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電子發燒友網>存儲技術>關于NAND閃存有哪些觀念是錯誤的?

關于NAND閃存有哪些觀念是錯誤的?

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2021-04-01 17:50:562894

EE-344:在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器

EE-344:在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器
2021-04-13 08:02:427

在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344

在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088

Arasan推出NAND閃存全IP解決方案

NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規范模式。
2021-08-05 15:30:561299

NAND 閃存概述

NAND 閃存內部存儲結構單元是基于 MOSFET(金屬-氧化層-半導體-場效應晶體管), 與普通場效應晶體管的不同之處在于,在柵極(控制柵)與漏極/源極之間存在浮置柵,利用該浮置柵存儲數據。
2022-02-10 11:39:231

NAND閃存市場競爭愈發激烈

 在3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100

NAND 閃存滿足內存控制器要求

內存控制器的未來與它們控制的內存有著不可逆轉的聯系。同樣,它們受摩爾定律的約束。雖然存儲類存儲器 (SCM) 可能會因新架構而獲得關注,但存儲器控制器市場仍然很大程度上受 NAND 閃存的支配
2022-07-20 10:35:27694

開放式NAND閃存接口規范

本規范定義了標準化的NAND閃存設備接口,該接口提供了以下方法:用于設計支持一系列NAND閃存設備而無需直接設計的系統關聯前。該解決方案還提供了系統無縫利用的方法在設計系統時可能不存在的新NAND設備。
2022-09-09 16:10:2415

NAND閃存的應用中的磨損均衡

NAND閃存的應用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存控制器有什么優勢

圍繞基于NAND閃存的存儲系統的對話已經變得混亂。通常,當人們討論存儲時,他們只談論NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

NAND閃存應用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

開放式NAND閃存接口規范說明書

本規范定義了標準化NAND閃存設備接口,該接口提供了設計的系統支持一系列NAND閃存設備,無需直接設計預關聯。該解決方案還為系統提供了無縫利用在系統設計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存 – 多芯片系統驗證的關鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位,因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031197

NAND閃存特點及決定因素

內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND閃存的頁就類似硬盤的扇區,硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001983

關于C程序中10個與內存有關的常見錯誤

與內存有關的錯誤屬于那種最令人驚恐的錯誤。在時間和空間上,經常在距離錯誤源一段距離之后才表現出來。將錯誤的數據寫到錯誤的位置,你的程序可能在最終失敗之前運行了一段時間。
2023-06-20 10:41:14250

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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