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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>FRAM 或是目前選用存儲(chǔ)器的最佳選擇

FRAM 或是目前選用存儲(chǔ)器的最佳選擇

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2019-03-29 01:54:26

采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢

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鐵電存儲(chǔ)器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長(zhǎng)

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鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

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2011-11-19 11:53:09

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2009-05-13 16:25:4525

鐵電存儲(chǔ)器原理及應(yīng)用比較

介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理,詳細(xì)分析其讀寫(xiě)操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較,分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說(shuō)明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310

鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解

鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解: 鐵電存儲(chǔ)器FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)
2008-01-30 09:13:504172

內(nèi)置串行接口的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID

  鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822

平板電腦如何選用嵌入式存儲(chǔ)器

《集成電路應(yīng)用》雜志日前采訪了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的嵌入式存儲(chǔ)器方案提供商深圳江波龍電子有限公司嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品總監(jiān)王景陽(yáng)先生,請(qǐng)他就平板電腦如果選用嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行了介紹。
2012-04-20 13:35:292011

圓我“鐵電夢(mèng)”,關(guān)于FRAM網(wǎng)友有話說(shuō)!

近幾年,FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)比較火,特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對(duì)FRAM技術(shù)的討論。這不,小編看到了一篇分享,是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得,發(fā)布在這里供正在使用和將來(lái)要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915

FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表中的應(yīng)用及發(fā)展

與傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器相比,FRAM的功耗要低很多,而且寫(xiě)入速度更快。對(duì)于類(lèi)似的寫(xiě)入,FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫(xiě)入時(shí)間是EEPROM的1/40000,達(dá)到SRAM
2017-03-29 11:46:291659

集合了ROM和RAM優(yōu)點(diǎn)的FRAM存儲(chǔ)器,根據(jù)接口不同又有哪些特點(diǎn)呢?

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢?
2017-09-04 14:46:3010691

獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些?

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢?
2017-09-17 16:34:229447

快閃存儲(chǔ)器控制器選擇技巧

現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255

FRAM 中常見(jiàn)的問(wèn)題及解答

FRAM是ferroelectric random access memor}r(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的首字母縮寫(xiě),它是非易失性存儲(chǔ)器,即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說(shuō),FRAM是鐵電存儲(chǔ)器,但它不受磁場(chǎng)的影響,因?yàn)樾酒胁缓F基材料(鐵)。鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性,但是它們不受磁場(chǎng)的影響。
2018-04-04 09:07:309

關(guān)于存儲(chǔ)器選擇指南

Numonyx首席技術(shù)官Ed Doller講述了選擇存儲(chǔ)器時(shí)的混亂局面,以及如何選擇適合您的存儲(chǔ)器解決方案(節(jié)選自Ed在Memcon '08上的主題演講)。
2018-06-26 08:22:003330

企業(yè)如何選擇最佳存儲(chǔ)方案?

如果是擁有敏感信息的中小型企業(yè),那么有關(guān)為消費(fèi)者選擇最佳存儲(chǔ)的建議就不適用。這是為什么?這是因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)很復(fù)雜,需要考慮多種因素,以便為企業(yè)的業(yè)務(wù)選擇最佳選項(xiàng)。
2018-12-22 09:13:003488

PIC18F87K90單片機(jī)讀寫(xiě)FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫(xiě)FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532

微雪電子FRAM存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)器FM24CLXX簡(jiǎn)介

FM24CL FRAM 存儲(chǔ)模塊 I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴(kuò)存儲(chǔ) 型號(hào) FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331

FRAM鐵電存儲(chǔ)器在汽車(chē)應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)

相比于其他市場(chǎng),汽車(chē)市場(chǎng)更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車(chē)行業(yè)的銷(xiāo)售數(shù)量已超過(guò)8億臺(tái),技術(shù)已相當(dāng)成熟,汽車(chē)行業(yè)的客戶完全可以對(duì)此放心無(wú)憂 為什么要在汽車(chē)中使用FRAM? 與EEPROM
2020-05-26 11:03:431080

FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)

FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ),用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它的自身優(yōu)勢(shì)是什么

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它使用鐵電膜作為電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒(méi)有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫(xiě),高讀寫(xiě)耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634

FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相互兼容

新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn),又有非失易失性特征,同時(shí)克服了非易失性寫(xiě)入速度慢且寫(xiě)入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM
2020-10-30 16:47:12802

非易失性存儲(chǔ)器MRAM與FRAM到底有什么區(qū)別

“永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能,可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和 FRAM(鐵電 RAM)都具有相似的性能優(yōu)勢(shì):低電壓運(yùn)行,長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038

fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲(chǔ)器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:02824

富士通FRAM一路走來(lái),它是如何崛起的

FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn),在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。那么
2021-04-26 14:31:28544

富士通的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM有著廣泛的應(yīng)用

富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM, 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開(kāi)始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689

FRAM車(chē)規(guī)級(jí)是滿足汽車(chē)電子無(wú)延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇

開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡(jiǎn)單介紹一下為何可以說(shuō)FRAM車(chē)規(guī)級(jí)是滿足汽車(chē)電子可靠性和無(wú)延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇。 為什么這么說(shuō)?這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開(kāi)始說(shuō)起。FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM,利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
2021-05-11 17:17:09704

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)

FRAM是一種新型存儲(chǔ)器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn),與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫(xiě)更快、壽命更長(zhǎng),FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中,預(yù)計(jì)未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn),符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107

串行FRAM存儲(chǔ)器CY15B104Q-LHXI的功能特點(diǎn)

賽普拉斯型號(hào)CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了由串行閃存,EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性,開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。
2021-05-16 16:59:521643

FM25CL64B-GTR是一款串行FRAM存儲(chǔ)器

FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為8,192×8位,可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口(SPI)總線進(jìn)行訪問(wèn)。FRAM的功能操作類(lèi)似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683

串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64概述及特點(diǎn)

富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器,其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲(chǔ)器MB85RS128B概述及特點(diǎn)

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲(chǔ)器,性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:461394

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158

富士通FRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲(chǔ)器都用在了哪里

FRAM (鐵電RAM) 是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 (如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性,更快的寫(xiě)入速度
2021-10-28 10:26:562565

非易失性存儲(chǔ)器FRAM的常見(jiàn)問(wèn)題解答

什么是FRAMFRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的特性,具有寫(xiě)入速度更快
2022-03-02 17:18:36766

并口FRAM vs SRAM—并口FRAM與SRAM的比較

鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性,更快的寫(xiě)入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:44741

鐵電存儲(chǔ)器FRAM

鐵電存儲(chǔ)器FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì),利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn): 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785

提供即時(shí)寫(xiě)入功能的FRAM存儲(chǔ)器

FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫(xiě)入功能,無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率,以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車(chē)EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣,因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41327

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。
2021-07-15 16:46:56697

如何充分利用單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器呢?

需要在設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)過(guò)程中遵循一些最佳實(shí)踐。本文將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器類(lèi)型: MCU的NVM通常有多種類(lèi)型可供選擇,例如閃存(Flash)、EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和FRAM(非易失性RAM)。根據(jù)需要,選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:49507

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