TMR2905采用了一個獨特的推挽式惠斯通全橋結構設計,包含四個非屏蔽高靈敏度TMR傳感器元件。當外加磁場沿平行于傳感器敏感方向變化時,惠斯通全橋提供差分電壓輸出,并且該輸出具有良好的溫度穩定性。TMR2905性能優越,采用的封裝形式: SOP8(6mm x 5mm x 1.5mm)。
典型輸出曲線
下圖列出了TMR2905傳感器輸出隨外加磁場強度變化(外加磁場±5 Oe、±30 Oe,工作電源1V)的典型曲線。
引腳定義及功能框圖
(SOP8 頂視圖)
引腳號 | 符號 | 引腳描述 |
3 | GND | 地 |
4 | V- | 模擬差分輸出 2 |
5 | V+ | 模擬差分輸出 1 |
6 | VCC | 電源 |
1、2、7、8 | N/A | 空腳 |
極限參數
參數 | 符號 | 限值 | 單位 |
工作電壓 | VCC | 7 | V |
反向供電電壓 | VRCC | 7 | V |
外加磁場 | H | 3000 | Oe(1) |
ESD 性能(HBM) | VESD | 4000 | V |
使用溫度 | TA | -40 ~ 125 | °C |
存儲溫度 | Tstg | -50 ~ 150 | °C |
性能參數(VCC=1.0V,TA=25°C,差分輸出)
參數 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
工作電壓 | VCC | 正常工作 | 1 | 7 | V | |
工作電流 | ICC | 輸出開路 | 0.2(2) | mA | ||
電阻值 | R | 2 | 5 | 8 | kOhm | |
靈敏度 | SEN | 在±5 Oe范圍擬合 | 45 | 60 | mV/V/Oe | |
飽和磁場 | Hsat | ±10 | Oe | |||
非線性度 | NONL | 在±5 Oe范圍擬合 | 2 | %FS | ||
失調電壓 | Voffset | -30 | 30 | mV/V | ||
磁滯 | Hys | 在±5 Oe范圍擬合 | 2 | Oe | ||
電阻值溫度系數 | TCR | H =0 Oe | -500 | PPM/°C | ||
靈敏度溫度系數 | TCS | -1100 | PPM/°C |
注:
(1)1Oe (Oersted) =1Gaussinair=0.1 millitesla= 79.8A/m。
(2)ICC= VCC/R, 不同產品的阻值不同,因此工作電流Icc在1V供電時會有所不同,可根據要求定制。
封裝尺寸
SOP8封裝圖:
傳感元件位置
SOP8封裝
單位:毫米
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