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電子發燒友網>存儲技術>長江存儲QLC閃存壽命實現重大突破

長江存儲QLC閃存壽命實現重大突破

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閃存真的要降價了 東芝成功研發世界首款4比特3D QLC閃存 大容量硬盤將更便宜

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東芝發布全球首個QLC閃存壽命將與TLC閃存旗鼓相當

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長江存儲喜迎第一臺EUV極紫外光刻機:國產SSD固態硬盤將迎來重大突破

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長江存儲發布突破性技術,將大大提升3D NAND的性能

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新一代立體堆疊閃存方案有什么優勢?美光,SK海力士,長江存儲等都在使用

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QLC閃亮登場,與其他閃存的區別是什么?

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云從科技在語音識別技術上取得重大突破

10 月 29 日,云從科技宣布在語音識別技術上取得重大突破,該技術在全球最大的開源語音識別數據集 Librispeech 上刷新了世界紀錄,錯詞率低至 2.97%,指標提升了 25%,超過微軟、谷歌、阿里、約翰霍普金斯大學等企業及高校 。
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漢能砷化鎵(GaAs)技術再獲重大突破

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QLC閃存就要來了!何為QLC

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長江存儲的新技術宣布著國產第三代閃存的到來

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明年長江存儲實現加大3D閃存芯片產能

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4月13日,長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存(型號:X2-6070)研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。作為業內首款128層QLC規格
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據中國臺灣媒體報道稱,臺積電(TSMC) 在實現2nm工藝方面取得了重大突破,該工藝可以生產數十億個晶體管,可能會突破摩爾定律放慢的局限。
2020-11-24 16:54:061148

英睿達X8便攜式SSD評測:極速QLC顆粒

在固態硬盤領域,一直有QLC和TLC顆粒之爭,無非就是讀寫性能和壽命,對QLC顆粒產品不信任。但是一個不爭的事實是,包括英睿達等頂級存儲廠商均不斷推出搭載了QLC顆粒的大容量存儲,尤其是英睿達今年
2020-12-02 10:41:201888

IBM已解決QLC閃存壽命問題,實現1.6萬次擦寫

得益于容量大、價格低的優勢,如今越來越多的SSD硬盤轉向QLC閃存,大家擔心的主要是QLC閃存壽命,具體來說就是P/E擦寫次數,通常在1000次左右,而IBM現在解決了QLC壽命問題,做到了史無前例的16000次擦寫壽命壽命比SLC還強。
2020-12-08 09:40:034117

奧來德在封裝材料方面取得重大突破

日前,記者獲悉,吉林奧來德光電材料股份有限公司在封裝材料方面取得重大突破,產品綜合性能已經達到國外同等水平,其中部分物理性能和穩定性表現突出,在水、氧阻隔方面具有良好的表現。
2020-12-21 11:44:33981

長江存儲最快在2021年中旬試產首批192層閃存,國產閃存產能年底可占全球7%

2019年長江存儲國產的64層閃存開始量產之后,2020年他們又帶來了128層閃存,2021年則會帶來192層閃存。 日經新聞亞洲版報道稱,中國閃存廠商長江存儲正在加速擴張閃存產能,計劃在2021
2021-01-12 14:37:426615

長江存儲閃存產能翻倍?謠言!

昨天日經新聞亞洲版報道稱,長江存儲2021年的產能將翻倍,達到10萬片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產,不過長江存儲今天否認相關內容。
2021-01-14 10:21:382084

長江存儲計劃今年將產量提高一倍

此前4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。這標志著國內3D NAND領域正式進入國際先進水平。
2021-01-17 10:19:202855

盤點2020年存儲行業十大事件

2020年4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發成功,這也是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存。同年8月14日,長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362106

Intel披露QLC閃存進展,壽命絕口不提

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發展下來,容量密度越來越高,成本越來越低,性能和壽命卻越來越渣,不得不依靠各種技術以及主控優化來輔助,但依然不容樂觀。
2021-02-22 09:26:421488

