在我們的項(xiàng)目中,時(shí)常會(huì)有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲(chǔ)器,這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:551116 雖然說(shuō)使用EEPROM保存參數(shù)很有效,但操作及使用次數(shù)均有一下限制。當(dāng)我們的一些參數(shù)需要不定時(shí)修改或存儲(chǔ)時(shí),使用FRAM就更為方便一點(diǎn)。這一節(jié)我們就來(lái)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)FM24xxx系列FRAM的驅(qū)動(dòng)。
2022-12-08 15:09:11855 對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類(lèi)產(chǎn)品的用戶來(lái)說(shuō),在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失,這種情況下有很多種解決方案,鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度
2023-09-22 08:01:59496 FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫(xiě)入功能,無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率,以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車(chē)EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣,因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ),用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢(shì)所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM,相較于其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和幾乎無(wú)限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
和非易失性存儲(chǔ)器就萬(wàn)事大吉了么?令人糾結(jié)的是,有一種新的存儲(chǔ)器,它既是非易失的,同時(shí)又是能夠高速隨時(shí)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的,也就是說(shuō)能夠隨機(jī)存取的。這種存儲(chǔ)器就是FRAM(Ferroelectric Random
2012-01-06 22:58:43
首先討論HDD及其功能,并比較儲(chǔ)存(storage)和(memory)的不同特性。在接下來(lái)的專(zhuān)欄中,我們將專(zhuān)門(mén)討論SSD,并探索在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)將持續(xù)發(fā)展的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存趨勢(shì)。 儲(chǔ)存 vs 存儲(chǔ)器 電子數(shù)據(jù)
2017-07-20 15:18:57
Programmable)。 3、可改寫(xiě)的只讀存儲(chǔ)器EPROM: 前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫(xiě)入,因而用戶較少使用,目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因?yàn)樗膬?nèi)容可以通過(guò)紫外線照射而徹底擦除
2017-10-24 14:31:49
Time Programmable)。 3、可改寫(xiě)的只讀存儲(chǔ)器EPROM: 前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫(xiě)入,因而用戶較少使用,目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因?yàn)樗膬?nèi)容可以通過(guò)紫外線照射而徹底
2017-12-21 17:10:53
大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了啊??AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明,各位高手有誰(shuí)知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
是圖形顯示存儲(chǔ)器的最佳選擇,有大量的像素需要存儲(chǔ),而恢復(fù)時(shí)間并不是很重要。如果不需要下次開(kāi)機(jī)時(shí)保存上次內(nèi)容,使用易失性的DRAM存儲(chǔ)器就可以。DRAM的作用與成本是FRAM無(wú)法比擬的。事實(shí)證明,DRAM
2014-04-25 13:46:28
問(wèn)題一:位圖都存儲(chǔ)在哪了?都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二:能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中?問(wèn)題三:F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大?
2020-05-20 04:37:13
概述:FM25640是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款64Kb的 FRAM 串行存儲(chǔ)器。它具有100億次的讀寫(xiě)次數(shù),掉電數(shù)據(jù)可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3,最大可達(dá)到5 MHz的總線速度,結(jié)構(gòu)容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類(lèi)?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45
數(shù)據(jù) (L1D) 存儲(chǔ)器。另外,每個(gè) CorePac 還擁有局域的二級(jí)統(tǒng)一存儲(chǔ)器。每個(gè)局域存儲(chǔ)器均能獨(dú)立配置成存儲(chǔ)器映射的SRAM、高速緩存,或是兩者的組合。 KeyStone 架構(gòu)包含共享的存儲(chǔ)器子系統(tǒng),其由
2011-08-13 15:45:42
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存器),各種各樣的閃存以及串口EEPROM(電可擦的,可編程的只讀存儲(chǔ)器)。
2019-06-28 08:29:29
SRAM接口。所有這些實(shí)現(xiàn)都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術(shù)的常用功能 在最高級(jí)別上,SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時(shí)存儲(chǔ)在內(nèi)存中的少量兆位的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的容量。該存儲(chǔ)器沒(méi)有特殊配置或頁(yè)面邊界,并且支持標(biāo)準(zhǔn)SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-10-10 15:41 編輯
親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們!富士通將舉辦在線研討會(huì),介紹全新FRAM(鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器)解決方案,該器件可在高達(dá)攝氏
2017-08-18 17:56:43
MSP430FR 系列MCU 來(lái)實(shí)現(xiàn)多功能雙接口存儲(chǔ)器的方法。相比傳統(tǒng)存儲(chǔ)器(例如FLASH,SRAM,EEPOM),FRAM集合了更多的優(yōu)勢(shì),擁有更強(qiáng)大的功能。利用MCU的靈活性,用戶可以設(shè)計(jì)出功能強(qiáng)大
2019-06-13 05:00:08
什么是EEPROM存儲(chǔ)器?
