當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用市場(chǎng)呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)也十分激烈，美國(guó)、歐洲、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家都在積極進(jìn)行戰(zhàn)略部署，通過(guò)建立創(chuàng)新中心、聯(lián)合研發(fā)等方式，將產(chǎn)學(xué)研及政府部門聯(lián)合起來(lái)協(xié)同組織和投入，加快第三代半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)步，以應(yīng)用端的需求促進(jìn)技術(shù)研發(fā)，資金更多投向產(chǎn)品級(jí)開(kāi)發(fā)和終端應(yīng)用，從而全面占領(lǐng)全球第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)。

中國(guó)在第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)需求和產(chǎn)業(yè)化水平方面處于領(lǐng)跑狀態(tài)。在光電子材料和器件領(lǐng)域與國(guó)際先進(jìn)水平相比處于并跑狀態(tài)，目前 LED 照明產(chǎn)業(yè)已在我國(guó)獲得長(zhǎng)足發(fā)展，并成為我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的首個(gè)突破口。但在電力電子半導(dǎo)體材料和器件、射頻材料和器件方面與國(guó)際先進(jìn)水平相比，尚處于跟跑狀態(tài)。隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐步向亞洲轉(zhuǎn)移，我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心和支持力度空前加大，5G、新能源汽車、AI 等新興產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的廣闊市場(chǎng)空間，我國(guó)發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時(shí)。

北京聚集了中科院半導(dǎo)體所、微電子所、物理所等有關(guān)院所，北京大學(xué)、清華大學(xué)等相關(guān)高校，擁有國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域三分之一以上的科技資源，研發(fā)實(shí)力居于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，研發(fā)水平整體與國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家同步，大功率 LED 外延片、超低熱阻 LED 芯片等器件的多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)處于國(guó)際一流水平。

同時(shí)，北京聚集了天科合達(dá)公司、泰科天潤(rùn)公司、世紀(jì)金光公司等相關(guān)生產(chǎn)制造企業(yè)，中國(guó)電力科學(xué)研究院、中興北京研究所、精進(jìn)電動(dòng)科技公司等下游用戶單位，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了6英寸碳化硅晶圓的小批量制備和二極管等碳化硅相關(guān)器件的規(guī)模化生產(chǎn)，初步形成碳化硅材料及器件的研發(fā)、生產(chǎn)，應(yīng)用等各環(huán)節(jié)相對(duì)完整的產(chǎn)業(yè)鏈，為未來(lái)大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)、建設(shè)國(guó)家第三代半導(dǎo)體重大創(chuàng)新基地建設(shè)奠定了較好的基礎(chǔ)。

按產(chǎn)業(yè)上下游劃分，北京的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可以劃分為材料、芯片工藝、裝備制造、應(yīng)用等幾個(gè)方面。第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)前景廣闊，是北京市高精尖產(chǎn)業(yè)的重要內(nèi)容，更是順義確定發(fā)展的三大創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集群之一。目前北京第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地在中關(guān)村順義園加速建設(shè)，一些國(guó)內(nèi)的優(yōu)勢(shì)企業(yè)和大批創(chuàng)新型公司紛紛落戶基地，在北京初步形成了第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。在北京市科委、順義區(qū)政府和聯(lián)盟的共同推動(dòng)下，從頂層規(guī)劃與設(shè)計(jì)、平臺(tái)建設(shè)、新型研發(fā)機(jī)構(gòu)建設(shè)、產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境規(guī)劃與建設(shè)、產(chǎn)業(yè)聚集等多個(gè)層面進(jìn)行創(chuàng)新性探索，各項(xiàng)工作正在全面展開(kāi)。

第三代半導(dǎo)體作為戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料，其技術(shù)難度較大，國(guó)外對(duì)我國(guó)實(shí)行技術(shù)封鎖。針對(duì)北京市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我們建議如下。

