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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>西數(shù)今年將試產(chǎn)64層堆棧512Gb TLC閃存

西數(shù)今年將試產(chǎn)64層堆棧512Gb TLC閃存

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東芝全球首發(fā)64層3D TLC閃存SSD:容量輕松達到30TB

盡管不少用戶對TLC的壽命和穩(wěn)定性都保持謹(jǐn)慎的態(tài)度,但東芝將TLC應(yīng)用到企業(yè)級,卻也表達了東芝對TLC的信心。繼主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、單芯片的BG3之后,就在近日,東芝再將64層堆疊設(shè)計的3D TLC閃存帶到了企業(yè)級領(lǐng)域,而這也是全球首次。
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三星首款512GB嵌入式UFS閃存量產(chǎn),可6秒下載5GB的高清電影

三星512GB UFS閃存開始量產(chǎn),它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫入速度,它的存在必將滅亡手機存儲卡。
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iPhone將擴容512GB儲存容量,中國廠商搶先改裝升級iPhone SE容量

蘋果之前向外宣布明年的新iPhone將會進行擴容到512GB儲存容量,不久后就有網(wǎng)友爆出中國廠商已經(jīng)率先為iPhone加512GB存儲,搶先蘋果官方一步,還表明升級512GB 容量并不太復(fù)雜。
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關(guān)于TLC的定義以及TLC閃存顆粒的缺點詳解

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Plextor推出 M8V系列固態(tài)硬盤 高達560MB/s的連續(xù)讀取性能

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三星512GB嵌入式通用閃存量產(chǎn),采用64512Gb V-NAND電路設(shè)計和電源管理技術(shù)

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三星512GB存儲卡可以買部小米8

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真.國產(chǎn)SSD硬盤來了:紫光64層3D TLC閃存,1500次P/E

日前有消息稱紫光純國產(chǎn)的SSD硬盤就要上市了,使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64堆棧3D TLC閃存,P/E次數(shù)可達1500次,這個技術(shù)及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
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2019-05-09 11:25:2623082

長江存儲將推出Xtacking2.0閃存技術(shù) 與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)

目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,但對市場影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會積極擴張。
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基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
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三星Galaxy A50即將上市售價350美元最大支持512GB內(nèi)存擴容

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閃迪ExtremePro增加2TB型號 持續(xù)讀寫速度最高3.4GB/s

今年早些時候,西部數(shù)據(jù)發(fā)布了WD Black SN750、閃迪Extreme Pro M.2 NVMe 3D兩個系列的新品SSD,都基于西數(shù)自研主控、64層3D TLC閃存顆粒,元器件、性能、軟件
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三星Galaxy Note 10將會運行安卓10.0系統(tǒng)擁有512GB和256GB版本

據(jù)外媒報道稱,三星歐洲等官網(wǎng)上都已經(jīng)出現(xiàn)了Note 10的細節(jié),不過雖然不多,但是還是能看出一些端倪,比如Note 10+將會運行安卓10.0系統(tǒng),并且頂配是512GB版本,當(dāng)然也有256GB版本
2019-07-30 10:39:477818

三星發(fā)布了Galaxy Book S筆記本搭載驍龍855平臺最高支持512GB存儲

Galaxy Book S提供了13.3英寸的全高清觸控屏,采用8GB LPDDR4X內(nèi)存,最高512GB機身存儲,最多支持1TB的micro SD卡。這款筆記本電腦的電池42Wh,三星稱視頻播放時間長達23小時,這表明充滿電就能用一整天。該筆記本電腦還支持QC 2.0和PD 2.0快充。
2019-08-09 08:46:551150

5G超級SIM卡將自帶128GB的存儲容量

5G超級SIM卡有SIM卡有完整通訊功能的同時,它也是一張超大容量的存儲卡。目前有32GB64GB和128GB三個版本,未來還將推出512GB和1TB版本。
2019-08-26 16:50:123312

中國首款64層3DNAND閃存即將亮相 將推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展

2019年9月2日,紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D
2019-09-02 16:27:503468

長江存儲成功研發(fā)國產(chǎn)高性能第三代閃存

紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64堆棧的3D閃存,基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb
2019-09-06 16:26:451585

RedmiK20Pro尊享版將搭載512GB超大存儲空間

9月19日晚上20點,Redmi最強旗艦K20 Pro尊享版將正式發(fā)布,官方最新預(yù)熱海報顯示,新機將搭載512GB超大存儲空間。
2019-09-18 11:48:314971

中國首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會有什么市場影響

紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-19 11:10:09682

中國量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會帶來什么影響

紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-23 17:05:241028

長江存儲的新技術(shù)宣布著國產(chǎn)第三代閃存的到來

紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64堆棧的3D閃存,基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb
2019-10-02 14:38:001495

中國首款64層的3DNAND閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)

