Transphorm是首家發(fā)布出廠器件現(xiàn)場故障數(shù)據(jù)的高電壓 GaN FET 供應商。該數(shù)據(jù)用于計算以百萬分率(ppm)和故障率(FIT)表示的現(xiàn)場故障率，以顯示這項技術(shù)的可靠性。現(xiàn)場數(shù)據(jù)的可用性是功率系統(tǒng)中高電壓GaN重要的新指標，因為它表明技術(shù)的成熟性。

對于高電壓GaN來說，2018是顛覆行業(yè)格局的一年。Transphorm出貨的超過25萬件650V GaN FET將在客戶的批量生產(chǎn)、高性能電源轉(zhuǎn)換器和變頻器產(chǎn)品中部署。這些產(chǎn)品通過各種渠道供應，甚至包括亞馬遜。根據(jù)迄今為止的產(chǎn)量，能夠保守地估計現(xiàn)場運行小時數(shù)超過13億，現(xiàn)場FIT率控制在較低的個位數(shù)內(nèi)，以及在大量的操作和加速可靠性測試運行條件下的故障前平均時間超過10億小時。

Transphorm十年專注引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新

Transphorm公司是一家全球化的半導體公司，為高壓功率轉(zhuǎn)換應用開發(fā)了完整認證的650 V GaN功率器件。十年來，Transphorm公司一直專注于將高壓（HV）GaN FET（場效應晶體管）推向市場。致力于為電力電子市場（數(shù)據(jù)中心服務器、PV轉(zhuǎn)換器、感應/伺服電機、工業(yè)及汽車等商業(yè)供電市場）設計、制造和銷售業(yè)內(nèi)頂級品質(zhì)和可靠性的GaN技術(shù)產(chǎn)品。2013年，Transphorm公司推出了業(yè)內(nèi)唯一經(jīng)過JEDEC認證的GaN器件。2017年3月，又推出了市場上僅有的一款經(jīng)過AEC-Q101認證的650V車用GaN器件。

Transphorm公司經(jīng)AEC-Q101認證的FET器件TPH3205WSBQA

Transphorm的TP65H035WSQA是符合汽車級AEC-Q101標準的GaN FET，在鑒定測試期間的溫度高達175°C。該器件采用標準TO-247封裝，典型導通電阻為35mΩ。與其前代產(chǎn)品49mΩ GenII TPH3205WSBQA一樣，該器件適用于插入式混合動力電動汽車和電池電動汽車的AC/DC OBC，DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器系統(tǒng)，可實現(xiàn)交流/直流無橋圖騰柱PFC設計。

目前，Transphorm正在努力推出第三代常閉GaN FET技術(shù)。該技術(shù)的閾值將提高到4.0V，提高了其抗噪能力和器件性能，無需負柵極驅(qū)動，并且相比上代產(chǎn)品降低了整體成本。新一代GaN技術(shù)可提供傳統(tǒng)的通孔封裝（through-hole packages, TO-XXX），以及表面貼裝分立封裝（SMD）。與此同時，Transphorm正在基于常閉共源共柵GaN FET——金屬絕緣高電子遷移晶體管（Metal Insulated High Electron Mobile Transistor）D-Mode器件，開發(fā)一種E-Mode技術(shù)。這種GaN器件的結(jié)構(gòu)將有別于目前市場上其它供應商的E-Mode器件。

優(yōu)勢互補，技術(shù)整合共同應對GaN需求增長市場

在許多電力系統(tǒng)中，氮化鎵（GaN）是替代硅材料的合適候選者。正如Yole在《功率GaN：外延、器件、應用及技術(shù)趨勢-2018版》報告中所闡述，GaN與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比具有驚人的技術(shù)優(yōu)勢。盡管與32.8億美元的硅基功率半導體市場相比，目前功率GaN市場仍然很小，但GaN器件擁有較好的前景。

事實上，Transphorm在2013年就與富士通半導體的功率器件業(yè)務部進行業(yè)務合并，從而獲得了GaN功率元件大規(guī)模代工制造能力，雙方于2014年2月在日本成立了Transphorm日本公司，通過雙方公司的合作，使之能夠滿足全球?qū)Φ壒β兽D(zhuǎn)換產(chǎn)品不斷增長的需求。Transphorm公司符合JEDEC認證的制程與富士通半導體的基礎技術(shù)進行整合，并導入富士通半導體福島會津的CMOS產(chǎn)線，為高產(chǎn)量的硅芯片制造提供多項關(guān)鍵功能提升。在未來，預計該工廠內(nèi)受歡迎的50兆歐姆產(chǎn)品的年裝機量基數(shù)當量為1500萬個部件，并可輕松擴展處理2至5倍的量。此外，當需求有保證時，技術(shù)和制造工藝可以從當前制造的6英寸晶片擴展到制造8英寸或可能更高尺寸的晶片。

Transphorm公司的獨特優(yōu)勢包括： ·業(yè)內(nèi)唯一能夠供應經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認證的技術(shù)和產(chǎn)品； ·擁有業(yè)內(nèi)規(guī)模最大的GaN技術(shù)專利組合； ·最豐富的器件/封裝解決方案供應能力； ·終端客戶產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)的GaN供應商之一； ·擁有較完整的外延（EPI）、設計和器件制造工藝價值鏈。