硫系化合物隨機存儲器，簡稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲介質(zhì).
2012-04-27 11:05:09
1099 
引人注目的新存儲器包括：相變存儲器（PCM）、鐵電存儲器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉(zhuǎn)移力矩RAM（STT-RAM）、導(dǎo)電橋RAM（CBRAM
2017-02-21 11:05:472282 
1. 存儲器和總線架構(gòu) 1.1 系統(tǒng)架構(gòu) I總線： 此總線用于將 Cortex?-M4F 內(nèi)核的指令總線連接到總線矩陣。內(nèi)核通過此總線獲取指令。 此總線訪問的對象是包含代碼的存儲器（內(nèi)部 Flash
2021-02-15 06:16:003386 
隨機存儲器RAM是指存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入。
2022-10-18 17:12:013180 
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17735 
ram在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新
2023-08-09 14:32:40399 
80C51單片機中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
說起存儲器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機存取存儲器，隨機存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
課堂作業(yè)1（1）在一個32位的ARM處理器體系結(jié)構(gòu)中，如果存儲器RAM采用小端模式，CPU將一個16進制數(shù)0x12345678寫入到存儲器RAM的地址單元0x00004000，那么寫入后，存儲器
2021-12-14 07:24:28
存儲器ram的特點
2021-01-05 06:57:06
1.存儲器和總線架構(gòu)1.1系統(tǒng)架構(gòu)圖1I總線:此總線用于將 Cortex?-M4F 內(nèi)核的指令總線連接到總線矩陣。內(nèi)核通過此總線獲取指令。此總線訪問的對象是包含代碼的存儲器（內(nèi)部 Flash
2021-08-05 07:41:43
失是指存儲器斷電后，里面存儲的內(nèi)容是否會丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲器的速度要快于非易失性存儲器。1.1 易失性存儲器 按照RAM的物理存儲機制，可以...
2021-07-16 07:55:26
之前對各種存儲器一直不太清楚，今天總結(jié)一下。存儲器分為兩大類：ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己
2022-01-26 08:29:42
Programmable）。 3、可改寫的只讀存儲器EPROM： 前兩種ROM只能進行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因為它的內(nèi)容可以通過紫外線照射而徹底擦除
2017-10-24 14:31:49
Time Programmable）。 3、可改寫的只讀存儲器EPROM： 前兩種ROM只能進行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因為它的內(nèi)容可以通過紫外線照射而徹底
2017-12-21 17:10:53
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
到達RAM作為第一操作時機。在存儲器的類型為HHD時在較早的操作時機通過CPU進行編碼，可以降低存儲器的存儲控制器負載，提高存儲控制器處理訪問的速率。103、在上述操作時機中，檢測針對上述第一存儲體
2019-11-15 15:44:06
目前高級應(yīng)用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
[table][tr][td=670][table][tr][td]arm處理器本身所產(chǎn)生的地址為虛擬地址，每一個arm芯片內(nèi)都有存儲器，而這個芯片內(nèi)的存儲器的地址為物理地址。我們寫程序的目的是為了
2014-03-24 11:57:18
知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-11-16 14:33:15
緩存，而 SL3另外還可在局域 L2 高速緩存中進行緩存。 為向軟件執(zhí)行提供快速通道，外部存儲器同內(nèi)部共享存儲器一樣，通過同一存儲器控制器進行連接，而并非像在嵌入式處理器架構(gòu)上所進行的傳統(tǒng)做法那樣
2011-08-13 15:45:42
MCS-51的存儲器不僅有ROM和RAM之分，還有片內(nèi)和片外之分。MCS-51的內(nèi)存儲器集成在芯片內(nèi)部，是MCS-51的一個組成部分；而片外存儲器是外接的專用存儲器芯片，MCS-51只提供地址和控制
2021-12-07 08:49:14
不進行設(shè)置，那么xdata讀到起內(nèi)部1k字節(jié)RAM的擴展768個字節(jié)，其后數(shù)據(jù)仍為0，表明對其后地址的寫入無效②用串口發(fā)其他任意數(shù)據(jù)（不在擴展數(shù)據(jù)存儲器內(nèi)的），示波器觀測均正常，串口發(fā)送應(yīng)無問題③更換
2013-11-01 23:52:08
ROM程序存儲器RAM隨機存儲器單片機型號:atmel,stc,pic,avr,凌陽,c8051,arm等“與”運算（&）乘法0·0=0，0·1=1·0=0，1·1=1兩邊都為高電平才有
2021-07-13 06:14:41
大家好，之前玩過51，知道程序存在ROM，數(shù)據(jù)存在RAM，現(xiàn)在接觸STM32，在讀STM32F103ZET6的數(shù)據(jù)手冊時看到，BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲器，手冊上寫STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
問題： 1 什么是存儲器映射？是怎么一個運作過程？2 Stm32總體架構(gòu)3CM3內(nèi)核結(jié)構(gòu)1 STM32系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 要想深刻理解STM32的存儲器，需要首先知道STM32的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。如Figure 1
2018-08-14 09:22:26
什么是存儲器映射？是怎么一個運作過程？stm32的總體架構(gòu)是由哪些部分組成的？
2022-01-21 06:09:45
存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。半導(dǎo)體存儲器的分類* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08
存儲器，顧名思義是存儲設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲器是必不可少的重要組件。為增進大家對存儲器的了解，本文將對存儲器卡以及半導(dǎo)體存儲器的分類予以介紹。如果你對存儲器的相關(guān)知識具有興趣，不妨繼續(xù)往下
