最近，整理了市面上發(fā)售的氮化鎵GaN 充電器產(chǎn)品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產(chǎn)品（QR／ACF＋NV功率器件＋同步整流）；在采用NV的GaN產(chǎn)品設(shè)計中，發(fā)現(xiàn)了一個有趣的事情，如下圖所示；8款納微NV的GaN產(chǎn)品中，同步整流IC 有7款采用了MPS的MP6908；

說NV是氮化鎵產(chǎn)品中的大贏家，這么看來MPS在GaN 產(chǎn)品應(yīng)用中也是大贏家；同行業(yè)內(nèi)朋友聊起這款產(chǎn)品，行內(nèi)對MP6908稱號“傻瓜08”；意思就是電路簡單，裝上去就能工作的傻瓜式同步整流IC；

查詢了MPS產(chǎn)品資料，MP6908 升級版MP6908A （頻率可達500K hz）針對氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用；

MP6908 之所以受到這么多產(chǎn)品應(yīng)用設(shè)計的青睞，主要是有什么特點？

在眾多的方案應(yīng)用中，細心的朋友可能發(fā)現(xiàn)，有把同步整流管放在次級側(cè)的低端，如下圖所示：

還有把同步整流管放在次級側(cè)的高端，如下圖所示；

這樣有什么區(qū)別嗎？

放在低端的，同步整流和輸出是共地的，這樣同步整流的供電可以直接從輸出電壓取，電路設(shè)計非常簡單，所以放在低端比較好。這也是好多工程師朋友設(shè)計電路的選擇！

但是，這兩種接法在EMI性能上面還會有很大的差別，這可是電源設(shè)計里面最難解決的問題之一。

在開關(guān)電源中EMI的來源是開關(guān)動作所產(chǎn)生的動點電壓，而在反激電路中初級側(cè)的主開關(guān)管和次級側(cè)的同步整流管則分別是最主要的兩個動點。

如果將同步整流管放在次級側(cè)的高端，如下圖所示，紅色的初級動點和藍色的次級動點所產(chǎn)生的共模電流方向是相反的。這樣就會產(chǎn)生共模電流相互抵消的作用，所以EMI的性能就是比較好的。

如果將同步整流管放在次級側(cè)的低端，如下圖所示，紅色的初級動點和藍色的次級動點所產(chǎn)生的共模電流方向是相同的。這樣就會產(chǎn)生共模電流相互加強的作用，所以EMI的性能就是比較差的。

雖然差異的大小因設(shè)計而異，但是通常這兩種接法在EMI的測試結(jié)果上會表現(xiàn)出3-5db的差別，這個在實際應(yīng)用中可不是那么容易補得回來的，尤其在設(shè)計氮化鎵GaN電源，為了GaN產(chǎn)品過EMI，熬到禿頭就為個3-5db，也犯不上。

MP6908，其內(nèi)部集成高壓自供電功能，無需外加輔助繞組或任何外圍元器件即可實現(xiàn)同步整流位于高端，輕松擁有優(yōu)越的EMI性能。