在工藝節點進入了28nm之后，因為受限于硅材料本身的特性，晶圓廠和芯片廠如果還想通過晶體管微縮，將芯片性能按照之前的步伐提升，這是基本不可能的，為此各大廠商現在都開始探索從封裝上入手去提升性能，臺積電是當中的一個先驅。

首先，打入眾多客戶內部的臺積電Bumping服務是臺積電封裝業務的一個基本以來。據介紹，超過90%的7nm客戶都選擇了臺積電的bumping服務。

其次就是Cowos業務。八年前。在臺積電2011 年第三季法說會上，臺積電創始人張忠謀毫無預兆擲出重磅炸彈──臺積電要進軍封裝領域。他們推出的第一個先進封裝產品是CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)。意思就是將邏輯芯片和DRAM 放在硅中介層(interposer)上，然后封裝在基板上。

據介紹，自推出以來，臺積電COWOS封裝技術獲得了超過50個客戶的選用，公司在這個封裝技術上也獲得了業界最高的良率。在他們看來，COWOS將會在未來越來越重要，市場需求也會逐漸提升，臺積電也會從各個角度來優化，簡化客戶COWOS設計流程，加快產品的上市速度。

這個封裝技術也能為創新提供各種各樣的支持。

除了bumping 和COWOS之外，InFO(Integrated Fan-Out)也是臺積電封裝武器庫里的另一個殺手锏。所謂InFO，就是整合型扇出技術。這是一項非穿孔技術，是專為如移動及消費性產品等對成本敏感的應用開發出來的封裝技術。

據介紹，這種技術分為三類：一種是InFO_oS(Integrated Fan-Out on substrate)，另一種是InFO_mS( Integrated Fan-Out memory on substrate),還有一種是InFO_POP.

此外，臺積電還推出了另類的InFO工藝SoW(System on Wafer)。

臺積電方面表示,這兩個封裝技術將會在公司的先進封裝布局中扮演重要角色，也能夠為AI、服務器、網絡、AI推理和移動等芯片提供全方位的支持。

根據臺積電的劃分，以上幾種屬于他們的后段3D封裝。為了進一步推動芯片性能的提升，臺積電也推出了前道3D封裝工藝SOIC(system-on-integrated-chips)和全新的多晶圓堆疊(WoW，Wafer-on- Wafer)。

臺積電方面進一步表示，通過后段3D封裝的后果是獲得了一個可以直接使用的芯片，而使用前道封裝獲得了則只是一個異構芯片，還需要我們進行封裝才能獲得可用的芯片。

所謂SoIC是一種創新的多芯片堆棧技術，能對10納米以下的制程進行晶圓級的接合技術。該技術沒有突起的鍵合結構，因此有更佳運作的性能。

具有革命性意義的工藝技術Wafer-on-Wafer (WoW，堆疊晶圓)，就像是3D NAND閃存多層堆疊一樣，將兩層Die以鏡像方式垂直堆疊起來，有望用于生產顯卡GPU，創造出晶體管規模更大的GPU。據介紹，WoW技術通過10μm的硅穿孔方式連接上下兩塊die，這樣一來可以在垂直方向上堆疊更多die，也意味著die之間的延遲通信極大地減少，引入更多的核心。