2020-12-25 14:50:34
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
單片機的存儲器——幾個有關(guān)的概念：1、數(shù)據(jù)存儲器——RAM(Random Access Memory)2、程序存儲器——ROM(Read Only Memory)3、閃速存儲器——Flash
2022-01-26 07:30:11
嵌入式開發(fā)學(xué)習(xí)筆記4-了解單片機中的存儲器單片機的物理結(jié)構(gòu)程序存儲器（ROM)數(shù)據(jù)存儲器（RAM)工作寄存器區(qū)(00H-1FH)位尋址區(qū)(20H-2FH)用戶RAM區(qū)(30H-7FH)特殊功能寄存器
2022-02-08 06:42:50
存儲器是由哪些存儲單元構(gòu)成的？存儲器是用來做什么的？單片機中的數(shù)據(jù)存儲器RAM有哪些特性呢？
2022-01-17 06:52:14
單片機中的數(shù)據(jù)存儲器ram
2020-12-29 07:15:44
據(jù)新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機領(lǐng)域，并實現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
就是單片機存儲器擴展時：rom和ram有什么區(qū)別？如何確定代碼的大小？擴展存儲芯片有哪些呢？ 小弟在此感謝各位高手！
2019-06-27 04:05:42
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器：掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
深入分析STM32單片機的RAM和FLASH學(xué)習(xí)2019-9-272642閱讀97點贊8評論最近在一個問答社區(qū)回答了一個問題，關(guān)于單片機存儲器的，于是有了想專門寫一篇關(guān)于單片機存儲器的想法。作為
2022-01-26 08:09:05
嗨，我正在使用STM8L052R8進行溫度測量，因此使用ADC通道，然后在LCD上顯示溫度。能夠清除LCD Ram存儲器而不是寫入所使用的每個LCD Ram寄存器將非常方便。是否有一個通用命令將為我
2019-02-25 11:24:49
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質(zhì)都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
計算機存儲器分為兩種基本類型：ROM 和 RAM 。
2019-09-17 09:01:53
電材料和制造工藝的發(fā)展，在鐵電存儲器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標準電容器。Ramtron新的單晶體管/單電容器結(jié)構(gòu)可以像DRAM一樣，使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現(xiàn)有的2T/2C結(jié)構(gòu)
2011-11-19 11:53:09
電材料和制造工藝的發(fā)展，在鐵電存儲器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標準電容器。Ramtron新的單晶體管/單電容器結(jié)構(gòu)可以像DRAM一樣，使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現(xiàn)有的2T/2C結(jié)構(gòu)
2011-11-21 10:49:57
的連接方式與NOR閃速存儲器相同，寫入邏輯為反相（NOR寫人時V th 變高，而AND式則降低），命名為AND式。現(xiàn)在的NOR閃速存儲器也致力于改良，目的在于將寫人操作也采用隧道方式以降低功耗，或者通過
2018-04-09 09:29:07
相變存儲器驅(qū)動電路的設(shè)計與實現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理, 設(shè)計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路, 整體電路由帶隙基準電壓源電路
2010-05-08 09:42:33
43 摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182412 
相變存儲器技術(shù)基礎(chǔ) 相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:55751 相變存儲器（PCM）技術(shù)基礎(chǔ)知識
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:032895 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46634 
相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22630 Numonyx推出全新相變存儲器系列
該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371141 相變存儲器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲器技術(shù)。PCM存儲單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:00961 名稱 RAM（隨機存取存儲器） RAM -random access memory 隨機存儲器 定義 存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592215 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:421953 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機存儲器。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:334704 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標是使具有潛在革命性的相變存儲技術(shù)更具實用性和可行性。 近年來，相變存儲器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計算機隨機存取存儲器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001567 近日，淮安市舉行集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)場推進暨江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司相變存儲器工廠竣工運營啟動儀式。
2018-03-28 14:58:196707 Numonyx相變存儲器（PCM）的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲器，以及它正如何改變著存儲器產(chǎn)業(yè)的面貌。
2018-06-26 08:55:003158 多年來，該行業(yè)一直致力于各種存儲技術(shù)的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲器都對應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域，但都勢必將在存儲器家族中取代一個或者多個傳統(tǒng)型存儲。
