這項新技術(shù)允許使用超過60,000個TSV孔堆疊12個DRAM芯片，同時保持與當(dāng)前8層芯片相同的厚度。

全球先進半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者三星電子今天宣布，它已開發(fā)出業(yè)界首個12層3D-TSV（直通硅通孔）技術(shù)。

三星的創(chuàng)新被認(rèn)為是大規(guī)模生產(chǎn)高性能芯片的最具挑戰(zhàn)性的封裝技術(shù)之一，因為它需要精確的精度才能通過具有60,000多個TSV孔的三維配置垂直互連12個DRAM芯片。

封裝的厚度（720um）與當(dāng)前的8層高帶寬存儲器（HBM2）產(chǎn)品相同，這在組件設(shè)計上是一項重大進步。這將幫助客戶發(fā)布具有更高性能容量的下一代大容量產(chǎn)品，而無需更改其系統(tǒng)配置設(shè)計。

圖1：PKG截面結(jié)構(gòu)

此外，3D封裝技術(shù)還具有比當(dāng)前現(xiàn)有的引線鍵合技術(shù)短的芯片間數(shù)據(jù)傳輸時間，從而顯著提高了速度并降低了功耗。

三星電子TSP（測試與系統(tǒng)封裝）執(zhí)行副總裁Hong-Joo Baek表示：“隨著各種新時代的應(yīng)用（例如人工智能（AI）和高功率計算（HPC）），確保超高性能存儲器的所有復(fù)雜性的封裝技術(shù)變得越來越重要?！?/p>

隨著摩爾定律的擴展達到極限，預(yù)計3D-TSV技術(shù)的作用將變得更加關(guān)鍵。我們希望站在這一最新的芯片封裝技術(shù)的最前沿。”

依靠其12層3D-TSV技術(shù)，三星將為數(shù)據(jù)密集型和超高速應(yīng)用提供最高的DRAM性能。

而且，通過將堆疊層數(shù)從8個增加到12個，三星很快將能夠批量生產(chǎn)24GB高帶寬內(nèi)存，其容量是當(dāng)今市場上8GB高帶寬內(nèi)存的三倍。

圖2：引線鍵合與TSV技術(shù)

三星將憑借其尖端的12層3D TSV技術(shù)滿足快速增長的大容量HBM解決方案市場需求，并希望鞏固其在高端半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。