這一年多來內存價格的瘋漲讓太多人感到心痛，而問題的根源在于DRAM內存顆粒掌握在韓國三星、SK海力士和美國美光等極少數巨頭手中，合計份額超過90％，很容易形成壟斷，下游和市場完全沒有任何周旋余地。

如今，中國正在各個半導體領域切入自己的力量，破除國外壟斷，包括CPU微處理器、NAND閃存、OLED屏幕面板等等，DRAM內存也是時候了。

中國芯片設計公司兆易創新近日發布公告，宣布與合肥市產業投資控股（集團）有限公司（簡稱合肥產投）于10月26日簽署了《關于存儲器研發項目之合作協議》。

雙方約定，將在安徽省合肥市經濟技術開發區合作開展300mm晶圓（12英寸）、19nm工藝存儲器的研發項目，包括DRAM內存顆粒。

項目總預算約為180億元人民幣，兆易創新與合肥產投按照1:4的比例負責籌集。

合作目標是在2018年12月31日前研發成功，實現產品良率（測試電性良好的晶片占整個晶圓的比例）不低于10％。

不過兆易創新強調，本項目研發階段設計產能較小，為2000-3000片晶圓每月，尚無法達到批量生產標準，而且中國大陸目前無DRAM產業技術積累，再加上人才引進、知識產權和設備進口等因素影響，研發能否成功存在不確定性。

即使研發成功，良率能否提升、量產能否實現，也仍然存在較大不確定性，從研發成功至量產并形成銷售需要長達幾年時間。

研發成功后，雙方將就提升良率、擴大產能進行進一步探討。

目前，三星DRAM已大規模采用20nm工藝，并率先量產18nm工藝。SK海力士則以25nm工藝為主，已導入21nm工藝。美光目前以30nm工藝為主，20nm工藝進入良率提升階段。