首次公開采樣，TI制造的集成高壓GaN FET和驅動器解決方案實現了兩倍的功率密度和一半的功率損耗

達拉斯， 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于數十年的電源管理創新，德州儀器（TI）（納斯達克股票代碼：TXN）今天宣布推出600 -V氮化鎵（GaN）70mΩ場效應晶體管（FET）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅動器集成GaN解決方案的半導體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數字電源轉換控制器相結合，使設計人員能夠創建更小，更高效和更高性能的設計。這些優勢在隔離的高壓工業，電信，企業計算和可再生能源應用中尤為重要。

“LMG3410可靠性測試超過300萬小時，為電源設計人員提供服務TI公司負責高壓電源解決方案的副總裁，他表示有信心實現GaN的潛力，并以前所未有的方式重新考慮其電源架構和系統。 “擴展TI在制造能力和廣泛系統設計專業知識方面的聲譽，新的功率級是GaN市場的重要一步。”

憑借其集成驅動器和零反向恢復電流等功能， LMG3410提供可靠的性能，特別是在硬開關應用中，它可以顯著降低開關損耗高達80％。與獨立的GaN FET不同，易于使用的LMG3410集成了內置智能，可用于溫度，電流和欠壓鎖定（UVLO）故障保護。

經過驗證的制造和封裝專業知識
LMG3410是第一款包含TI生產的GaN FET的半導體集成電路（IC）。憑借多年制造和工藝技術方面的專業知識，TI在硅兼容工廠中創建了GaN器件，并通過超越典型聯合電子器件工程委員會（JEDEC）標準的實踐對其進行了鑒定，以確保GaN的可靠性和穩健性。要求苛刻的用例易于使用的封裝將有助于提高GaN功率設計在功率因數控制器（PFC）AC/DC轉換器，高壓DC總線轉換器和光伏（PV）逆變器等應用中的應用。

LMG3410的主要特性和優點

功率密度加倍。與最先進的硅基升壓功率因數轉換器相比，600V功率級在圖騰柱PFC中的功耗降低了50％。減少材料清單（BOM）數量和提高效率可使電源尺寸減少多達50％。

降低封裝寄生電感。與分立式GaN解決方案相比，新器件的8毫米×8毫米四方扁平無引線（QFN）封裝可降低功率損耗，元件電壓應力和電磁干擾（EMI）。

啟用新拓撲。GaN的零反向恢復電荷有利于新的開關拓撲，包括圖騰柱PFC和LLC拓撲結構，以提高功率密度和效率。

擴大GaN生態系統
為了支持在電源設計中充分利用GaN技術的設計人員，TI還推出了新產品來擴展其GaN生態系統。 LMG5200POLEVM-10是一款48V至1V負載點（POL）評估模塊，將包括新型TPS53632G GaN FET控制器，與80V LMG5200 GaN FET功率級配合使用。該解決方案可在工業，電信和數據通信應用中實現高達92％的效率。

可用性和定價
TI將提供包含半橋的開發套件子卡和四個LMG3410 IC樣品。第二個套件包含系統級評估主板。當一起使用時，這兩個套件可以立即進行基準測試和設計。這兩款開發套件現已在TI商店購買，價格分別為 $ 299.00 和 $ 199.00 。

其他資源：

查看TI的GaN解決方案產品組合。

利用數字電源轉換控制器增強您的GaN體驗。

下載這些白皮書：

“使用集成驅動程序優化GaN性能。”

“GaN FET-based CCM Totem-Pole Bridgeless PFC。”

閱讀博客文章“讓GaN一起，可靠地”，并在Power House博客上探索更多的GaN帖子。

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關于德州儀器

德州儀器（TI）是一家全球半導體設計和制造公司，致力于開發模擬集成電路（IC）和嵌入式處理器。通過采用世界上最聰明的人才，TI創造了塑造技術未來的創新。如今，TI正在幫助超過100,000名客戶改變未來。