設計了肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和尺寸，采用點支撐空氣橋結(jié)構(gòu)降低器件在高頻下的損耗，根據(jù)二極管測試結(jié)果和實際結(jié)構(gòu)，分別建立了肖特基結(jié)的非線性模型和三維電磁場模型。依據(jù)此模型，采用平衡式電路設計，將二極管放置在波導內(nèi)，利用模式正交性很好地實現(xiàn)輸入與輸出信號的隔離，簡化了電路結(jié)構(gòu)，降低了損耗，成功設計并制作出300 GHz二倍頻器，在312～319 GHz的倍頻效率大于5%，最大倍頻效率為10.1%@316 GHz，在307 GHz～318 GHz的輸出功率大于4 mW，最大輸出功率為8.7 mW@316 GHz。采用較高摻雜濃度材料二極管的倍頻器最大效率為13.7%，最大輸出功率為11.8 mW。該倍頻器的輸出功率與已報道水平相當，驗證了國產(chǎn)肖特基二極管的設計、工藝以及高頻工作等方面的能力。

0 引言

太赫茲波的頻率范圍為0.3 THz～3 THz，與微波毫米波相比，太赫茲波的頻率高、波長小，具有分辨率高、帶寬寬和安全性高等優(yōu)點，在射電天文、醫(yī)學、通信、安全和國防等領域具有廣闊的應用前景［1-5］。由于缺少太赫茲頻段功率源，太赫茲電子系統(tǒng)的發(fā)展非常緩慢。在毫米波頻段，功率源一般通過放大器實現(xiàn)，而在太赫茲頻段放大器多采用InP基的放大器，其功率較小，無法滿足應用要求。基于肖特基二極管實現(xiàn)的固態(tài)高效倍頻技術是目前獲取高功率太赫茲頻段信號的一種重要途徑。

國外的肖特基二極管及相應的倍頻技術已經(jīng)發(fā)展了幾十年，技術成熟，并已經(jīng)商業(yè)化。目前，混頻肖特基二極管的工作頻率達到3.2 THz［6］，倍頻肖特基二極管工作頻率達2.7 THz［7］，幾乎覆蓋了整個太赫茲頻段。由于國內(nèi)平面肖特基二極管技術發(fā)展較晚，倍頻器的設計多采用國外的商用二極管，不利于太赫茲電子系統(tǒng)的國產(chǎn)化。本課題組于2013年研制出截止頻率達3.9 THz的平面GaAs肖特基二極管，為太赫茲倍頻器的國產(chǎn)化奠定了器件基礎［8］。

本文采用國產(chǎn)的平面GaAs肖特基二極管設計出300 GHz二倍頻器。肖特基二極管為反向串聯(lián)的4管芯結(jié)構(gòu)，陽極指為點支撐空氣橋結(jié)構(gòu)，降低器件寄生電容，提高器件性能。采用場路結(jié)合的方式建立了肖特基二極管的模型，提高了模型精度。電路結(jié)構(gòu)上采用平衡式設計，抑制奇次諧波，輸出偶次諧波，二極管放置在減高波導內(nèi)，利用模式的正交性，實現(xiàn)基波與二次諧波的隔離，在簡化電路的同時又降低了損耗。

1 肖特基二極管建模

1.1 二極管的選擇與制備

根據(jù)300 GHz倍頻電路和腔體尺寸，選擇肖特基二極管的長寬分別為340 μm×60 μm，肖特基結(jié)直徑為3 μm，陽極結(jié)數(shù)為4，合理設計二極管的pad大小、陽極指的長度等結(jié)構(gòu)參數(shù)，以便易于倍頻電路的匹配。為降低器件的寄生電容，陽極指在工藝上采用點支撐空氣橋結(jié)構(gòu)，降低器件在高頻下的損耗。圖1所示為砷化鎵肖特基二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

陽極接觸制作在低摻雜的n型砷化鎵外延層，然后通過外延層刻蝕露出高摻雜的砷化鎵層，在該層制作歐姆接觸，歐姆接觸距肖特基結(jié)幾微米。采用窄的金屬即陽極指連接肖特基結(jié)和較大陽極接觸金屬，形成電流通路。去除陽極指下面的砷化鎵材料，實現(xiàn)陽極和陰極的隔離。最后采用二氧化硅或氮化硅材料對器件表面進行鈍化。圖2所示為制備完成后的反向串聯(lián)肖特基二極管SEM照片。

1.2 二極管的電流電壓特性

在正向偏置條件下，金屬-砷化鎵界面的電子輸運機制包括熱電子發(fā)射、空間電荷區(qū)的復合以及中性區(qū)的復合。在反向偏置條件下，電子輸運機制為量子隧穿效應。對于良好的金半接觸，熱電子發(fā)射為主要的輸運機制。這樣，肖特基二極管的電流電壓（I-V）關系可用下式表示［9］：

其中，Id為二極管總電流，Is為反向飽和電流，Vj為結(jié)電壓，q為電子電荷，n為理想因子，A為結(jié)面積，A**為有效理查德森常數(shù)，T為絕對溫度，φb為勢壘高度，kB為波爾茲曼常數(shù)。