2021-11-01 07:24:44
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 編輯
雖然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存儲(chǔ)器(NVM)的最佳選擇,在大多數(shù)應(yīng)用中,鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)為
2016-02-25 16:25:49
單芯片FRAM存儲(chǔ)解決方案成為嵌入式設(shè)計(jì)的理想選擇
2021-03-04 07:37:38
時(shí),也可以恢復(fù)采集到的數(shù)據(jù)。所以,諸如EEPROM或FLASH等現(xiàn)存的通用存儲(chǔ)器技術(shù)在這些能量受限的情況下并不總是最佳選擇。幸運(yùn)的是,技術(shù)的發(fā)展方向正讓能量采集系統(tǒng)變得可行。其中一項(xiàng)技術(shù)集成就是TI的鐵
2018-08-29 15:36:21
通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
如何為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇合適的同步SRAM存儲(chǔ)器?
2021-05-24 06:13:40
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口?
2021-05-06 07:23:59
Flash類(lèi)型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器?如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?
2021-04-27 06:20:01
富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)?富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用?
2021-07-11 06:09:49
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù),本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性,同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
技術(shù)中關(guān)注哪些方面? 雖然 TI 目前仍在為 Ramtron 生產(chǎn)獨(dú)立的 FRAM 存儲(chǔ)器,我們的內(nèi)部工作重心仍為 ?嵌入式 FRAM(作為數(shù)字化流程的 2 掩碼加法器)。 我們已成功設(shè)計(jì)出高達(dá)
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
影響存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能的因素有哪些?DSP核訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同?
2021-04-19 08:32:10
可從全新的地點(diǎn)獲得更多的有用數(shù)據(jù)北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前,德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)16位微控制器,從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
存儲(chǔ)器可分為哪幾類(lèi)?存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)?存儲(chǔ)器有哪些功能?
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
MSP430FR2311這個(gè)單片機(jī)的fram存儲(chǔ)地址是什么還有如何設(shè)置
2021-06-06 18:21:25
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù),以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器,如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù),所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
功能介紹2.1 MSP430FRXX 系列MCU簡(jiǎn)介T(mén)I 公司最新一代MSP430FRXX系列MCU 采用了FRAM作為代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,替代傳統(tǒng)MCUFLASH+SRAM 的結(jié)構(gòu),并且其FRAM帶有
2019-06-12 05:00:08
你好,我當(dāng)前正在運(yùn)用ADI公司的AD9954芯片,我想用它自帶的內(nèi)部存儲(chǔ)器來(lái)產(chǎn)生任意波形,可是搞了10天了還是沒(méi)有任何的進(jìn)展,在此希望能夠得到ADI技術(shù)人員的幫助,或是給我們些有關(guān)內(nèi)部存儲(chǔ)器的程序
2018-11-26 10:07:00
大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了啊??AT89C52手冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明,各位高手有誰(shuí)知道啊 ??[/mw_shl_code]
2019-03-29 01:54:26
、9uA就可以把數(shù)據(jù)寫(xiě)完。通過(guò)比較可以看到,如果要寫(xiě)很多數(shù)據(jù)到Flash等傳統(tǒng)存儲(chǔ)器里,FRAM速度會(huì)更快而所需功耗卻最低。從擦寫(xiě)數(shù)據(jù)次數(shù)來(lái)看,一般存儲(chǔ)器寫(xiě)一萬(wàn)來(lái)次就到了極限,可FRAM可以在寫(xiě)了10
2021-11-24 07:19:40
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
電子技術(shù)日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天,電能表中存儲(chǔ)器的選擇也是多種多樣,存儲(chǔ)器的好壞直接關(guān)系到電能表的正常使用和測(cè)量精度。目前應(yīng)用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理,詳細(xì)分析其讀寫(xiě)操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較,分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說(shuō)明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:2566 鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫(xiě)入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器,應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用, 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理,詳細(xì)分析其讀寫(xiě)操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較,分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說(shuō)明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)
2008-01-30 09:13:504172 鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 《集成電路應(yīng)用》雜志日前采訪了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的嵌入式存儲(chǔ)器方案提供商深圳江波龍電子有限公司嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品總監(jiān)王景陽(yáng)先生,請(qǐng)他就平板電腦如果選用嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行了介紹。
2012-04-20 13:35:292011 近幾年,FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)比較火,特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對(duì)FRAM技術(shù)的討論。這不,小編看到了一篇分享,是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得,發(fā)布在這里供正在使用和將來(lái)要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 與傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器相比,FRAM的功耗要低很多,而且寫(xiě)入速度更快。對(duì)于類(lèi)似的寫(xiě)入,FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫(xiě)入時(shí)間是EEPROM的1/40000,達(dá)到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢?
