在新型冠狀病毒疫情的影響下，已有部份晶圓代工廠調降對2020年市場成長性的預估，不過為把握5G、AI、車用與物聯網帶來的新興需求，晶圓代工廠仍持續進行必要性的制程轉移與產品規劃。

28nm需求復蘇時間或延后，新興產品支撐力道目前無損

28nm節點由于過去產能規劃量大與產品轉進先進制程，目前市場呈現供過于求情形，加上中國晶圓代工廠為提升芯片自給率仍持續擴建自有28nm產能，使得目前28nm節點的平均稼動率僅約70～75%，相較其他制程節點低。

除了陸系廠商既有的擴產計劃外，包括臺積電、聯電等一線廠商對于28nm制程稼動率的復甦時程仍保守看待。

然而，自2019年底開始，受惠于OLED驅動IC、高畫素CMOS Sensor的ISP（Image Signal Processor）、部份網通RF IC與物聯網芯片逐步轉進28nm，可望為該節點稼動率提供穩定且長期的支撐力道。

在制程優化方面，臺積電與聯電推出的22nm制程，以超低功耗與超低漏電率的特點適合廣泛使用在穿戴式裝置與物聯網相關應用，目前陸續有產品完成制程開發并進入驗證階段，部份客戶也在2020年進行投片規劃，未來有望為提升28nm稼動率增添動能。

雖然新型冠狀病毒的影響為終端制造與市場需求增添不確定性，或將使得原本預期提升28nm稼動率的時間點延后，不過基本上新興產品對22/28nm制程的采用度相對較重要，即便未來市場需求走勢減緩，也不致影響上述產品對28nm節點的支撐力道，仍有機會在2020年實現提升28nm稼動率目標。

化合物半導體GaN在8寸晶圓的發展備受矚目

分析8寸晶圓成熟制程產品，除產能吃緊需持續關注外，化合物半導體氮化稼（GaN）元件在8寸晶圓上的發展也備受矚目。

化合物半導體在5G、電動車與高速充電等應用興起后重要性大幅提升，吸引眾多廠商投入開發，不過受限材料具有不同的熱膨脹系數（CTE），目前量產品多以6寸晶圓制作。

然而，為因應日后GaN在多方應用領域的元件需求，并提升GaN-on-Silicon取代Silicon功率元件的成本競爭力，發展8寸晶圓的GaN產品仍有其必要性。

此外，發展8寸GaN晶圓技術，也有利于現行以12寸與8寸晶圓為生產主力的晶圓代工廠商，包括2020年2月20日臺積電與STMicroelectronics宣布合作加速GaN功率產品開發與量產，以及世界先進在2019年第四季法說會上提到的8寸GaN晶圓計劃。

因此，即便IDM掌握較多GaN的相關技術，但考量到降低量產成本和提高整合度需求，與晶圓代工廠合作不失為雙贏選項，加上針對客制化元件開發，對晶圓代工廠商的依賴度將提升，助益晶圓代工廠商在成熟制程節點的產品需求。
責任編輯：wv