（1）認(rèn)清差距，優(yōu)先發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)。材料環(huán)節(jié)，盡快突破大尺寸、高性能單晶襯底產(chǎn)業(yè)化技術(shù)；芯片設(shè)計(jì)與工藝環(huán)節(jié)，盡快突破碳化硅MOSFET、氮化鎵 HEMT 等芯片設(shè)計(jì)和工藝實(shí)現(xiàn)技術(shù)，解決可靠性關(guān)鍵技術(shù)，解決相關(guān)的驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用系統(tǒng)仿真等關(guān)鍵技術(shù)；封裝與測(cè)試環(huán)節(jié)，盡快解決高溫、高壓、高頻、高功率密度等條件下的封裝工藝、技術(shù)、材料等關(guān)鍵問(wèn)題，解決高壓、大電流、高頻、高溫等條件下的芯片和模塊測(cè)試技術(shù)問(wèn)題；工藝裝備方面，要充分發(fā)揮材料、工藝和裝備一體化的優(yōu)勢(shì)，結(jié)合產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，開(kāi)發(fā)先進(jìn)的包括刻蝕設(shè)備、高溫離子注入設(shè)備、高溫氧化設(shè)備、高溫退火設(shè)備等國(guó)產(chǎn)化工藝裝備，以滿足第三代半導(dǎo)體未來(lái)高速發(fā)展對(duì)裝備的需求。縮小技術(shù)差距要靠企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)持續(xù)投入研發(fā)，完成前期技術(shù)積累工作。鑒于北京已具備較為完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，資源優(yōu)勢(shì)明顯，加上目前氮化鎵射頻工藝基本都是基于碳化硅襯底上做氮化鎵外延，因此建議北京優(yōu)先發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)。在目前國(guó)內(nèi)企業(yè)普遍缺乏資金和技術(shù)實(shí)力的情況下，建議政府設(shè)立專項(xiàng)資金，集中有限資金重點(diǎn)支持，以天科合達(dá)（碳化硅材料）、泰科天潤(rùn)（碳化硅器件）、燕東微電子（碳化硅器件）、北方華創(chuàng)（碳化硅設(shè)備）為重點(diǎn)扶持單位。

（2）發(fā)揮政府主導(dǎo)作用，形成合力。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展是一個(gè)大規(guī)模的系統(tǒng)工程，建議通過(guò)政府作用，發(fā)掘和聚合北京市內(nèi)有限的科技力量，建立第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟，包括材料、芯片、封測(cè)、應(yīng)用、裝備各環(huán)節(jié)，形成上中下游緊密聯(lián)動(dòng)、聯(lián)合開(kāi)發(fā)、快速迭代驗(yàn)證。實(shí)現(xiàn)從企業(yè)技術(shù)引進(jìn)、政府主導(dǎo)關(guān)鍵技術(shù)合作開(kāi)發(fā)，到后續(xù)企業(yè)自主開(kāi)發(fā)過(guò)程。

（3）以應(yīng)用促發(fā)展，開(kāi)展典型試點(diǎn)示范。產(chǎn)業(yè)方面，以應(yīng)用促發(fā)展，開(kāi)展典型試點(diǎn)示范。以應(yīng)用為導(dǎo)向，建立“技術(shù)供給與市場(chǎng)拉動(dòng)一體化”的試點(diǎn)示范組織實(shí)施機(jī)制，制定包括技術(shù)集成、產(chǎn)品應(yīng)用、商業(yè)模式、工程監(jiān)管、標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)等在內(nèi)的系統(tǒng)化、集成化實(shí)施方案，重點(diǎn)開(kāi)展面向電動(dòng)汽車（充電、驅(qū)動(dòng)、無(wú)人駕駛）、新能源與能源互聯(lián)網(wǎng)（光伏逆變器、風(fēng)電變流器、智能微網(wǎng)中的各類固態(tài)變壓器、固態(tài)斷路器和開(kāi)關(guān)、儲(chǔ)能控制設(shè)備等微網(wǎng)控制設(shè)備）、5G 通信（基站和終端應(yīng)用）以及智能照明等重點(diǎn)領(lǐng)域的試點(diǎn)示范。以試點(diǎn)示范，加快技術(shù)成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化，促進(jìn)國(guó)產(chǎn)化應(yīng)用。試點(diǎn)布局方面建議以新能源汽車（北汽新能源）、充電樁（華商三優(yōu)）為重點(diǎn)建設(shè)。

