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貿(mào)易戰(zhàn),存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)未來將會(huì)怎樣?

SSDFans ? 來源:YXQ ? 2019-07-29 15:09 ? 次閱讀

Memory產(chǎn)業(yè)自18年下半年以來跌跌不休,產(chǎn)能產(chǎn)出順利而需求疲軟。無論是DRAM和FLASH,對(duì)這一輪的行業(yè)下行,我們說主要因素和背景有如下:

1)新產(chǎn)能以及新制程生產(chǎn)良率優(yōu)化到較優(yōu)狀態(tài)雙重因素的疊加,使產(chǎn)能產(chǎn)出大增,供應(yīng)位元增長高出需求位元增長率

2)需求高峰下落。移動(dòng)端步入數(shù)量收縮和單機(jī)容量停滯的需求困境,而數(shù)據(jù)中心端的建設(shè)進(jìn)入從高速下滑至平緩增長,僅剩PC端的需求處于持續(xù)增長中。

3)預(yù)期的改變致使人為壟斷力量分化和弱化。

就目前產(chǎn)業(yè)上游的生態(tài)而言,DRAM遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于FLASH,DRAM正在從超額利潤步入合理的高利潤,未來也很難進(jìn)入低利潤區(qū)。FLASH則早早的進(jìn)入了紅線區(qū)域。FLASH方面,除了三星和美光之外(設(shè)備折舊和產(chǎn)品成本的疊加成本優(yōu)勢),其他廠家或處于盈虧線,或運(yùn)營利潤已步入低于10%的境地。如果5G建設(shè)沒有加速,未來的1年左右時(shí)間,DRAM大概率會(huì)進(jìn)入合理區(qū)域,而FLASH產(chǎn)業(yè)則會(huì)出現(xiàn)多數(shù)企業(yè)虧損投資放緩的局面。即使到今天(19年中),相信各廠家的庫存數(shù)量和周期仍舊沒有明顯的優(yōu)化,即使部分廠家(TMC, WDC)有減少wafer in和延緩設(shè)備遷入的動(dòng)作,但并不影響大的局面。

上述是Memory最近半年的狀態(tài),問題是最近中美貿(mào)易戰(zhàn)升級(jí),美國斷然把貿(mào)易戰(zhàn)升級(jí)到科技戰(zhàn),對(duì)華為的出手顯然不是一件小的事情。華為不是第一家,也不會(huì)是最后一家,只是華為在美國人眼里是最重要的一家而已。我們說中美之間的競爭是21世紀(jì)格局定調(diào)的競爭,中美矛盾是全面的,修昔底德陷阱似乎不可避免。因此,未來即使中美之間經(jīng)濟(jì)貿(mào)易達(dá)成短暫的妥協(xié),互相之間的科技封堵也在所難免。所以說,最近的中美貿(mào)易戰(zhàn)升級(jí)和華為事件在短期和長期都會(huì)有重大影響。

在說影響之前,來說說兩個(gè)基本概念。首先,Memory是一個(gè)周期性產(chǎn)業(yè),而且是一個(gè)需求和產(chǎn)能周期性向上價(jià)格周期性向下的產(chǎn)業(yè)。這個(gè)周期最主要源于18個(gè)月投資周期和3個(gè)月生產(chǎn)周期,因?yàn)橥顿Y和生產(chǎn)的周期性,需求又是波動(dòng)的,造成價(jià)格的周期性。其次,Memory的價(jià)格是怎么產(chǎn)生的?學(xué)過經(jīng)濟(jì)學(xué)的會(huì)說,價(jià)格是需求和供應(yīng)之間均衡產(chǎn)量點(diǎn)。我們?nèi)绻麖闹T多第三方市調(diào)公司獲取價(jià)格預(yù)測資料,也可以看到他們主要模型就是需求和供應(yīng)趨勢的預(yù)測,預(yù)測其供需滿足率從而預(yù)測價(jià)格。但是Memory的價(jià)格絕非簡單的需求和供應(yīng)產(chǎn)能之間的平衡,由于在需求和供應(yīng)之間存在多個(gè)環(huán)節(jié),每個(gè)環(huán)節(jié)的庫存和買賣行為來自于預(yù)期,因此Memory價(jià)格來自于對(duì)預(yù)期的預(yù)期。由于產(chǎn)能供應(yīng)玩家的寡頭和需求玩家的寡頭,需求玩家更多的是市場環(huán)境造成的被動(dòng)行為預(yù)期,因此Memory價(jià)格最大來自于產(chǎn)能供應(yīng)玩家對(duì)預(yù)期的預(yù)期調(diào)整行為。這一段話有點(diǎn)繞,總而言之就是價(jià)格不是市場形成的,而是上游玩家互相之間的預(yù)期或博弈產(chǎn)生的。進(jìn)而言之,什么時(shí)候漲價(jià)什么時(shí)候降價(jià),后端環(huán)節(jié)很難有預(yù)測準(zhǔn)的,往往是人為而突然的。下面接著說。

