相信所有人對“存儲器”這個名詞一點都不陌生，因為所有的電子產品都必須用到存儲器，且通常用到不只一種存儲器，說它是一種“戰(zhàn)略物資”也不為過。

存儲器：DRAM和NAND

存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中，它根據控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備，有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。隨著移動設備、物聯(lián)網應用的興起，對于節(jié)能的數據儲存與內存技術需求日益增加，目前的內存技術以DRAM與NAND閃存為主流。

DRAM，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM只能將數據保持很短的時間，為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。

NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品。NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

韓國是全球存儲芯片市場的主流廠商

市場對DRAM和NAND的需求很多，包括來自數據中心、移動電話、個人計算機、汽車、智能家電及智能城市等龐大需求。而全球主要內存芯片供貨商的門坎很高，哪怕經歷了幾十年的起伏，市場也一直被三星、SK海力士等廠商主導，并已經形成壟斷局面。

有調查數據顯示，截至今年第三季度，韓國芯片巨頭三星在DRAM和NAND閃存市場繼續(xù)保持著統(tǒng)治優(yōu)勢，這主要是因為韓國本土券商集體看好芯片業(yè)務給三星電子業(yè)績帶來的推動作用。

報告顯示，按照營收計算，三星電子第三季度占據了全球DRAM內存芯片市場44．5％的份額；另一家韓國廠商SK海力士緊隨其后，市場份額達到27．9％。美國存儲芯片制造商美光科技在該榜單中位居第三，市場份額達到22．9％；中國***的南亞科技位居第四，市場份額為2．2％。

雖然全球芯片市場將在不久后失去熱度，但隨著帶有人工智能和物聯(lián)網技術產品的不斷上市，預計存儲芯片市場的需求仍將會繼續(xù)上漲。與中國芯片制造商相比，韓國的三星電子和SK海力士仍在不斷提升技術競爭優(yōu)勢，上述兩家公司在未來仍將是全球存儲芯片市場的主流廠商。

存儲器產業(yè)走寒，遭遇困境

隨著近兩年內存芯片業(yè)務的迅猛發(fā)展，已逐步呈現“衰落”之勢，因NAND閃存芯片價格自2017年第四季已開始反轉，且DRAM內存芯片在2018年首季之后的供需動態(tài)能見度已經下滑。2017年DRAM價格上漲超過四成，同期NAND的價格漲幅也近四成。NAND的主要市場為PC機內存和手機內存，DRAM需求逐漸趨緩，庫存、定價壓力與日俱增，而NAND閃存供過于求，價格將進一步走低。

今年第一和第二季度，DRAM依然持上漲之勢，三星、SK海力士和美光等廠商也都先后宣布了擴產計劃。但最近局面似乎有所轉變，存儲器價格走低，一方面是PC、移動設備和數據中心這三大應用產品的需求動能在過去幾周明顯趨緩，這恐怕會讓第三季度報價一路走低。另一方面，由于需求降溫的關系，三星電子、SK 海力士的庫存也在增加。表現在DRAM層面，由于三星、SK海力士增產的影響，預估2018年、2019年的DRAM供給量將分別上揚20％、20－25％。這將為市場帶來壓力，而需求也將相對收縮，外資相繼調降美光目標價。

NAND遭遇了同樣困境。根據下半年智能手機市場出貨表現將相對疲弱，NAND閃存的供給過剩情況將日益惡化。因而有業(yè)內人士分析稱2019年上半年NAND價格將重挫，目前的存儲定價周期與2014年末到2015年初情況相似，當時也出現存儲器需求大跌的狀況。

三星、海力士發(fā)力，價格戰(zhàn)一觸即發(fā)

近日，有韓媒指出，今年第一季三星電子和SK海力士（SK Hynix）的半導體庫存雙雙創(chuàng)下新高，滿坑滿谷的記憶體賣不動，三星或許因此殺紅了眼。

今年Q1季末，三星電子的半導體庫存達7．4萬億韓元，寫下同季歷史新高。SK海力士的半導體庫存為2．2萬億韓元，更創(chuàng)下該公司史上之最。一般而言，企業(yè)都趕在新年之前盡量消化庫存，Q4應是出貨旺季，但Q4庫存增加速度之快，幾乎前所未見。

