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電子發燒友網>存儲技術>存儲容量需求大增,推動了3D NAND儲存的發展

存儲容量需求大增,推動了3D NAND儲存的發展

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2022-07-15 08:17:25703

利用3D NAND克服工業數據存儲問題

  隨著對新特性和功能需求的增加,大容量存儲在嵌入式工業應用中的使用持續增長。雖然更復雜的GUI和應用已經通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠
2022-10-14 11:08:38523

利用3D NAND克服工業數據存儲問題

隨著對新特性和功能需求的增加,大容量存儲在嵌入式工業應用中的使用持續增長。雖然更復雜的GUI和應用已經通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應對
2022-10-24 15:24:53338

三星第8代V-NAND已開始量產

市場對更高密度、更大容量存儲需求推動了V-NAND層數的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產品和解決方案,有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:55448

詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)

在20nm 工藝節點之后,傳統的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達到了微縮的極限。為了實現更高的存儲容量NAND集成工藝開始向三維堆疊方向發展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:578266

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術

3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內,容納更高的存儲容量,從而有效節約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729

東京電子3D NAND蝕刻新技術或挑戰泛林市場領導地位

據悉,東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數據的3d nand閃存。該公司開發了一種新的通道孔蝕刻方法,該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand存儲容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加,如果層數增加,就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368

關于SRAM存儲容量及基本特點

通常我們將存儲容量表示為:字數X位數,比如64KX8位,其含義為,以8位構成一個字,一共有64個字。這個概念要相當熟悉,后面理解題目很有用。
2024-01-09 14:54:25225

索尼半導體激光器技術實現大容量機械硬盤存儲容量翻番

近期,據外媒報道,索尼已順利推出適用于大容量機械硬盤的半導體激光器技術,該技術促使硬盤存儲容量翻番,將3.5英寸硬盤的儲存空間提升至30TB,相較現有的同類產品容量提升近乎兩倍。
2024-02-19 16:38:55483

有了2D NAND,為什么要升級到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存儲技術(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲器)的一種。
2024-03-17 15:31:39279

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團帶來了大量產品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量
2020-08-15 09:32:144019

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