紫光集團旗下長江存儲正式宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181357

長江存儲投產(chǎn)64堆棧3D閃存 將在年底提高產(chǎn)能到6萬片

今年一季度,紫光旗下的長江存儲(YMTC)開始投產(chǎn) 64堆棧 3D 閃存,容量 256GbTLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:33824

明年長江存儲將實現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國產(chǎn)存儲芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲芯片市場上,終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。據(jù)報道,今年一季度,紫光旗下的長江存儲(YMTC)開始投產(chǎn) 64堆棧 3D 閃存,容量 256GbTLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243065

SK海力士開始出貨128層4D閃存 把重點市場轉(zhuǎn)向了5G手機

2019年智能手機的閃存容量進一步提升,中高端手機基本上是128GB起步,高端會上512GB,個別產(chǎn)品頂配直接上1TB容量了。按照這個趨勢下去,明年1TB容量的手機會更多,因為SK海力士現(xiàn)在已經(jīng)開始出貨1TB UFS 3.1閃存給手機廠商,堆棧層數(shù)達到了128層。
2019-11-21 08:53:08482

西數(shù)認(rèn)為QLC閃存雖然已經(jīng)不斷量產(chǎn) 但市場要到1XX層時才爆發(fā)

如同HDD硬盤中的SMR技術(shù)一樣,QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢,究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差,但是現(xiàn)在的價格還沒有達到預(yù)期。對廠商來說,六大原廠今年都量產(chǎn)了QLC閃存,不過西數(shù)認(rèn)為QLC閃存要到1XX層時才會爆發(fā)。
2019-12-10 09:42:15810

為什么512GB硬盤實際容量只有480GB

為什么買了512GB的硬盤到手只有480GB
2019-12-17 09:55:3515894

512GB硬盤到手后容量縮水?原因是這個

為什么買了512GB的硬盤到手只有480GB
2019-12-17 09:59:535930

閃存市場來說 最大的變數(shù)是國產(chǎn)的YMTC長江存儲

在CES展會上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中,這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的,預(yù)計三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進100多層的閃存
2020-01-08 08:41:5210832

SK海力士128層堆棧的4D閃存量產(chǎn),國產(chǎn)閃存的差距縮小

在CES展會上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中,這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的,預(yù)計三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進100多層的閃存
2020-01-08 08:47:302953

2020年NAND閃存發(fā)展趨勢如何

在CES展會上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中,這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的,預(yù)計三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進100多層的閃存
2020-01-08 10:34:135022

3D閃存技術(shù)更迭速度快 技術(shù)差距不斷縮小

在CES展會上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中,這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的,預(yù)計三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進100多層的閃存
2020-01-10 14:23:27640

西數(shù)發(fā)布BiCS5閃存技術(shù) 目前最先進、密度最高的3D NAND閃存

西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5,這是西數(shù)與鎧俠(原來的東芝存儲)聯(lián)合開發(fā)的,在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧
2020-02-06 15:13:362209

三星電子宣布開始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存 相較上一代寫速提升200%

今日,三星電子宣布已開始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存,可用于手機、平板等。
2020-03-17 11:45:262147

三星量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片,寫入速度是SATA硬盤的兩倍以上

三星今日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片,其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s,是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143065

三星將大規(guī)模量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片

3月18日消息,據(jù)國外媒體報道,三星電子日前公告稱,該公司開始大規(guī)模量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片,適用于旗艦智能手機。
2020-03-18 17:01:052534

三星宣布大規(guī)模投產(chǎn)512GB的eUFS 3.1儲存芯片 讀寫速度較上一代更快

智能手機的運算能力越來越高,下載速度也越來越快,儲存芯片的讀寫速度亦需要配合,才能發(fā)揮每個環(huán)節(jié)的最高效能。日前三星(Samsung)就宣布開始大規(guī)模投產(chǎn)512GB的eUFS 3.1儲存芯片,它的特點就是其讀寫速度較上一代更快。
2020-03-21 10:06:272417

長江存儲首發(fā)128層QLC閃存

長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號:X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層容量達512Gb的4D閃存

存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā),TLC顆粒,容量達512Gb64GB)。 ? 據(jù),SK海力士透露,該閃存單元架構(gòu)為CTF(電荷捕獲),同時集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:321072

iPhone 12系列,在2021年將消耗全球閃存芯片產(chǎn)能的6%

今年的iPhone 12系列總計有64GB、128GB、256GB512GB四種容量,從國內(nèi)外的情況來看,盡管首波僅上市了兩款,可銷量著實恐怖。
2020-11-05 09:32:351172

QLC閃存TLC閃存是什么?QLC閃存TLC閃存有何區(qū)別?