圖3為測試得到的肖特基二極管電流電壓特性，由此可提取出肖特基二極管結(jié)的一些非線性參數(shù)。

1.3 二極管的三維電磁場模型

模型是電路設計的基礎，其精度關系到倍頻模塊設計的準確度，也是能否充分發(fā)揮二極管性能的關鍵。平面肖特基二極管建模的方法有多種，包括基于測量的行為特性或線性理論的等效電路模型法、閉合經(jīng)驗公式法和二極管三維電磁模型分析法等［10］，其中二極管三維電磁模型分析法是目前較為常用、精度較高的一種方法。該建模方法的思路是根據(jù)肖特基二極管的器件實際結(jié)構(gòu)建立二極管無源部分的三維模型，用來描述肖特基二極管在高頻下的寄生參量，同時器件的有源肖特基結(jié)部分采用非線性集總元件模型，以描述器件的直流以及大信號等非線性特性。

肖特基二極管無源部分是通過電磁仿真軟件建立三維結(jié)構(gòu)參數(shù)模型，根據(jù)二極管器件的半導體材料層次分布和與器件工藝相關的三維物理結(jié)構(gòu)尺寸，建立肖特基二極管三維仿真模型，如圖4所示。模型從上到下的層次結(jié)構(gòu)參數(shù)如表1所示。

根據(jù)式（1）和式（2）對測試得到的肖特基二極管的電流電壓特性進行數(shù)值分析和擬合，可得到器件的相關電學模型參數(shù)，如表2所示。

2 電路設計

300 GHz倍頻電路的設計是基于平衡式的拓撲結(jié)構(gòu)，如圖5所示，該結(jié)構(gòu)可以抑制奇次諧波，輸出偶次諧波，簡化了電路結(jié)構(gòu)。為增加輸出功率，倍頻器采用反向串聯(lián)的4管芯平面肖特基二極管結(jié)構(gòu)。兩個二極管芯片反向串聯(lián)安裝在位于波導結(jié)構(gòu)中的電路上。輸入矩形波導中的信號（TE10模）饋入到二極管陣列中，相應產(chǎn)生二次諧波（TEM模）。利用模式的正交性，可以有效實現(xiàn)輸入與輸出之間的隔離而不需要外加濾波器，在簡化電路的同時又降低了損耗。另外輸入波導采用減高波導的形式，這樣可以截止輸入信號的TM11模式，使得信號能更好地耦合進二極管中。直流偏置電路采用低通濾波器實現(xiàn)，以阻止二次諧波的泄漏。

電路仿真采用非線性電路諧波仿真和三維電磁場仿真相結(jié)合的方法。倍頻器三維結(jié)構(gòu)仿真模型如圖6所示，輸入端采用WR6波導，輸出端采用WR2.8波導。輸入端增加一級減高波導，通過調(diào)整減高波導的長度和二極管的位置來進行輸入阻抗的匹配，輸出阻抗采用懸置微帶線進行匹配。電路偏置通過低通濾波器來實現(xiàn)，以防止產(chǎn)生的二次倍頻信號從直流偏置端口泄漏。電路采用懸置微帶形式，電路基板為50 μm厚的石英材料，其介電常數(shù)較小（3.78），可以降低電路的傳輸損耗。

仿真時輸入基波功率采用100 mW左右，以提高電路效率為仿真優(yōu)化目標，倍頻電路效率仿真結(jié)果如圖7所示。倍頻模塊在306 GHz～322 GHz的仿真倍頻效率大于5%，其中314 GHz～319 GHz的倍頻效率大于10%。

3 測試與結(jié)果分析

圖8所示為輸出功率測試系統(tǒng)框圖，射頻信號由信號源產(chǎn)生，經(jīng)6倍頻器和功率放大器輸出大功率E波段信號，進入150 GHz二倍頻器產(chǎn)生基波信號，基波信號經(jīng)過二次倍頻產(chǎn)生300 GHz的射頻信號，通過功率計測量其功率值。

300 GHz倍頻器照片和輸出功率的測試結(jié)果如圖9所示。倍頻器在312～319 GHz的倍頻效率大于5%，最大倍頻效率為10.1%@316 GHz；在307 GHz～318 GHz的輸出功率大于4 mW，最大輸出功率為8.7 mW@316 GHz。在不改變電路和腔體結(jié)構(gòu)的情況下，將器件替換為具有較高摻雜濃度n-層砷化鎵材料的肖特基二極管，并進行了測試，結(jié)果如圖10所示，倍頻器的最大輸出功率達到11.8 mW@316 GHz，最大倍頻效率為13.7%。從圖中可以看出倍頻器的帶寬有所減小，但是最大輸出功率和效率得到很大的提高，這主要是由于采用較高摻雜濃度的材料，降低了二極管的串聯(lián)電阻。

