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關于低功耗MCU技術對物聯網市場的影響分析

0oS6_華虹宏 ? 來源:djl ? 2019-10-18 11:32 ? 次閱讀

華虹宏力 這里有我們的故事

華虹宏力執行副總裁 孔蔚然博士

物聯網IoT)逐漸成為微控制器MCU)的主要應用市場之后,開發具備高能效比的MCU產品成為各廠商的重點方向。而一款低功耗MCU的成功開發,是內核、外設電路和工藝三方面共同作用的結果。隨著新工藝技術的不斷推出,制造工藝的重要性正在不斷提升。

專為物聯網打造超低功耗工藝平臺

根據預測,到2020年左右世界上將有超過500億臺設備實現聯網。這使得有關物聯網的話題備受行業矚目。然而,如此之多的設備連接進入網絡(很多設備是無線聯網),必將對芯片功耗十分敏感。具有低功耗、高性能的MCU解決方案,可以簡化系統設計,降低整體功耗,幫助系統設計人員將聯網設備更快推向市場。因此,隨著物聯網市場的發展,具備高集成、低功耗的MCU日益受到市場歡迎。

“華虹宏力有一套專為物聯網打造的0.11微米超低功耗(ULL)嵌入式eFlash及eEEPROM工藝平臺,晶體管靜態功耗達到0.2pA/um。同時可實現超低功耗數字、模擬電路、嵌入式閃存與RF-CMOS的技術結合,可為物聯網客戶量身定制性價比優越、全面靈活的解決方案。”在接受《中國電子報》采訪時,華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士表示。

華虹宏力0.11微米超低功耗雙柵型嵌入式閃存技術平臺擁有四大優勢:一是超低功耗,器件靜態功耗可達到0.2pA/um(ULL平臺)、3pA/um(LP平臺);Flash IP待機功耗(Isb)可低至0.1uA,且支持1.2V低電壓操作;數字標準單元庫支持工作電壓范圍1.08到1.65伏;完整的電源管理(PMK)單元,便于超低功耗芯片設計。二是高集成度,標準單元庫密度達到310K gates/m㎡, SRAM單元面積為 1.61u㎡;單芯片集成了Flash、EEPROM和RF-CMOS模塊,可為物聯網芯片提供包括無線通訊在內的完整解決方案。三是高性能,Flash IP的讀取速度到達60MHz,工作電流低至30uA/MHz。四是超低制造成本,標準4層金屬層嵌入式閃存工藝僅需24層光罩,是業界具有最少的光罩層數的嵌入式閃存及EEPROM工藝技術。

“華虹宏力通過eFlash/eEEPROM工藝平臺提供定制化的Flash IP/EEPROM IP——讀速度可達60MHz的高速IP與靜態電流(Standby)低于0.1uA的低功耗IP,可以幫助客戶發展高性能的MCU產品,滿足包括物聯網在內的各種多元化應用。”華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士說。

高中低端MCU市場全方位覆蓋

作為全球第二大8英寸純晶圓代工廠,華虹宏力依托在細分領域的競爭優勢,打造了嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理、邏輯及射頻等先進的差異化工藝技術平臺。經過多年的努力,MCU已成為華虹宏力最大的業務分支。華虹宏力擁有高端MCU所用的eFlash/eEEPROM技術平臺,同時提供入門級MCU所用的高性價比OTP/MTP技術平臺。

“面向低成本市場并不意味著技術含量低。華虹宏力0.18微米OTP/MTP技術平臺采用了業內最具競爭力的光罩層數、面積較小且讀寫速度更快及功耗更低的IP模塊。在保證性價比的基礎上,為客戶提供可用于多種應用的MCU解決方案。”華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士說。

華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士進一步表示,物聯網的宗旨是萬物皆可聯網,借以構成龐大的應用系統,并打造智慧的生活環境。MCU作為物聯網的核心組件之一,無論在市場規模還是技術上都將獲得進一步發展。針對迅猛發展的MCU市場,華虹宏力全系列的嵌入式非易失性存儲器工藝平臺組合可提供業界領先的代工服務,產品應用覆蓋高、中、低端MCU芯片,為MCU設計公司提供了業內最多種的選擇方案。此外,公司目前還在積極研發,進一步升級工藝技術,計劃將未來MCU產品逐步導入更具有競爭力的90納米和95納米嵌入式非易失性存儲器工藝平臺。

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