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SK Hynix將在2020年削減資本支出 加速過渡1z nm DRAM和128L 4D NAND

jf_1689824270.4192 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:jf_1689824270.4192 ? 2020-02-11 11:37 ? 次閱讀

在2019年收入和利潤率大幅下降之后,SK Hynix宣布計劃削減其資本支出。盡管市場已經(jīng)顯示出復蘇的跡象,但該公司不確定對DRAM和NAND的需求,因此其投資將變得更加保守和謹慎。因此,SK海力士將專注于加速技術(shù)轉(zhuǎn)換以削減成本并為下一代產(chǎn)品做準備。

收入同比下降33%

SK海力士2019財年的收入為26.99萬億韓元(225.67億美元),比2018年下降了33%,而其凈收入總計為2.016萬億韓元(16.85億美元),比2018年大幅下降了87%。 2019年第四季度,該公司公布的收入為6.927萬億韓元(57.92億美元),比去年同期下降30%,營業(yè)利潤為2360億韓元(1.973億美元),與去年同期相比下降95% 。

SK Hynix將今年最后一個季度的微不足道的利潤歸因于DRAM的平均銷售價格比上一季度下降了7%,這是因為比特出貨量增長了8%,以及NAND定價持平,因為比特出貨量增長了10%。同時,SK Hynix本季度的凈虧損總額為1,180億韓元(9866.2萬美元),因為它必須重新評估其在Kioxia的投資。

資本支出削減

SK Hynix的虧損是由于供過于求以及市場總體不確定性而導致DRAM和3D NAND價格下降的結(jié)果。為此,它已確定需要集中精力削減成本和支出,這就是制造商重新考慮其資本支出計劃的原因。由于價格下跌,去年SK海力士的資本支出削減了25%(與2018年相比),降至12.7萬億韓元(106.19億美元)。顯然,今年該公司將進一步削減該數(shù)量,但目前尚無想要共享的數(shù)字。

SK Hynix的首席財務官Cha Jin-seok Cha表示:

“與去年的指導一樣,今年的資本支出將同比大幅減少。基礎(chǔ)設(shè)施資本支出將集中在計劃于今年完成的M16,設(shè)備資本支出將主要集中在向1y納米[DRAM]和96和128層[3D NAND]的技術(shù)移植上。同時,由于我們今年繼續(xù)將M10中的DRAM容量轉(zhuǎn)換為CMOS圖像傳感器,并將2D NAND容量轉(zhuǎn)換為3D,因此,對于DRAM和NAND,年底時的晶圓容量計劃將低于年初。 ”

加速過渡并專注于高價值產(chǎn)品

今年對3D NAND和DRAM的比特需求將毫無意外地繼續(xù)增長,因此沒有生產(chǎn)商可能會削減比特產(chǎn)量。因此,SK Hynix打算加快向較新工藝技術(shù)的過渡,以降低其每位成本。此外,該公司計劃確保其下一代產(chǎn)品沒有“毛刺”。

SK Hynix表示,到今年年底,使用第二代10 nm級制造工藝(1Y nm)制造的DRAM的份額將增加到40%。在NAND方面,該公司生產(chǎn)的一半以上NAND位將在2020年上半年使用其96層3D NAND技術(shù)制成。

車鎮(zhèn)錫先生說:

“公司將通過在技術(shù)移植過程中穩(wěn)步提高技術(shù)成熟度,并準備無故障的下一代產(chǎn)品,來加快成本削減。到年底,DRAM中1y納米產(chǎn)品的很大一部分將增加到40%的水平,而對于96層3D NAND,它將在上半年過渡。”

更先進的工藝技術(shù)有望降低SK海力士的成本,但為了提高收入和盈利能力,該公司計劃更好地應對高價值市場和產(chǎn)品。特別是,該公司將“積極”響應業(yè)務DRAM方面對LPDDR5,GDDR6和HBM2E的需求,并增加一般固態(tài)硬盤和數(shù)據(jù)中心驅(qū)動器(尤其是NAND方面)的銷售。

首席財務官說的是:

“我們還將積極支持LPDDR5,GDDR6和HBM2E市場,這些市場有望通過增強質(zhì)量競爭力并將我們的產(chǎn)品組合擴展到戰(zhàn)略市場,從而在今年實現(xiàn)全面增長。我們將加快用于數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品的銷售,并繼續(xù)增加SSD銷售的份額,該份額在去年第四季度首次突破了30%。”

1z DRAM和128層4D NAND將于2020年推出

去年,SK Hynix完成了其用于DRAM(1Z nm)的第三代10 nm級工藝技術(shù)的開發(fā),并開始了其128層“ 4D” NAND(官方仍將其稱為“ 3D NAND”)的樣品出貨。該公司的電荷陷阱閃存(CTF)設(shè)計以及外圍單元電池(PUC)架構(gòu)。

今年,這兩種技術(shù)都將用于批量生產(chǎn),但是它們的份額不會很大。

“我們將在今年內(nèi)開始批量生產(chǎn)下一代產(chǎn)品1z納米[DRAM]和128層3D NAND。”

像其他行業(yè)參與者一樣,SK Hynix看到了5GAI等新興技術(shù)的巨大應用潛力,這就是為什么它總體上對未來保持樂觀的原因。同時,盡管有一些復蘇的跡象,但根據(jù)公司管理層的說法,并非一切都恢復了正常,因此該公司在預測和支出方面都比較保守。

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