1、應用脈沖變壓器直接驅動功率IGBT

這種驅動電路的原理如圖1（a）所示，其輸出柵極驅動電壓和電流波形如圖1（b）所示。它的工作原理是來自控制脈沖形成單元的脈沖信號經高頻晶體管V進行功率放大后加到脈沖變壓器上，由脈沖變壓器隔離、耦合，經穩壓管VS1和VS2限幅后驅動IGBT。它的優點表現在：電路簡單，應用廉價的脈沖變壓器實現了被驅動IGBT與控制脈沖形成部分的隔離驅動級不需要專門的直流電源，簡化了電源結構，同時脈沖變壓器傳輸脈沖的頻率可以較高（一般最高工作頻率可達1000kHz左右）整個電路工作頻率較高，IGBT自身所需驅動電流又很小，所以脈沖變壓器可以做得很小；穩壓管VS1和VS2的引入限制了加到被驅動功率IGBT柵極G與發射極E之間的正、反向電壓，防止電壓UGE過高而損壞被驅動功率IGBT的控制絕緣柵。其不足表現在高頻脈沖變壓器因漏感及肌膚效應的存在較難繞制，且因漏感的存在容易出現UGE振蕩；為了限制振蕩，常常需增加柵極電阻RG，這就影響了柵極驅動脈沖前、后沿的陡度，降低了可應用的最高頻率；同時驅動電路自身不能對被驅動IGBT進行欠飽和、過飽和及過電流等保護。

2、采用分立式驅動電路來驅動IGBT

圖2（a）給出了分立式驅動電路原理，圖2（b）給出了其柵極驅動電壓的波形。它的工作原理是正常情況下，由于來自電流取樣環節BHL元件輸出的信號小于比較器A反相端整定的門檻值，比較器A輸出低電平，光耦合器VLC2不導通，反相器D輸出高電平，封鎖脈沖功能不起作用。當控制脈沖由低電平變為高電平時，光耦合器VLC1輸出低電平，V1截止，V2導通，電容C2給IGBT的GE結施以反向電壓，使其快速關斷；反之，當控制脈沖由高電平變為低電平時，VLC1輸出高電平，4011輸出低電平，V1導通，V2截止，提供IGBT導通時GE結所需的正向電壓，使IGBT快速導通。一旦發生過電流，則A輸出高電平，并經二極管VD自保，光耦合器VLC2導通，并輸出低電平，直接從末極驅動電路和脈沖形成部分封鎖掉控制脈沖。

該驅動電路的優點表現在：自身帶過電流保護功能，光耦合器VLC1的引入，提高了柵極驅動電路的抗干擾能力，同時實現了驅動電路與脈沖形成部分的隔離；互補推挽放大用晶體管V1、V2的引入，降低了驅動電路的輸出阻抗；電阻R1、R2及電容C1、C2的引入，使用戶可方便地對被驅動IGBT的正、反向驅動電壓進行調節，滿足了不同IGBT對柵極驅動電路輸出的+UGE和-UGE的大小不同要求。其缺點是受光耦合器VLC1傳輸速度的影響，其工作頻率不能很高，一般用高速光耦合器也僅能達到10～40kHz，且應用分立器件較多，抗干擾性能差同時受4011最高工作電源電壓的限制，使提供給IGBT柵極與發射極間正、反向電壓幅度相互牽制柵極驅動電路不能對被驅動IGBT進行欠飽和、過飽和及驅動級電源電壓監控等保護。

3、采用MOSFET驅動電路驅動IGBT

由于IGBT以MOSFET為輸入級，所以MOSFET的驅動電路同樣適用于IGBT。為了使IGBT穩定工作，一般要求雙電源供電方式。圖3給出了兩種典型的柵極驅動電路實例。圖3（a）中，輸入信號經整形器整形后進入放大級，放大級采用有源負載方式，以提供足夠的柵極電流。為消除可能出現的振蕩現象，IGBT的柵射極連接由RC網絡組成的阻尼濾波器，并且連接線采用雙絞線方式。圖3（b）所示的驅動電路中，輸入控制信號通過光耦合器進行隔離后引入驅動電路，然后經MOS管VF放大后由推挽式電路V1和V2向IGBT提供柵極驅動電壓。

4、由分立器件構成的具有UCS保護的驅動電路

IGBT的驅動電路必須具備兩種功能：一是實現控制電路與被驅動IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅動脈沖。實現電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。脈沖變壓器由于體積較大、輸出脈沖波形不夠理想，較少采用。圖4為采用光耦合器隔離的分立器件式IGBT驅動電路。當輸入控制信號時，光耦合器VLC導通，晶體管V1截止、V2導通，向被驅動IGBT柵射極提供15V驅動電壓。輸入信號uIN為低電平時，VLC截止，晶體管V1、V3導通，向被驅動IGBT柵-射極施加-10V電壓。應注意的是：+15V和-10V電源需靠近驅動電路。驅動電路輸出端及電源地端至IGBT柵極和射極的引線應采用雙絞線，長度最好不超過0.5m。對于容量在75A/1200V以內的IGBT，驅動器應能提供峰值電流為1A的充放電電流，對于150A/1200V及300A/1200V的IGBT，則需分別提供2A和4A的峰值電流。驅動電路中，VLC.、V1、V2及V3均需采用快速開關晶體管，使輸出脈沖的延遲加上升時間及延遲加下降時間均小于1.5μs。

圖4分立器件構成的IGBT驅動器