2017-09-04 14:46:3010691 FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢?
2017-09-17 16:34:229447 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 FRAM是ferroelectric random access memor}r(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的首字母縮寫(xiě),它是非易失性存儲(chǔ)器,即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說(shuō),FRAM是鐵電存儲(chǔ)器,但它不受磁場(chǎng)的影響,因?yàn)樾酒胁缓F基材料(鐵)。鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性,但是它們不受磁場(chǎng)的影響。
2018-04-04 09:07:309 Numonyx首席技術(shù)官Ed Doller講述了選擇存儲(chǔ)器時(shí)的混亂局面,以及如何選擇適合您的存儲(chǔ)器解決方案(節(jié)選自Ed在Memcon '08上的主題演講)。
2018-06-26 08:22:003330 如果是擁有敏感信息的中小型企業(yè),那么有關(guān)為消費(fèi)者選擇最佳云存儲(chǔ)的建議就不適用。這是為什么?這是因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)很復(fù)雜,需要考慮多種因素,以便為企業(yè)的業(yè)務(wù)選擇最佳選項(xiàng)。
2018-12-22 09:13:003488 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫(xiě)FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532 FM24CL FRAM 存儲(chǔ)模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴(kuò)存儲(chǔ)
型號(hào) FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 相比于其他市場(chǎng),汽車(chē)市場(chǎng)更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車(chē)行業(yè)的銷(xiāo)售數(shù)量已超過(guò)8億臺(tái),技術(shù)已相當(dāng)成熟,汽車(chē)行業(yè)的客戶完全可以對(duì)此放心無(wú)憂 為什么要在汽車(chē)中使用FRAM? 與EEPROM
2020-05-26 11:03:431080 FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ),用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它使用鐵電膜作為電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒(méi)有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫(xiě),高讀寫(xiě)耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn),又有非失易失性特征,同時(shí)克服了非易失性寫(xiě)入速度慢且寫(xiě)入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM
2020-10-30 16:47:12802 “永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能,可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和 FRAM(鐵電 RAM)都具有相似的性能優(yōu)勢(shì):低電壓運(yùn)行,長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:02824 FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn),在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。那么
2021-04-26 14:31:28544 富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM, 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開(kāi)始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器,FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689 開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡(jiǎn)單介紹一下為何可以說(shuō)FRAM車(chē)規(guī)級(jí)是滿足汽車(chē)電子可靠性和無(wú)延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇。 為什么這么說(shuō)?這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開(kāi)始說(shuō)起。FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM,利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),
2021-05-11 17:17:09704 FRAM是一種新型存儲(chǔ)器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn),與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫(xiě)更快、壽命更長(zhǎng),FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中,預(yù)計(jì)未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn),符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107 賽普拉斯型號(hào)CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了由串行閃存,EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性,開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。
2021-05-16 16:59:521643 FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為8,192×8位,可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口(SPI)總線進(jìn)行訪問(wèn)。FRAM的功能操作類(lèi)似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683 富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器,其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599 富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲(chǔ)器,性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:461394 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM (鐵電RAM) 是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 (如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性,更快的寫(xiě)入速度
2021-10-28 10:26:562565 什么是FRAM? FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的特性,具有寫(xiě)入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性,更快的寫(xiě)入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲(chǔ)器稱FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì),利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn): 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785 FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫(xiě)入功能,無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率,以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車(chē)EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣,因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41327 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。
2021-07-15 16:46:56697 需要在設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)過(guò)程中遵循一些
最佳實(shí)踐。本文將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.
選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器類(lèi)型: MCU的NVM通常有多種類(lèi)型可供
選擇,例如閃存(Flash)、EEPROM(電可擦除可編程只讀
存儲(chǔ)器)和
FRAM(非易失性RAM)。根據(jù)需要,
選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:49507
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