表3對比了國內(nèi)外300 GHz附近倍頻器的性能，從表中可以看出采用國產(chǎn)肖特基二極管研制出的倍頻器的輸出功率與已知文獻報道水平相當，但倍頻效率偏低，主要是因為所用二極管的結(jié)電容偏小，不適合該頻段工作，如采用較大的結(jié)電容，可以獲得更高的倍頻效率。

圖11是倍頻效率仿真曲線和實測曲線的對比圖，可以看出實測的倍頻效率比仿真值小，同時帶寬也變窄。通過分析，可能有以下幾個方面原因：（1）仿真過程中基本都采用理想材料特性和理想條件，導致仿真結(jié)果較好；（2）二極管的結(jié)電容較小，由于儀器精度問題，無法進行精確測量，只能采用理論計算的方式，可能與實際值有偏差；（3）二極管采用手動裝配，偏差較大，由于頻段較高，裝配精度對倍頻器的性能影響較大，采用單片電路設計可以省去二極管裝配步驟，提高裝配精度。

4 結(jié)論

本文根據(jù)國產(chǎn)肖特基二極管的測試數(shù)據(jù)，提取了二極管的肖特基結(jié)的非線性參數(shù)，參照工藝和二極管實際結(jié)構(gòu)，建立了三維電磁場模型。采用平衡式電路結(jié)構(gòu)成功設計并制作出基于國產(chǎn)肖特基二極管的300 GHz二倍頻器，在312～319 GHz的倍頻效率大于5%，最大倍頻效率為10.1%@316 GHz，在307 GHz～318 GHz的輸出功率大于4 mW，最大輸出功率為8.7 mW@316 GHz。采用較高摻雜濃度材料二極管的倍頻器最大效率為13.7%，最大輸出功率為11.8 mW。測試結(jié)果與仿真基本一致，輸出功率與國內(nèi)外水平相當，驗證了肖特基二極管的能力和倍頻器設計方法，但由于模型和裝配精度問題導致實測效率有所下降且?guī)捿^窄。同時由于所用二極管結(jié)電容偏小導致倍頻效率較低，下一步將采用較大的結(jié)電容，以期獲得更高的倍頻效率和輸出功率。

參考文獻

［1］ AL-LBADI A，CASSAR Q，ZIMMER T，et al.THz spectroscopy and imaging for breast cancer detection in the 300-500 GHz range［C］.42th International Conference on Infrared，Millimeter，and Terahertz Waves，2017.

［2］ 姚建銓，遲楠，楊鵬飛，等。太赫茲通信技術的研究與展望［J］。中國激光，2009，36（9）：2213-2233.

［3］ THOMAS K，Turning THz communications into reality： status on technology， standardization and regulation［C］.43th International Conference on Infrared，Millimeter，and Terahertz Waves，2018：1-3.

［4］ 閆昱琪，趙成強，徐文東，等。太赫茲主動關聯(lián)成像技術研究［J］。中國激光，2018，45（8）：280-287.

［5］ KORBINIAN K，BINBIN Z，KAI H T，et al.Ultra-broadband THz spectroscopy for sensing and identification for security applications［C］.43th International Conference on Infrared，Millimeter，and Terahertz Waves，2018：978.

［6］ BULCHA B T，HESLER J L，DRAKINSKIY V，et al.1.9-3.2 THz Schottky based harmonic mixer design and chara-cterization［C］.Proceedings of the 45th European Microwave Conference，2015：837-840.

［7］ CROWE T W，HESLER J L，POUZOU C，et al.Development and characterization of a 1.9 THz LO source［C］.Proceedings of 22nd International Symposium on Space Terahertz Technology，2011.

［8］ 邢東，馮志紅，王俊龍，等。陽極端點支撐空氣橋結(jié)構(gòu)太赫茲GaAs二極管［J］。半導體技術，2013，38（4）：279-282.

［9］ PARDO D，GRAJAL J，PERAZ-MORENO C G，et al.An assessment of availabler models for the design of shottky-based multipliers up to THz frequencies［J］.IEEE Transaction on Terahertz Science and Technology，2014，4（2）：277-287.

［10］ MASSOBRIO G，ANTOGNETTI P.Semiconductor device modeling with SPICE［M］.New York：McGraw-Hill，1993.

［11］ YAO C F，ZHOU M，LUO Y S，et al.A high-power 320-356 GHz frequency multipliers with Schottky diodes［J］.Chinese Journal of Electronics，2016，25（5）：986-990.

［12］ ALDERMAN B，HENRY M，SANGHERA H，et al.Schottky diode technology at rutherford appleton laboratory［C］.2011 IEEE International Conference Microwave Technology Computational Electromagnetics，2011：4-6.

［13］ CHATTOPADHYAY G，SCHLECHT E，WARD J，et al.An all solid-state broadband frequency multiplier chain at 1 500 GHz［J］.IEEE Transactions Microwave Theory and Techniques，2004，52（5）：1538-1547.

［14］ DING J Q，ALAIN M，LINA G，et al.High efficiency and wideband 300 GHz frequency doubler based on six schottky diodes［J］.J Infrared Milli Terahz Waves，2017，38（11）：1331-1341.