隨著存儲(chǔ)行業(yè)快速的技術(shù)迭代，LPDDR4X、UFS2.1等產(chǎn)品紛紛面市，但由于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存 DRAM、NAND Flash 等微縮工藝已逼近極限，素以半導(dǎo)體巨頭皆正大舉發(fā)展次世代內(nèi)存。

英特爾研發(fā)“3D cross point”技術(shù)，擬推相變化內(nèi)存（PRAM）。三星電子不甘示弱，發(fā)布磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM，magnetoresistant random access memory），號(hào)稱讀寫速度比 NAND Flash 快上一千倍。

fudzilla、IBTImes、韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，市場(chǎng)估計(jì)在 5 月 24 日的一場(chǎng)晶圓廠商論壇上，三星將會(huì)發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內(nèi)存，此種次世代存儲(chǔ)器兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是一種通用型存儲(chǔ)器，能夠讓手機(jī)實(shí)現(xiàn)內(nèi)存/閃存二合一。它無須電源也能儲(chǔ)存資料，而且處理速度極快，三星還加入了自旋轉(zhuǎn)矩技術(shù)（STT），可以加大降低功耗。

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三星宣稱，MRAM 是非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，采用自旋傳輸科技（Spin-torque transfer）讀寫數(shù)據(jù)，速度比 NAND 快了一千倍。不僅如此，MRAM 更省電，使用時(shí)（acTIve）耗電量比傳統(tǒng)存儲(chǔ)器少，停用時(shí)（inacTIve）更無需用電。

目前次世代存儲(chǔ)器包括 MRAM、PRAM、ReRAM，其中 MRAM 速度最快，但是量產(chǎn)難度較高。現(xiàn)在三星只能少量生產(chǎn)，但是預(yù)期能盡速克服生產(chǎn)障礙。

全球最大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電亦曾在 4 月 13 日對(duì)外說明，臺(tái)積電絕對(duì)不會(huì)踏入標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存領(lǐng)域，因?yàn)榕_(tái)積電目前已具備“量產(chǎn)”MRAM 及電阻式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 （RRAM） 等新型內(nèi)存的技術(shù)。

三星同時(shí)宣布，歐洲大廠恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）的物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體將采用 MRAM，雙方簽訂晶圓代工協(xié)定，將量產(chǎn) 28 納米的全耗盡型絕緣層上硅（FD-SOI）。

IBTImes 猜測(cè)，倘若三星 MRAM 量產(chǎn)進(jìn)展順利，或許今年下半問世的 Galaxy Note 8 就會(huì)內(nèi)建 MRAM，以便做出市場(chǎng)差異化。MRAM 用于智能手機(jī)可加快處理速度，并更為省電。

外媒phonearena持有不同意見，他們認(rèn)為三星目前無法生產(chǎn)出超過幾兆字節(jié)MRAM，因此MRAM目前只適用于作為處理器的高速緩存。

不過，我們依然看好MRAM的應(yīng)用前景。據(jù)知名爆料人士@i冰宇宙消息，未來MRAM將具備更大容量，作為閃存和內(nèi)存二合一的存儲(chǔ)體，上市節(jié)點(diǎn)可能在2020年以后。

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如果這一愿景成真，那么我們無需區(qū)分RAM和ROM，逆天的512G/1TB內(nèi)存不再是夢(mèng)想。

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