此前,兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預案,公司擬向不超過10名特定投資者非公開發(fā)行股票不超過64,224,315股(含本數(shù)),募集資金總額(含發(fā)行費用)不超過人民幣432,402.36萬元,用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化以及補充流動資金。
近日,兆易創(chuàng)新在此次非公開發(fā)行A股股票申請文件的反饋意見的回復中,透露了具體規(guī)劃。
表中可知,兆易創(chuàng)新DRAM芯片2021年完成客戶驗證,最晚將于2025年量產(chǎn)。兆易創(chuàng)新披露,公司Flash芯片的下游客戶與DRAM芯片的下游客戶重合度較高。
對首款芯片試樣片進行封裝測試,后送至系統(tǒng)芯片商處進行功能性認證,認證完畢后送至客戶進行系統(tǒng)級驗證,包含功能測試、壓力測試、燒機驗證等,通過所有驗證后完成客戶驗證,驗證完成后進行小批量產(chǎn),實施時間預計在2021年。
另外,兆易創(chuàng)新表示,公司擬通過本項目,研發(fā)1Xnm級(19nm、17nm)工藝制程下的DRAM技術(shù),設(shè)計和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項目的成功實施,有助于公司豐富自身產(chǎn)品線,有效整合產(chǎn)業(yè)資源,鞏固并提高公司的市場地位和綜合競爭力。
責任編輯:gt
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