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電子發燒友網>存儲技術>簡單認識雙倍速率同步動態隨機存取存儲器

簡單認識雙倍速率同步動態隨機存取存儲器

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2022-06-08 14:20:001

隨機存取存儲器VDSR16M32xS64xx4C12用戶手冊

VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造,可堆疊四層采用CMOS工藝(6晶體管存儲單元)的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數據接口的獨立塊。
2022-06-08 14:18:520

隨機存取存儲器VDSR8M16xS54xx2C12用戶手冊

VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產品。靜態隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581

隨機存取存儲器VDSR4M08xS44xx1C12用戶手冊

VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術制造,由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數據接口。可以選擇塊單獨配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382

隨機存取存儲器VDMR8M32xS68xx8V35用戶手冊

VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術,該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨立模具組成8比特寬的數據接口。
2022-06-08 10:25:441

隨機存取存儲器VDMR4M08xS44xx4V35用戶手冊

VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術,該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨立模具組成8位寬的數據接口。
2022-06-08 10:20:131

隨機存取存儲器VDMR4M08xS44xx1V35用戶手冊

VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為512K x 8bit寬數據接口的一個獨立模塊。
2022-06-07 16:04:271

隨機存取存儲器VDMR2M16xS54xx2V35用戶手冊

VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為一個128K x 16位寬數據接口的獨立模塊。
2022-06-08 10:18:481

納秒級讀寫時間和擦除/寫入的高性能存儲器

基于原子級銳利界面的范德瓦爾斯異質結超快浮柵存儲器具有和動態隨機存取存儲器(10 ns)相當的編程速度,同時具備非易失、大容量的存儲特性。
2022-06-10 16:15:101522

W9825G6KH高速同步動態隨機存取存儲器英文手冊

W9825G6KH是一種高速同步動態隨機存取存儲器(SDRAM),由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達每秒200兆字的數據帶寬。為了完全符合個人計算機行業標準,W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060

DDR5與DDR4區別

第五代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器(英語:double data rate fifth-generation synchronous dynamic random-access memory,縮寫DDR5 SDRAM)是一種正在開發的高帶寬電腦存儲器規格。它屬于SDRAM家族的存儲器產品。
2022-11-14 09:07:063729

易失性存儲器(VM)

在過去幾十年內,易失性存儲器沒有特別大的變化,主要分為DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫,RAM通常是作為操作系統或其他正在運行程序的臨時存儲介質(可稱作系統內存)。
2022-11-29 15:56:463115

相變隨機存取存儲器(PCRAM)制造工藝

相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699

動態隨機存儲器集成工藝(DRAM)詳解

在當前計算密集的高性能系統中,動態隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:575004

淺析動態隨機存儲器DRAM集成工藝

在當前計算密集的高性能系統中,動態隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器
2023-02-08 10:14:39547

DDR的拓撲結構有哪些

是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態
2023-03-07 13:49:18830

隨機存取存儲器的誕生

無論是在網飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數碼照片,你的電腦都會定期進入內存獲取指令。沒有隨機存取存儲器(RAM),今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317

DDR容量計算方法

全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,中文名為:雙倍速率同步動態隨機存儲器同步是指需要時鐘。
2023-06-23 17:57:002217

回顧易失性存儲器發展史

,非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數據仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態。主要分為兩種類型:靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年,Fairchild發明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28878

動態隨機存取存儲器(DRAM)的相關知識

本文將介紹芯片設計中動態隨機存取存儲器(DRAM)的相關知識,包括其工作原理、分類以及在現代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:34819

半導體存儲器的介紹與分類

存儲內容會丟失的存儲器稱作易失存儲器(Volatile Memory),存儲內容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器(Non-Volatile Memory)。 半導體存儲器分類 1、按功能分為 (1)隨機存取存儲器(RAM)特點:包括DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨
2023-11-15 10:20:01734

簡單認識靜態隨機存取存儲器

,VM)兩大類。例如,人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory,簡稱 Flash)就屬于 NVM,靜態隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory, SRAM)和動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413

簡單認識動態隨機存取存儲器

20世紀70 年代到 90年代中期,動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ,DRAM) 采用的是異步接口,這樣它可以隨時響應控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27382

低功耗雙倍速率同步動態隨機存取存儲器介紹

低功耗雙倍速率同步動態隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257

存儲芯片部分型號漲幅達50%

存儲芯片的市場表現來看,兩大類別DRAM(動態隨機存取存儲器)與NAND Flash(閃存存儲器)目前的價格較今年谷底都出現了上漲。
2023-12-19 15:19:32136

英飛凌推出新型抗輻射異步靜態隨機存取存儲器

英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布,擴展其集成嵌入式糾錯碼(ECC)的抗輻射異步靜態隨機存取存儲器(RAM)產品線。這款新產品的設計初衷是為了滿足航空和其他極端環境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39359

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