三星半導體庫存連年提高，近來更急速成長。今年Q1超越7萬億韓元，和去年同期相比，Q1庫存飆升了1．7萬億韓元。主要原因應是記憶體買氣驟減，Q1三星記憶體部門營收年減3，700萬億韓元。

與此同時，常理上SK海力士的庫存大都在1．5萬億韓元以下，不料去年年底突然暴增至1．9萬億韓元，今年Q1又一舉突破2萬億韓元。SK海力士的庫存資產占總資產比重一路攀升，庫存爆滿，其主要問題是記憶體前景欠佳，需求仍淡，業(yè)者可能會啟動更激烈的殺價戰(zhàn)，出清庫存。

記憶體業(yè)凄慘，又有新技術出來搶市場，前景更為黯淡。日前，有媒體報導，“相變化記憶體”因成本太高，智慧機等行動裝置無法采納，過去15年來一直應用在光碟片等科技產品。然而，IBM現在不但降低了成本，還想出新的方法，可在每個記憶單位中儲存3位元資訊、即使周遭溫度較高也毫無障礙，未來可能會讓記憶體領域出現巨變。

三星趁著對手SK海力士、美光轉進20奈米不順之際，增產搶市占，意圖趕盡殺絕，DRAM恐怕只剩三星一家獨活。

韓媒在4月網站兩篇報導指出，制程微縮難度高，美光和SK海力士都在20nm遇到瓶頸，原先預期記憶體產出將因此大減，沒想到三星在一旁虎視眈眈，趁著對手碰壁時，奪取市占。DRAM僅剩三大廠，通常產業(yè)整合后，大家會較為節(jié)制，結果三星非但沒松手，還想把DRAM市占從當前的40％、提高至近50％。

國產存儲器加緊布局，有望實現“彎道超車”

這是一個得存儲器者得天下的時代。存儲器被普遍稱為“半導體產業(yè)的皇冠”。如今正成為手機、電腦等產品硬件配置升級的重要賣點。同時，漲價侵蝕著原本競爭激烈、利潤微薄的智能手機產業(yè)，一路打價格戰(zhàn)的智能手機企業(yè)橫迎來史上首次漲價潮。

存儲器漲價從2016年下半年開始，到2017年DRAM價格漲幅將達到39％，NAND漲幅也將達到25％。這是由于需求增長和供給收縮。主要由于以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場存儲器創(chuàng)新競賽，將2DNANDFlash轉移至三維閃存3DNANDFlash的技術革命，以及國產品牌手機出貨量持續(xù)增長，新一代iPhone產品推出，存儲器產能正被大量消耗導致產能增長放緩。

國內存儲器目前主要依靠進口，根據數據，我國每年進口的存儲器金額約為600億美元。為此，國家下定決心發(fā)展存儲器產業(yè)。在這樣的格局中，國家已經下定決心發(fā)展存儲器產業(yè)，通過自主研發(fā)關鍵技術與引入半導體巨頭。

國產存儲器正在南京、武漢、晉江三地建構著三足鼎立之勢，2016年7月，紫光控股、國家集成電路產業(yè)投資基金、湖北國芯產業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和湖北省科技投資集團共同出資240億美元成立了長江存儲。長江存儲主要從事3DNANDFlash的芯片與制造，旗下?lián)碛腥Y子公司武漢新芯。武漢新芯成立于2006年，2008年開始量產，擁有12英寸集成電路技術研發(fā)與生產制造能力，其閃存與影像傳感器制造技術位居世界前列，并且布局了物聯(lián)網領域，同時從事SOC、三維集成、MCU平臺等工藝技術的研發(fā)與生產。

在全球存儲器產業(yè)的關鍵時刻，不知中國企業(yè)能夠也能開拓出一片屬于自己的市場。中國存儲器產業(yè)起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場，在國家產業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發(fā)關鍵技術與引入半導體巨頭，有望實現存儲器產業(yè)的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。