昨日,iQOO 3 5G首發UFS 3.1閃存,調試信息顯示芯片顆粒來自三星。
事實上,上周西部數據也推出了符合JEDEC最新規范的UFS 3.1閃存,品名iNAND MC EU521 ,引入第六代SmartSLC緩存技術,寫速最高可達800MB/s,且號稱容量滿載時也不掉速。
本周,鎧俠(KIOXIA,原東芝存儲)宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片。
新閃存基于東芝BiCS 3D存儲技術打造,設計容量包括128GB、256GB、512GB和1TB,比西數EU521豐富,主控和閃存都按照規范要求封裝在11.5 x 13mm的尺寸之內。
關于性能,鎧俠未給出具體數據,但表示寫速是UFS 3.0的2~3倍,連續讀速比UFS 3.0提升30%,引入HPB改善隨機讀取性能,睡眠模式下功耗更低,溫度過高時可主動降低性能避免損壞元件。
鎧俠指出,東芝是最早在2013年推出UFS的廠商,去年也是第一波提供UFS 3.0產品的企業。
責任編輯:wv
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