可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要我們了解測試可控硅模塊的升溫方法:
1、可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測昆二晶可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。
2、可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升,℃。
3、可控硅模塊工作溫度的測定:被測昆二晶可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行,也可單獨進行,被測減速機在符合規定時,讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度
相信大家了解了昆二晶可控硅模塊的升溫測試方法之后,在以后的使用中就可以測試溫度,如果溫度過高就及時采取降溫措施,這樣能夠提高工作效率,又使機器受到了保護。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
可控硅
+關注
關注
43文章
961瀏覽量
71970
發布評論請先 登錄
相關推薦
可控硅與其他半導體器件的對比
)。也有說法認為可控硅是四層三端結構元件,由P1N1P2N2四層交替摻雜而成,共有三個PN結。 IGBT:一種由MOSFET和雙極晶體管(BJT)組合而成的三端器件,通常由
可控硅的故障診斷方法 可控硅模塊的選型指南
方法: 外觀檢查 : 檢查可控硅的外觀是否有燒毀、裂紋或變形的跡象。 檢查引腳是否有氧化、腐蝕或斷裂。 電氣參數測試 : 使用萬用表測量可控硅的正向和反向電阻,以判斷其是否短路或開路。
可控硅的工作原理 可控硅與晶閘管的區別
可控硅的工作原理 可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結。
雙向可控硅怎么測量好壞
、雙向可控硅的結構和工作原理 結構 :雙向可控硅由四個層(P-N-P-N)和三個端子(主端子MT1、MT2和門極G)組成。 工作原理 :當門極接收到足夠的觸發信號時,雙向
單向可控硅短路的故障分析和處理
單向可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)是一種四層三端半導體器件,廣泛應用于電力電子領域,用于實現對交流電的控制。在單向可控硅的三個端子中,陽極(
雙向可控硅可以代替單向可控硅嗎
雙向可控硅(TRIAC)和單向可控硅(SCR)是兩種不同類型的半導體器件,它們在電路中的作用和應用場景有所不同。在某些情況下,雙向可控硅可以代替單向可控硅,但這需要考慮具體的應用需求和
可控硅的觸發電壓一般是多少
下,使可控硅從截止狀態轉變為導通狀態所需的最小電壓。本文將介紹可控硅的觸發電壓及其相關知識。 一、可控硅的工作原理 可控硅是一種四層三端器件
可控硅的工作原理、特性參數及型號選擇
眾多,但基本結構和工作原理是相同的。 一、可控硅的工作原理 可控硅是一種四層三端半導體器件,由兩個PN結組成,具有陽極(Anode,A)、陰極(Cathode,K)和門極(Gate,G
可控硅的三個腳分別是什么
可控硅,也稱為晶閘管(Thyristor),是一種半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。它具有單向導電性,可以通過控制信號來控制其導通和截止狀態。可控硅的三個腳分別是陽極(Anode)、陰極
雙向可控硅怎么測量好壞 雙向可控硅的故障分析
性能符合要求。 一、雙向可控硅的基本原理 雙向可控硅是一種四層三端半導體器件,具有陽極、陰極和門極三個引腳。其內部結構由NPN和PNP兩個
可控硅觸發電路原理 可控硅觸發電路的觸發方式
電壓或電流,實現對可控硅的導通與關斷,從而控制電路的輸出。 可控硅觸發電路的原理基于可控硅的結構和特性。可控硅結構上有三個電極,分別是陽極(
可控硅模塊工作原理 可控硅模塊型號含義
的整流作用。它由一個受控的PNPN結構組成,通常由三個P層(陽極)、三個N層(陰極)和兩個P層(門極)組成。其中一個P層(陽極)與一
可控硅觸發電路必須滿足的三個主要條件
可控硅觸發電路必須滿足的三個主要條件 可控硅觸發電路是由可控硅元件和觸發電路組成的一種電子元器件,用于控制電路中可控硅元件的導通和截止狀態。
評論