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電子發燒友網>存儲技術>3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

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jf_75936199發布于 2023-01-21 21:17:25

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的平面閃存,3D存儲器的關鍵技術是薄膜和刻蝕工藝,技術工藝差別較大,而且相對2D NAND來說,國際大廠在3D存儲器布局方面走得并不遠。
2018-06-20 17:17:494303

干法刻蝕工藝介紹

刻蝕室半導體IC制造中的至關重要的一道工藝,一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種,干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區別是各向異性,更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟
2022-06-13 14:43:316

詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)

存儲單元中,電荷的存儲層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。三維CTL垂直溝道NAND 閃存(3D NAND 或 V-NAND)基于無結型 (Junctionless, JL)薄膜場效應晶體管(TFT),具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:578266

干法刻蝕工藝介紹 硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH),即多次交替循環刻蝕和淀積工藝刻蝕工藝使用的是SF6氣體,淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463215

北方華創公開“刻蝕方法和半導體工藝設備”相關專利

該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應的半導體工藝設備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟
2023-12-06 11:58:16370

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