tài)硬盤(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463156

如何在基于NAND閃存系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率

任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器
2020-01-22 09:46:00634

三星鎧俠率先擴(kuò)產(chǎn),NAND閃存市場(chǎng)要變天?

的投資額就達(dá)8萬(wàn)億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場(chǎng)的不確定性大增。然而,三星電子過往多選擇在景氣低迷時(shí)大舉投資,以此增強(qiáng)其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn),或?qū)?dòng)其他NAND閃存廠商的跟進(jìn),再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162

解析NAND閃存和NOR閃存

無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講,NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751

NAND閃存類型機(jī)選擇技巧

通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng),今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

SK海力士收購(gòu)NAND閃存業(yè)務(wù)的意義

近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

全球NAND Flash三季度閃存市場(chǎng)情況曝光

日前,TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)的主要情況。
2020-11-27 09:00:131799

NAND閃存營(yíng)收達(dá)398.01億元,創(chuàng)下歷史新高

由于成本上的優(yōu)勢(shì),目前市場(chǎng)上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC,MLC都很罕見了,SLC閃存更是鳳毛麟角,消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400

三星在NAND閃存市場(chǎng)將面臨哪些挑戰(zhàn)?

眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:372217

NAND閃存類型,如何選擇SLC/MLC和TLCSSD

NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918

基于Cortex?-M的MCU上的EBI的NAND閃存接口

本文檔重點(diǎn)介紹 NAND 閃存與使用靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器(Static Memory Controller,SMC)的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:5510

簡(jiǎn)述NAND閃存的寫入限制與發(fā)展

寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么?
2021-04-01 17:50:562894

EE-344:在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器

EE-344:在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器
2021-04-13 08:02:427

在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344

在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088

Arasan推出NAND閃存全I(xiàn)P解決方案

NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299

NAND 閃存概述

NAND 閃存內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET(金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體管), 與普通場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同之處在于,在柵極(控制柵)與漏極/源極之間存在浮置柵,利用該浮置柵存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:231

NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

NAND 閃存滿足內(nèi)存控制器要求

內(nèi)存控制器的未來(lái)與它們控制的內(nèi)存有著不可逆轉(zhuǎn)的聯(lián)系。同樣,它們受摩爾定律的約束。雖然存儲(chǔ)類存儲(chǔ)器 (SCM) 可能會(huì)因新架構(gòu)而獲得關(guān)注,但存儲(chǔ)器控制器市場(chǎng)仍然很大程度上受 NAND 閃存的支配
2022-07-20 10:35:27694

存儲(chǔ)背后的大腦:NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的?

存儲(chǔ)背后的大腦:NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的? ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常 , 當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí) , 只會(huì)談?wù)?NAND 閃存 , 而忽略了控制器這一獨(dú)立
2022-09-05 14:42:551452

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個(gè)限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊將變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢(shì)

圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí),他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨(dú)的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡(jiǎn)單地說(shuō),沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

NAND閃存應(yīng)用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

Yole:NAND閃存控制器市場(chǎng)趨勢(shì)

一、NAND閃存市場(chǎng)分析 據(jù)歐洲知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的報(bào)告顯示,2020年起,NAND閃存市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)保持穩(wěn)定增長(zhǎng),2021年,NAND閃存市場(chǎng)份額達(dá)到了近670億美元(見圖1),同年
2022-12-26 18:13:09991

閃存控制器市場(chǎng)及不同接口的SSD出貨量分析

閃存控制器對(duì)終端應(yīng)用系統(tǒng)來(lái)說(shuō)非常重要,主要涉及SSD,智能手機(jī),和可移動(dòng)存儲(chǔ),以及如工業(yè)、汽車等其它市場(chǎng)
2023-01-16 10:25:081181

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983

淺談閃存控制器架構(gòu)

分析閃存控制器的架構(gòu),首先得了解SSD。一般來(lái)說(shuō)SSD的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存(Flash芯片)作為存儲(chǔ)介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。我們通常所說(shuō)的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09496

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個(gè)季度漲價(jià)20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng),穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214

2023可穿戴設(shè)備行業(yè)技術(shù)與市場(chǎng)分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2023可穿戴設(shè)備行業(yè)技術(shù)與市場(chǎng)分析.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-11 11:19:2610

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