在IGBT的應用中，當外部負載發生故障，或者柵極驅動信號出現異常，或者某個IGBT或二極管突然失效，均可能引起IGBT短路，表現為橋臂內短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路狀態下需要同時承受高壓和大電流，并且需要維持一定的時間，因此如果發生了IGBT的短路失效而不能及時有效地控制，將會進一步損壞散熱器、電極母線、與之近鄰的IGBT及柵極驅動等，造成很大的損失。因此，IGBT的短路能力是一中很重要的參數，影響著IGBT及其系統裝置的可靠性。

當IGBT發生短路時，器件所承受的電壓來自外部母線電壓Vdc，所承受的電流為器件的飽和電流。當短路發生在lGBT阻斷時，由于IGBT的MOS溝道已經夾斷，IGBT的集電極電流幾乎不受集電極-發射極電壓（Vce）的影響，而受柵極電壓（Vge）的影響較大。然而當短路發生在IGBT導通時，由于IGBT的米勒效應，導致Vge進一歩升高，增加了短路電流。一般情況下，高壓IGBT的短路電流承受能力為額定電流的5~10倍。

1）從阻斷狀態直接進入短路狀態

lGBT的短路類型共有3種。第1種是lGBT從阻斷狀態直接進入短路狀態。IGBT在開始時處于阻斷狀態下，且集電極-發射極電壓Vce值較大，一般在額定電壓等級的一半以上。在柵極信號的作用下，lGBT開通并直接進入短路狀態。這時的短路電流值等于IGBT在標準柵壓（Vge=15V）下的飽和電流值，典型的測試波形如圖1所示。可以看出。IGBT在短路狀態下需要同時承受高壓和大電流，并維持一段時間（一般為10μs）。由于芯片在短路狀態下的結溫升高，短路電流隔時間增加而變小。在lGBT關斷時，Vce會發生過沖，為了避免Vce峰值超過額定電壓值，一般將柵極關斷電阻Rgoff設置較大，控制電流變化率di/dt的大小，實現軟關斷。

2）從導通狀態直接進入短路狀態

第2種是lGBT從導通狀態直接進入短路狀態。即IGBT在正向導通狀態下發生短路，集電極電流Ic從額定電流值迅速升高。電流變化率di/dt由集電極-發射極電壓Vce與串聯電感LSC決定。在這個過程中，由于米勒效應導致柵壓升高，因此短路電流峰值比第1種情況更大。如圖2所示。這種情況下lGBT需要承受更嚴峻的考驗，為了保護lGBT，需要在驅動電路中采用柵極電壓箝位措施。

3）從阻斷狀態首先進入導通狀態，然后進入短路狀態

第3種是IGBT從阻斷狀態首先進入導通狀態，然后進入短路狀態。開始時快恢復二極管（FRD）處于正向導通狀態，與之反并聯連接的lGBT處于阻斷狀態，發生短路后FRD從正向導通進入反向恢復狀態，因此IGBT會首先開通進入導通狀態，緊接著進入短路狀態，如圖3所示。這種情況下IGBT受短路沖擊的嚴峻性與第二種短路情況基本相同，但是FRD在反向恢復的狀態下需要承受很大的電壓變化率（dv/dt）的沖擊，其受沖擊的程度比IGBT更嚴峻。

綜上所述，IGBT在第2種短路類型下所承受短路的沖擊比在第1種短路類型下所承受的短路沖擊更大。第3種短路類型對IGBT的沖擊與第2種相似，面對FRD的沖擊相對更大一些。

根據短路失效發生的時間順序，可以將IGBT的短路過程的失效分為：短路開始時的過流失效、短路過程中的穩態失效、短路關斷時的過壓失效及短路關斷后的過熱失效，如圖4所示。

短路開始時的過流失效主要由閂鎖效應引起，而目前抗閂鎖技術較為成熟，一般較少發生，短路關斷時的過壓失效主要由過大的電流變化率（di/dt）導致，過壓則可以通過分步關斷，降低關斷的di/dt來避免。因此，目前最常見的IGBT失效是短路過程中的穩態失效和短路關斷后的過熱失效。過熱失效主要發生在中低壓IGBT。對高壓IGBT而言，最主要的失效是穩態失效，這是因為中低壓lGBT的襯底較薄，功率密度大。工作時溫升快而大，容易發生熱擊穿，而高壓IGBT的襯底較厚，功率密度相對較低，工作時的溫升相對較小，其短路能力主要受電流局部集中而擊穿的限制。