閃存是最常用器件之一,在諸如SSD等存儲設(shè)備中均存在閃存。但是,大家對閃存真的足夠了解嗎?為增進大家對閃存的了解和認(rèn)識,本文將對QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對閃存具有興趣,不妨
2020-11-06 17:38:5882922

U盤之父朗科發(fā)力SSD硬盤:國產(chǎn)64TLC閃存

SSD硬盤,之前他們也有一些移動硬盤之類的產(chǎn)品,但不是重點,現(xiàn)在SSD硬盤會是發(fā)力的關(guān)鍵了,今年9月份宣布了全新的朗系列SSD硬盤,目前已經(jīng)上市。 朗系列SSD是2.5寸SATA規(guī)格的,但是閃存及主控全是國產(chǎn)的,其中閃存是長江存儲的3D閃存64堆棧、TL
2020-11-13 14:54:242084

被美光搶先推出176層閃存 三星回應(yīng)技術(shù)延誤

加而成,第一批為TLC顆粒,單個Die的容量為512Gb64GB),當(dāng)然后期很可能會加入QLC。 更重要的是,美光不只是宣布了新技術(shù),而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了,已經(jīng)用于一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD,明年還會發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上,美光
2020-11-14 10:01:201797

SSD 256GB512GB有什么區(qū)別,廠商為什么要隱瞞部分SSD容量呢?

512GB,那么這兩種情況下SSD有什么區(qū)別,廠商為什么要隱瞞部分SSD容量呢? 針對這個現(xiàn)象,長江存儲旗下的致鈦科技今天繼續(xù)科普SSD硬盤,這次就談到了SSD足容的問題。 首先,閃存顆粒在設(shè)計的時候都是以2的冪次方來設(shè)計的,比方說256GB512GB等,所以依托于閃存顆粒進行
2020-12-01 16:24:369782

SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā),容量512Gb64GB),TLC

繼美光后,SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā),容量512Gb64GB),TLC。 SK海力士透露,閃存單元架構(gòu)為CTF(電荷捕獲),同時集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:271552

SK海力士發(fā)布多堆棧176層4D閃存,采用TLC

繼美光后,SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā),容量512Gb64GB),TLC
2020-12-07 13:44:091666

三星電子正在研發(fā)第七代V-NAND,預(yù)計明年批量生產(chǎn)

12月7日,韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示,近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元(TLC)的176層512Gb(千兆位)NAND閃存
2020-12-08 11:01:411697

2021 QLC閃存會更普及:性能、可靠性追上TLC閃存,全面邁進100+層

2020年閃存繼續(xù)降價,SSD硬盤也一路下滑,1TB硬盤也成了很多人裝機的選擇。馬上就要到2021年了,業(yè)界預(yù)計明年QLC閃存會更普及,其性能、可靠性等指標(biāo)已經(jīng)追上TLC閃存堆棧層數(shù)也全面邁向
2020-12-25 10:50:251920

預(yù)計明年QLC閃存將會追上TLC閃存,容量輕松翻倍到16TB

2020年閃存繼續(xù)降價,SSD硬盤也一路下滑,1TB硬盤也成了很多人裝機的選擇。馬上就要到2021年了,業(yè)界預(yù)計明年QLC閃存會更普及,其性能、可靠性等指標(biāo)已經(jīng)追上TLC閃存堆棧層數(shù)也全面邁向100+層。
2020-12-25 14:30:331640

鎧俠、西數(shù)推162層3D閃存,性能提升66%

在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃存
2021-02-20 10:40:582012

供應(yīng)鏈消息:iPhone Pro系列的最高存儲容量從512GB翻倍到1TB

據(jù)供應(yīng)鏈消息,今年 iPhone Pro 系列的最高存儲容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20521

28/44引腳16位閃存單片機PIC24FJ64GB004

28/44引腳16位閃存單片機PIC24FJ64GB004免費下載。
2021-05-20 10:40:425

三星開發(fā)出首款512GB內(nèi)存擴展器

今日,作為先進內(nèi)存技術(shù)的廠商,三星宣布開發(fā)出三星首款512GB內(nèi)存擴展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步,CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:081370

Redmi Note 11T Pro 512GB大存儲,性能小金剛

搭載 MediaTek 天璣 8100 5G 移動平臺,兼具澎湃性能與冰封能效;LPDDR5 + 512GB 超大存儲組合,處理速度大幅提升;144Hz 高配 LCD 屏幕,暢享高配護眼視覺
2022-10-27 09:57:184258

三星開始量產(chǎn)車載超低功耗UFS 3.1閃存:最大512GB

三星電子計劃從今年第四季度開始生產(chǎn)128gb和256gb產(chǎn)品,并生產(chǎn)512gb產(chǎn)品。256gb產(chǎn)品的連續(xù)讀取速度為2000兆/秒,連續(xù)寫入速度為700兆/秒。
2023-07-14 11:33:52452

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報價 漲幅為15%

據(jù)《電子時報》報道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:24762

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