Intel披露QLC閃存新進展 不提壽命

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發展下來,容量密度越來越高,成本越來越低,性能和壽命卻越來越渣,不得不依靠各種技術以及主控優化來輔助,但依然不容樂觀。 TLC依然是目前市場
2021-02-22 09:53:271543

QLC閃存144層QLC技術細節曝光

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發展下來,容量密度越來越高,成本越來越低,性能和壽命卻越來越渣,不得不依靠各種技術以及主控優化來輔助,但依然不容樂觀。
2021-02-22 10:00:493054

IBM和三星在半導體設計方面取得重大突破

在2021 IEEE國際電子器件會議(IEDM)上,IBM和三星聯合宣布,他們在半導體設計方面取得一項重大突破
2022-03-16 09:56:02343

長江存儲推出UC023閃存芯片 專為5G時代打造

  昨日消息,國內專注于3D NAND閃存存儲器解決方案的半導體集成電路企業長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521840

蘋果欲與長江存儲合作來降低NAND閃存的價格

蘋果公司將長江存儲(YTMC)納入供應商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過使供應商多樣化來降低NAND閃存的價格。
2022-09-08 11:55:23543

分區存儲助力QLC應用到嵌入式存儲設備

部署QLC存儲設備。 QLC可以給存儲設備帶來更低的成本,作為消費級產品的嵌入式存儲設備,未來引入QLC也是勢在必行。 但和當前主流TLC相比,QLC在性能和壽命上都相差很大,從下面某原廠TLC和QLC在性能和壽命方面的一個對比可見一斑。 ( Table 1:某原廠TLC和
2023-02-14 15:05:05363

對比韓企存儲技術,長江存儲發展如何

據外媒報道,長江存儲去年7月生產了232層3D NAND閃存樣機,同年11月開始投入量產。
2023-02-28 10:51:251673

QLC閃存 D5-P5430的基本規格、性能表現

SK海力士收購Intel NAND閃存業務重組而來的Solidigm,就發布了一款QLC閃存的企業級產品P5-D5430,可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43504

分區存儲助力QLC應用到嵌入式存儲設備

QLC存儲設備。QLC可以給存儲設備帶來更低的成本,作為消費級產品的嵌入式存儲設備,未來引入QLC也是勢在必行。但和當前主流TLC相比,QLC在性能和壽命上都相差
2023-02-22 14:12:23376

拐彎突破美國禁令!長江存儲神秘閃存曝光

長江存儲已經將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達2400MT/s,妥妥的世界第一,結果被美國一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311266

華為芯片迎重大突破

華為芯片迎重大突破:目前華為的麒麟系列芯片已經成為世界上最強大的移動芯片之一,被廣泛應用于華為自家的旗艦手機以及平板電腦等設備上。 華為一直是全球領先的芯片設計和制造企業之一,近年來通過自主研發
2023-09-06 11:14:563405

長江存儲232層閃存揭秘

長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類型中都無出其右者。
2023-11-02 11:11:46902

起訴美光!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創新。
2023-11-13 15:47:51301

長江存儲起訴美光!

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論:長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:04540

8項專利被侵權!美光與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與美光芯片戰升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。
2023-11-13 17:24:51554

我國在光存儲領域獲重大突破 或將開啟綠色海量光子存儲新紀元

”;這是我國在光存儲領域獲重大突破。有助于解決大容量和節能的存儲技術難題。 利用國際首創的雙光束調控聚集誘導發光超分辨光存儲技術,實驗上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制,實現了點尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:451361

長江存儲QLC閃存已完成4000次P / E擦寫,采用第三代Xtacking技術

值得注意的是,長江存儲首席技術官(CTO)霍宗亮指出,NAND閃存行業已經在飽受煎熬的2023年逐步復蘇,并有望在2023~2027年間實現21%的復合增長率以及20%的累計設備平均容量增長。
2024-03-28 13:57:5787

零的突破!中國閃存芯片正式步入國際主流水平

電子發燒友網報道長江存儲4月13日重磅發布兩款128層3D NAND產品引起業界高度關注,其中128層QLC產品為目前業內發布的首款單顆Die容量達1.33Tb的NAND閃存,容量、性能均優于主要
2020-04-14 09:17:335021

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團帶來了大量產品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144032

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