先來說說短期的。華為一家對(duì)Memory的需求占全球的比重目前已經(jīng)上升到第二位,僅次于蘋果,具體數(shù)字就不說了,但肯定不低于某個(gè)兩位數(shù)。在美國對(duì)華為的清單限制下,華為的IT業(yè)務(wù)(服務(wù)器和存儲(chǔ)以及IT服務(wù))會(huì)受到明顯的影響,但最主要的通訊和手機(jī)業(yè)務(wù)不會(huì)影響,而且華為還會(huì)發(fā)力來彌補(bǔ)IT業(yè)務(wù)的影響。華為公開的說是從18年底開始準(zhǔn)備,目前預(yù)估有9-12個(gè)月庫存。

現(xiàn)在美國進(jìn)行清單限制,但同時(shí)又留有3個(gè)月的窗口期,這在短期會(huì)有什么影響?正常的行為是華為會(huì)利用這一段時(shí)間再度加大備貨力度,以華為錢袋子深度和國家銀行的支持力度,再增加備貨6-12個(gè)月庫存將會(huì)是正常行為。但因?yàn)檫@個(gè)庫存會(huì)取決于料件和部件的齊套性,同時(shí)市場的需求也會(huì)受美國制裁影響而產(chǎn)生變化,所以這個(gè)6-12個(gè)月恐怕是要打個(gè)折扣,6-9個(gè)月可能是比較客觀的。

因此我們大膽的預(yù)測短時(shí)間內(nèi)對(duì)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)產(chǎn)生全部的5%左右需求虛增。這個(gè)5%是什么概念?預(yù)計(jì)DRAM目前上游尚有5-6個(gè)月庫存比正常多出了2個(gè)月左右?guī)齑妫ㄏ掳肽晷枨笊仙鶖?shù)不同)也就是說供應(yīng)多出來10-15%。而FLASH方面原廠平均庫存有所改善,預(yù)計(jì)在3-4個(gè)月,仍然多出5-10%,未來在部分原廠減產(chǎn)后庫存壓力將有所緩解(下半年需求上升,基數(shù)不同)。那么如果華為真的繼續(xù)利用90天緩沖期加大備貨的話,對(duì)DRAM的短期影響較小,而對(duì)FLASH則會(huì)有明顯的影響。重要的不在于這5%的具體數(shù)字,而是對(duì)預(yù)期的影響。短期需求的虛增將改變上游的原有預(yù)期,部分想要盡快停止降價(jià)的原廠會(huì)堅(jiān)決的停止降價(jià),部分仍然要降價(jià)促使獲取市場份額逼迫其他家利潤下降的原廠會(huì)考慮代價(jià)和時(shí)機(jī)問題。當(dāng)所有原廠對(duì)這次事件對(duì)需求的改變有所預(yù)期,并且認(rèn)為是改變市場平衡的機(jī)會(huì),那么這會(huì)傳導(dǎo)到其他需求方,改變需求端的預(yù)期。預(yù)期改變后,庫存策略和買賣行為會(huì)相應(yīng)改變。也許2-3個(gè)月后,市場會(huì)有信號(hào)出來。

再看中長期的影響。首先一方面是美國對(duì)華為的圍堵。特朗普在全球各盟友、五眼聯(lián)盟等極力拉攏、忽悠、誘惑、逼迫美國盟友不要使用華為5G,在這個(gè)背景下,如果假設(shè)華為5G技術(shù)是最先進(jìn)的話,那么一方面美國加快5G建設(shè),各國都會(huì)加快5G建設(shè),但是由于初期5G基站的不成熟以及性能不夠好,中長期5G的應(yīng)用推廣反而是延緩的。這是很微妙的一種猜測,短期需求有所上升,中長期5G需求是拉長了的。

其次,中美貿(mào)易戰(zhàn)升級(jí)對(duì)整體市場是個(gè)傷害,這是無疑的。美國市場需求占全球市場的30%左右,而中國制造占全球的80%左右,即使部分制造轉(zhuǎn)移到墨西哥、巴西、印度、東南亞等地方,但是轉(zhuǎn)移的大部分是后段裝配、包裝,關(guān)鍵的貼片、測試、精密部件的成型等有技術(shù)含量需要工程能力的制造能力大部分還是在中國。中美之間在產(chǎn)業(yè)鏈上互為供需方、互為中間方,貿(mào)易戰(zhàn)升級(jí)造成成本上升,需求抑制,經(jīng)濟(jì)下滑,經(jīng)濟(jì)下滑會(huì)進(jìn)一步抑制需求,從而很大可能形成某種程度的緊縮,這會(huì)是大概率的結(jié)果。具體這會(huì)形成多大的中長期需求下滑很難判斷,因?yàn)橐坏┚o縮跡象明顯,各國央行會(huì)采取貨幣政策刺激需求上升。