（4）鼓勵(lì)民營(yíng)、外資等各種經(jīng)濟(jì)形式的企業(yè)投資。當(dāng)前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的民間投資出現(xiàn)良好勢(shì)頭，但更多關(guān)注芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，應(yīng)鼓勵(lì)各類經(jīng)濟(jì)實(shí)體投資半導(dǎo)體制造業(yè)，鼓勵(lì)發(fā)展第三代半導(dǎo)體專用材料及器件生產(chǎn)線，特別是有半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的大型企業(yè)集團(tuán)，使之有能力進(jìn)入這些領(lǐng)域，并依靠自己的經(jīng)濟(jì)實(shí)力生存下來(lái)并發(fā)展壯大。應(yīng)用方面建議從對(duì)可靠性要求相對(duì)較低的消費(fèi)級(jí)電子產(chǎn)業(yè)、對(duì)第三代半導(dǎo)體器件有剛性需求的產(chǎn)業(yè)（如光伏逆變器、5G 通信）、受政策導(dǎo)向影響較大的產(chǎn)業(yè)（如充電樁）等逐步切入市場(chǎng)。

（5）最大限度利用海外成熟技術(shù)和人才。通過(guò)在海外設(shè)研發(fā)中心、海外并購(gòu)或引進(jìn)海外人才的方式，短時(shí)間內(nèi)快速提升技術(shù)整合和自主開(kāi)發(fā)能力。美國(guó)和日本技術(shù)方面較先進(jìn)，但封鎖較嚴(yán)，尤其對(duì)中國(guó)，并購(gòu)企業(yè)的方式基本行不通，建議通過(guò)人才和技術(shù)引進(jìn)，或者在當(dāng)?shù)卦O(shè)研發(fā)中心的方式獲得資源。歐洲、俄羅斯等國(guó)技術(shù)也相對(duì)先進(jìn)，可以考慮尋找中小規(guī)模材料或器件企業(yè)整體并購(gòu)或團(tuán)隊(duì)整體引進(jìn)的方式獲得合作。

（6）鼓勵(lì)重點(diǎn)園區(qū)布局和建設(shè)。目前順義區(qū)已經(jīng)啟動(dòng)了第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)前期研究和規(guī)劃建設(shè)，專門制定了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，預(yù)留了 1000 畝的發(fā)展空間，制定了專項(xiàng)政策，包括成立專門機(jī)構(gòu)加強(qiáng)組織領(lǐng)導(dǎo)、整合土地資源豐富承載空間、統(tǒng)籌財(cái)政資金加大支持力度、吸引社會(huì)資本深化產(chǎn)融合作等。與此同時(shí)，北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)擁有天科合達(dá)、世紀(jì)金光、北方華創(chuàng)、燕東微電子等代表企業(yè)，建議開(kāi)發(fā)區(qū)政府加大政策扶持力度，提供資金幫助，推進(jìn)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 4 英寸和 6 英寸碳化硅產(chǎn)品的規(guī)模化發(fā)展，持續(xù)提升良品率和市場(chǎng)導(dǎo)入率；加快解決第三代半導(dǎo)體的裝備問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)材料、工藝、裝備一體化。

南有亦莊，北有順義，建議以“順義第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)創(chuàng)新公共平臺(tái)”為核心，以燕東微電子、泰科天潤(rùn)為牽頭項(xiàng)目，加快招引優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目，打造集研發(fā)、生產(chǎn)、科技服務(wù)和孵化于一體的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地。最終實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，共同協(xié)作，包括材料、設(shè)備和關(guān)鍵零部件的技術(shù)突破，并帶動(dòng)后端應(yīng)用市場(chǎng)的拓展。