Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時(shí)魯汶的微電子研發(fā)中心共同開發(fā)新的光刻膠和殘留物去除工藝。

重點(diǎn)是針對(duì)具有0.13微米和更小設(shè)計(jì)規(guī)則的器件的低k和銅處理。具有低k常數(shù)（通常小于3.0）的介電材料的出現(xiàn)對(duì)于制造具有小于0.15微米的幾何形狀的芯片是至關(guān)重要的。一個(gè)重要的挑戰(zhàn)是在有機(jī)基介電材料上剝離光刻膠。這些抗蝕劑對(duì)于使用先進(jìn)的光刻系統(tǒng)進(jìn)一步設(shè)計(jì)縮小也是至關(guān)重要和潛在的障礙（參見3月在線雜志的報(bào)道）。

Mattson自1998年以來一直與IMEC合作推進(jìn)用于加工設(shè)備的干剝離技術(shù)具有0.18至0.13的設(shè)計(jì)規(guī)則。該研究正在Mattson的雙室Aspen Strip系統(tǒng)上進(jìn)行，該系統(tǒng)安裝在IMEC位于魯汶的研究機(jī)構(gòu)。

IMEC干蝕刻開發(fā)經(jīng)理Serge Vanhaelemeersh解釋說，使用Aspen Strip的決定是由于該系統(tǒng)獨(dú)特的電感耦合等離子體（ICP）源技術(shù)和IMEC之前使用該系統(tǒng)的經(jīng)驗(yàn)。 “新的低k和銅材料的挑戰(zhàn)需要一種新的，更先進(jìn)的清潔方法，”Vanhaelemeersh說。

“我們之前使用ICP技術(shù)進(jìn)行抗蝕劑和聚合物去除開發(fā)的高劑量注入，多晶硅和帶狀應(yīng)用的0.18至0.13微米設(shè)計(jì)規(guī)則使得Aspen Strip成為這一先進(jìn)條帶項(xiàng)目的合理選擇。 “

根據(jù)Mattson Technology首席執(zhí)行官Brad Mattson的說法，聯(lián)合開發(fā)項(xiàng)目提供了一個(gè)很好的機(jī)會(huì)來幫助推進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)發(fā)展，同時(shí)保持公司在抗蝕劑剝離技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 “技術(shù)收益，甚至增量，都是非常昂貴的。在資格和評(píng)估階段，通常會(huì)產(chǎn)生最大的費(fèi)用，因?yàn)樗鼈冃枰褂弥圃飙h(huán)境，”Mattson說。 “這個(gè)項(xiàng)目將使Mattson與IMEC合作，利用IMEC的晶圓生產(chǎn)線來幫助快速驗(yàn)證新工藝，并將帶鋼創(chuàng)新更快地推向市場(chǎng)。”

根據(jù)最近的Dataquest報(bào)告，Mattson Technology是干的根據(jù)1999年的系統(tǒng)銷售情況，剝離市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者.Mattson的6300萬美元帶鋼收入占市場(chǎng)份額的27.8％，比最接近的供應(yīng)商高出近5％。