如果上述兩個(gè)判斷沒有錯(cuò)的話,那么我們說5G需求端短期可能是加快的,中長期是抑制的、延緩的。在這種情況下,我們不要忘了前兩年,韓國那兩家公布的未來幾年的投資計(jì)劃,也不要忘了東芝西數(shù)的新工廠,美光在新加坡的二三期,intel在大連的二期,在產(chǎn)出方面未來20年后還會(huì)有較大程度的額增加。那么中長期的供需將可能長期處于不平衡的狀態(tài),這樣可能造成Memory產(chǎn)業(yè)尤其是FLASH產(chǎn)業(yè)的長期不樂觀,一方面會(huì)降低廠家的投資速度,另一方面可能促使產(chǎn)業(yè)在21-22年后有所整合。

如果說整合,那么就說一說中美和華為事件對(duì)Memory格局的影響。

兩個(gè)基本的事實(shí):其一,美國對(duì)中國有關(guān)產(chǎn)業(yè)的圍堵只是剛剛開始,中國目前的產(chǎn)業(yè)發(fā)展還是依賴于美國以及其盟友的關(guān)鍵設(shè)備、材料和技術(shù)的。其二,中國目前的MEMORY產(chǎn)能雖然已經(jīng)起步,福建晉江是處于停滯狀態(tài),一段時(shí)間沒有解決的辦法,只能做轉(zhuǎn)型;合肥只能說技術(shù)性的產(chǎn)品已經(jīng)有了,但是離量產(chǎn)至少還有半年的時(shí)間,目前的設(shè)備產(chǎn)能僅僅足夠研發(fā)使用;武漢進(jìn)展最快也最順利,產(chǎn)品和技術(shù)都比較成熟,量產(chǎn)工藝也初步驗(yàn)證,但產(chǎn)能設(shè)備僅僅是小規(guī)模。

未來武漢和合肥如果進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)能,會(huì)不會(huì)受到美國的打壓很難講,從概率上看是大概率事件。因此中國產(chǎn)能現(xiàn)在的狀態(tài)用三句話說就是技術(shù)落后兩代但初步解決有和沒有的問題,量產(chǎn)Know how還有很長一段路,產(chǎn)能嚴(yán)重不足。

產(chǎn)能不足的主要受限就是設(shè)備和材料,ASML和APM兩家還是掌握了最核心的設(shè)備和材料,隨著科技戰(zhàn)的升級(jí),中國的產(chǎn)能可能短期和長期都會(huì)受限,直至自身的設(shè)備和材料供應(yīng)能力提升上來。而目前memory格局是韓國占50-60%甚至更多,美國占20%,日本占20%,***占不足10%,此次美國的出手,最大的得益者一定是韓國。

基于韓日臺(tái)都受美國影響較大,情景一是美國盡一切可能封堵中國,那么日本一定會(huì)跟著美國走,而韓國受地緣影響未來不會(huì)輕易在中美之間做選擇,***則是官方和民間會(huì)做出兩種選擇,一旦逼迫中國將做出不得不的選擇。情景二是韓國和INTEL在中國均有FAB產(chǎn)能,DRAM倒退2-3代,中國也能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能的自給自足。一旦中國實(shí)現(xiàn)自給自足,那么全世界的產(chǎn)能將出現(xiàn)大面積的供過于求。

當(dāng)然事態(tài)不可能瞬間發(fā)展到位,總是一步一步發(fā)展的,總是在考究誰對(duì)內(nèi)更能加速,對(duì)外更能忍耐。從產(chǎn)業(yè)角度,我們期待小打小鬧可以,和氣生財(cái)才是最重要的。但是政治考慮往往非我所愿。

總結(jié)一下:

1、中美貿(mào)易和華為事件在短期改變進(jìn)一步降價(jià)的預(yù)期,中長期降低Memory產(chǎn)業(yè)增長預(yù)期。

2、中美貿(mào)易戰(zhàn)和科技戰(zhàn)還會(huì)延續(xù),對(duì)中國自主的Memory產(chǎn)業(yè)發(fā)展短期會(huì)產(chǎn)生制約,中長期變數(shù)很大,會(huì)隨著爭端的升級(jí)產(chǎn)生意料不到的變化。

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