2018-09-05 15:51:129162 RAM英文名random access memory，隨機存儲器，之所以叫隨機存儲器是因為：當(dāng)對RAM進行數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭氲臅r候，花費的時間和這段信息所在的位置或?qū)懭氲奈恢脽o關(guān)。
2018-10-14 09:16:0036732 新興存儲器(emerging memory)現(xiàn)在多指的是新的非揮發(fā)性存儲器，最主要包括相變半導(dǎo)體(Phase Change Memory；PCM)、可變電阻式存儲器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054082 近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應(yīng)計算機技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器
2019-03-19 15:43:016997 
據(jù)介紹，相變存儲器是一種兼具壽命長且斷電后仍可保存數(shù)據(jù)兩種優(yōu)點的存儲器，而目前通用的存儲器技術(shù)主要是動態(tài)隨機存儲器和閃存兩種，占了95%的市場份額。
2019-08-27 17:19:221140 相變存儲器具有很多優(yōu)點，比如可嵌入功能強、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402042 
相變存儲器具有很多優(yōu)點，比如可嵌入功能強、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:515090 是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。 數(shù)據(jù)存儲器ram 這是個可以隨時存取數(shù)據(jù)的一塊存儲器，也就是可以讀（取）也可以寫（存）的存儲器，簡稱為RAM存儲。 現(xiàn)在單片機里面所使用的RAM存儲器，屬于靜態(tài)RAM或SRAM存儲芯片，這個和電
2020-05-13 14:03:352737 雙口RAM是常見的共享式多端口存儲器，以圖1所示通用雙口靜態(tài)RAM為例來說明雙口RAM的工作原理和仲裁邏輯控制。雙口RAM最大的特點是存儲數(shù)據(jù)共享。圖1中，一個存儲器配備兩套獨立的地址、數(shù)據(jù)和控制線
2020-05-18 10:26:482585 
相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點及其國內(nèi)外最新研究進展。 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器（Phase Change
2022-12-20 18:33:251012 本應(yīng)用筆記描述了如何使用瑞薩電子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相變存儲器，并解釋了為此目的提供的示例代碼的用法。請注意，示例代碼是用于
2021-06-18 17:23:151205 
MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來的十年中，兩種新興的非易失性存儲器類型（相變存儲器和磁RAM）將在獨立存儲器中處于領(lǐng)先地位。
2020-11-24 15:29:162516 對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內(nèi)就具備存儲器。為增進大家對存儲器的認識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術(shù)進行對比。如果你對存儲器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:007265 存儲器類型有很多，常見的有ROM（Read-onlymemory只讀的），RAM（Random-accessmemory可讀可寫的），還有一類被大家忽略的CAM（可以自行百度）。 網(wǎng)上另一種
2021-04-12 10:18:473844 
51 系列單片機的數(shù)據(jù)存儲器分片內(nèi) RAM 和片外 RAM 兩部分。通常片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器有 128B，對應(yīng)的地址范圍是 00H～7FH；增強型片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器有 256B，對應(yīng)的地址范圍是 00H
2021-11-23 17:06:278 一、實驗?zāi)康模?．了解半導(dǎo)體靜態(tài)隨機讀寫存儲器SRAM的工作原理及其使用方法2．掌握半導(dǎo)體存儲器的字、位擴展技術(shù)3．用proteus設(shè)計、仿真基于AT89C51單片機的RAM擴展實驗二、實驗內(nèi)容
2021-11-25 15:36:1114 單片機的存儲器——幾個有關(guān)的概念：1、數(shù)據(jù)存儲器——RAM(Random Access Memory)2、程序存儲器——ROM(Read Only Memory)3、閃速存儲器——Flash
2021-12-02 10:06:053 華中科技大學(xué)成功研制全球最低功耗相變存儲器：比主流產(chǎn)品1000倍 來源：芯智訊 1月20日，從華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院獲悉，該學(xué)院團隊研制出全世界功耗最低的相變存儲器，比主流產(chǎn)品功耗低了1000
2022-01-21 13:15:00545 基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲器，比如相變存儲器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:06639 相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699 ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當(dāng)斷電時，其中的數(shù)據(jù)將會丟失。
2023-06-20 16:38:442025 一個可隨時存取數(shù)據(jù)的存儲器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 隨著人們對計算機和電子設(shè)備的需求不斷增長，存儲器的種類也越來越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機訪問存儲器）是計算機中最常用的一種存儲器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15523 在計算機中，CPU需要定期地從 RAM 存儲器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計算機應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，RAM 存儲器的容量和速度不斷提高，以適應(yīng)計算機系統(tǒng)的需要。
2024-03-04 17:30:07524 
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