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電子發燒友網>存儲技術>DRAM、NAND閃存漲價意愿非常強烈

DRAM、NAND閃存漲價意愿非常強烈

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2022-06-14 15:21:152100

NAND閃存的應用中的磨損均衡

NAND閃存的應用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存控制器有什么優勢

圍繞基于NAND閃存的存儲系統的對話已經變得混亂。通常,當人們討論存儲時,他們只談論NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

NAND閃存應用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

3D-NAND 閃存探索將超過300層

全行業正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝,這與學術論文提出和內存行業研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324

NAND閃存特點及決定因素

內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND閃存的頁就類似硬盤的扇區,硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001983

各家3D NAND技術大比拼 被壟斷的NAND閃存技術

隨著密度和成本的飛速進步,數字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領域并非如此,與半導體行業的其他產品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

2Q23 NAND Flash/DRAM市場營收排名出爐

不同于一季度的疲軟,可以看到在 二季度存儲市場明顯有所回暖,打破自2022年二季度以來的連續下滑,重新恢復增長。 據CFM閃存市場分析, 2023年二季度全球NAND Flash市場規模環比增
2023-09-05 16:13:32317

DRAM芯片價格有望隨NAND溫和上漲

據消息人士透露,nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈,到目前為止已經上漲了10%以上。他表示:“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業正在密切關注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50503

三星將削減NANDDRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產基地之一。據報道,三星原計劃將p3工廠的生產能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762

第四季度DRAMNAND全面漲價,成本上漲約30%

從2024年第四季度開始,DRAMNAND閃存的價格將全面上漲,這已經導致國內存儲器下游企業的閃存采購成本上漲了近20%,而內存采購成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793

三星計劃NAND閃存芯片每個季度漲價20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉整個閃存市場,穩定NAND閃存價格,并實現明年上半年逆轉市場等目標。
2023-11-03 17:21:111214

三星與SK海力士DRAM繼續漲價

筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價,10 月也較9 月上漲11.5%,到每單位33 美元。智能手機DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預計第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:09959

dramnand的區別

dramnand的區別? DRAMNAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機存取存儲器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921

三星與美光擬提DRAM價格,以求盈利回暖

部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預計后者將會持續上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:21550

DRAM漲價啟動!Q1漲幅高達20%

有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價,但預計NAND價格將繼續上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%,大幅提升DRAM價格,但低于當月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

減產有成效,Q4三星NAND Flash要漲價10%,加速存儲市場反彈

NAND閃存以及DRAM減產。 ? 在今年第一季度財報中,半導體業務暴虧4.58萬億韓元(約合249億元人民幣)后,三星改變了此前“不減產”的承諾,表示將調整存儲芯片產量。經過半年多的減產等調控措施,從近期包括三星在內的多家存儲大廠的動作來看,存
2023-10-08 09:01:372446

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