更環(huán)保的技術？

持之以恒研發(fā)適用于高能效設計的產品？堅持不懈幫助減少全球二氧化碳排放？近日，英飛凌推出的新品OptiMOS 5 150V功率MOSFET產品組合就是最佳注腳。不僅可以降低電信設備能耗，而且可以改善電動汽車的功率和續(xù)航里程，更環(huán)保的技術，OptiMOS 5 150V功率MOSFET當之無愧。

細數那些“Breakthrough”

1. Breakthrough in RDS(on)——比之僅次于它的替代產品，采用SuperSO8封裝的OptiMOS 5 150V功率MOSFET可以將導通電阻RDS(on)大幅降低25%

表1：OptiMOS 5 150V與僅次于它的替代產品的導通電阻RDS(on)比較圖

（在SuperSO8、D2PAK、TO-220三種封裝條件下）

2. Breakthrough inQrr——比之僅次于它的替代產品，采用SuperSO8封裝的OptiMOS 5 150V功率MOSFET可以將反向恢復電荷Qrr大幅降低72%，增強了通流耐受性

表2：OptiMOS 5 150V與僅次于它的替代產品的反向恢復電荷Qrr比較圖

而且這一切都是在不犧牲品質因素FOMgd和FOMOSS的前提下，OptiMOS 5 150V功率MOSFET的推出在優(yōu)化系統(tǒng)能效的同時有效簡化了設計難度，兼具更出色的EMI性能，可謂一舉多得~

特別的給特別的你

1特別的——關鍵性能總結

在不犧牲品質因素FOMgd和FOMOSS的前提下，大幅降低導通電阻RDS(on)；

大幅降低輸出電荷；

極低的反向恢復電荷Qrr；

增強了流通耐受性；

讓更高的開關頻率成為可能；

2給特別的你——主要應用領域

Low voltages drives—低壓驅動，例如：低壓馬達驅動等；

Telecom—通信，例如：通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流等；

Solar—太陽能，例如：太陽能電源優(yōu)化器等；

圖1：OptiMOS 5 150V功率MOSFET產品主打三大應用領域

3更多的——6大封裝齊聚

SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎上進一步增大功率密度、減少漏源電壓VDS的尖峰。

6大封裝齊聚：除了SuperSO8封裝亮點，英飛凌此次更是齊聚6大封裝。

圖2：OptiMOS 5 150V功率MOSFET產品組合“全家福”

可以說，英飛凌最新推出的OptiMOS 5 150V產品家族將進一步壯大行業(yè)領先的最新一代OptiMOS 5功率MOSFET的陣容。