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關(guān)于HF900在高壓設(shè)計(jì)方面的便利性分析

MPS芯源系統(tǒng) ? 來(lái)源:djl ? 2019-10-12 14:05 ? 次閱讀

MPS提供業(yè)界首顆單片集成900V FET芯片—HF900,為工程師提供了高輸入電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì)利器。在智能電表的設(shè)計(jì)中,HF900不僅能提供符合耐壓要求的功率器件,更能簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),減小電源尺寸,提高產(chǎn)品的可靠性。

在傳統(tǒng)單相電表設(shè)計(jì)中,為了克服寬輸入范圍,一般采用MOSFET層疊式的方案。而HF900由于集成了900V FET,提供了更加簡(jiǎn)潔的設(shè)計(jì)(參見圖一)。

圖一 傳統(tǒng)層疊式反激電路與HF900反激電路的比較 (點(diǎn)擊看大圖)

關(guān)于HF900在高壓設(shè)計(jì)方面的便利性分析

簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的同時(shí),HF900在設(shè)計(jì)中,還充分考慮了芯片的熱特性。由于獨(dú)特的單片集成工藝和封裝結(jié)構(gòu),芯片的溫升比一般的co-pack方案低許多(參見表一)。同樣重要的是,HF900能夠更準(zhǔn)確地測(cè)量到同一個(gè)DIE上的FET的溫度。當(dāng)FET溫度超過(guò)150°C時(shí),芯片關(guān)閉FET,全面保證電源的可靠工作。

表一

關(guān)于HF900在高壓設(shè)計(jì)方面的便利性分析

測(cè)試條件: VIN=597VDC, POUT=5W, 不加散熱器

總結(jié):

1. 低EMI

單片集成的FET采用GND為襯底的平面DMOS結(jié)構(gòu),相比以Drain為襯底的垂直溝道FET,動(dòng)點(diǎn)面積更小,有利于降低EMI干擾。此外,HF900提供了抖頻功能,幫助工程師克服EMI干擾。

2. 不對(duì)PLC產(chǎn)生影響

HF900還充分考慮了PLC在電表中廣泛應(yīng)用的實(shí)際情況,采用定頻工作且頻率可設(shè)的方式,保證不對(duì)PLC產(chǎn)生影響。

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