4月7日消息，在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產的情況下，3nm 工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關注的焦點。三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設定的目標是在2021年大規(guī)模量產 3nm工藝。

但外媒最新的報道顯示，三星 3nm 工藝已不太可能在 2021 年大規(guī)模量產，目前來看 2022 年將是更現(xiàn)實的時間點。業(yè)內消息人士指出，這并非工藝制造上的延遲，而是因為 EUV 光刻機等關鍵設備在物流上的延遲所致。

目前還不清楚三星競爭對手的 3nm 工藝是否會受到影響，如果競爭對手正常推進，對三星可能就會非常不利。

在今年年初我們報道過三星已經(jīng)攻克了3nm工藝的關鍵GAA全能門技術，并且打算在2021年實現(xiàn)量產，并希望以此在3nm競爭中擊敗臺積電，但由于新冠病毒的大流行，這一計劃可能要被推遲了。

根據(jù)Digitimes的報道，由于新冠病毒的流行打亂了三星公司原本為新生產線安裝設備的安排，因為病毒對物流和運輸服務的影響導致了EUV和其他生產設備的交付延遲了，三星可能會把3nm工藝的投產時間推遲到2022年，這對三星會造成什么影響暫時還未知。

三星的3nm工藝將不再使用FinFET技術相而是轉向GAA技術，新的技術可以讓芯片面積減少35%，功耗下降約50%，3nm GAA工藝與5nm FinFET工藝相比，同樣功耗情況下性能提升33%。

GAA全能門與FinFET的不同之處在于，GAA設計圍繞著通道的四個面周圍有柵極，從而確保了減少漏電壓并且改善了對通道的控制，這是縮小工藝節(jié)點時的基本步驟，使用更高效的晶體管設計，再加上更小的節(jié)點尺寸，和5nm FinFET工藝相比能實現(xiàn)更好的能耗比。

另外，作為目前全球僅有的一家能生產極紫外光刻機的廠商，阿斯麥此前已經(jīng)下調了今年一季度的業(yè)績預期，由 2019 年第四季度及全年的業(yè)績報告中預計的 31 億歐元到 33 億歐元之間，下調到了 23 億歐元至 24 億歐元。

阿斯麥調整一季度的業(yè)績預期，主要也是受疫情的影響，但他們也給出了 3 個方面的具體原因，其中就包括光刻機交付的延遲，部分廠商對他們的交付能力存在擔憂，為了加快交付進度，部分廠商甚至要求他們在完成正常的工廠驗收之前就交付。

從外媒此前的報道來看，三星的 3nm 工藝，將采用環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET））技術，這是同 7nm 和 5nm 工藝所使用的鰭式場效晶體管（FinFET）完全不同的技術，面積可以縮小 35%，此前的報道是顯示三星 3nm 芯片的性能較 5nm 可以替身 33%，基于 GAAFET 技術的三星 3nm 原型工藝，此前已經(jīng)投產。

而三星最大對手臺積電也因為疫情原因半導體裝備及安裝人員都無法按期完成，原計劃在 6 月份風險試產的 3nm FinFET 工藝，試產時間將延期到 10 月份。

相應地，臺積電南科 18 廠的 3nm 生產線也會順延一個季度，原本在 10 月份安裝設備，現(xiàn)在也要到 2021 年初了。

目前臺積電已經(jīng)宣布將會在今年正式量產5nm制造工藝，預計蘋果A14以及華為麒麟1020處理器將會采用全新的5nm制造工藝，預計還將集成最新的5G基帶，至于5nm工藝的下一代應該就是3nm制造工藝了。不過由于疫情的影響，采用3nm制造工藝的三星不得不選擇延期，原本2021年就可以完成的3nm工藝預計被曝延期到2022年。

根據(jù)三星官方的消息，三星將會在3nm工藝中采用最新的GAE工藝，同時放棄目前大規(guī)模應用的FinFET晶體管從而轉投GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，三星稱全新的3nm制造工藝可以讓核心面積減少45%，功耗降低50%，同時性能提升35%。分析人士認為三星宣布推遲3nm工藝的量產并不是由于晶圓制造的設計問題，而是疫情導致的光刻機不能正常運抵三星總部。

當然除了三星之外，另外一家晶圓代工巨頭臺積電也遇到了3nm制程工藝研發(fā)的麻煩，原因自然是疫情原因半導體裝備及安裝人員都無法按期完成，于是原定于今年6月份舉行的3nm風險試產的工序不得不轉移至10月份，而包括試產，安裝設備一直到量產還需要很長的時間，因此臺積電方面量產3nm同樣需要延期到2021年，或許也將延期到2022年。

這場半導體雙強的 3nm 爭霸之戰(zhàn)，會有什么變數(shù)呢？讓我們靜觀其變

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