（文章來源：快科技）
NAND閃存從SLC到MLC再到TLC，可以說一步步降低了成本，提升了容量，這是它們得以普及的關鍵。現在QLC閃存在這一年中發展迅猛，大有搶TLC風頭的意味，而更渣的PLC閃存也在路上了。

所謂SLC、MLC、TLC、QLC及PLC，指的是閃存的類型，它們每個cell單元分別存放1、2、3、4、5位電荷，所以容量越來越大，但是代價就是寫入速度越來越低，P/E壽命越來越渣，QLC的P/E次數宣傳上有1000次，實際大概是幾百次，FLC時代弄不好要跌到100次內了。從消費者角度來說，QLC閃存都很難接受，更別提再渣一等的PLC閃存，這壽命和速度看著不讓人放心。

但是閃存廠商對PLC閃存的研究早就開始了，隨著QLC閃存發展的第三、第四代，目前性能、容量、可靠性算是維持住底線了，研發中的FLC閃存進入市場只是遲早的事。

從Intel之前的表態來看，他們早就規劃好FLC閃存了，好消息是其3D PLC閃存將仍舊堅守使用浮柵型結構（Floating Gate），盡管當前3D閃存的主流結構是Charge Trap電荷捕獲型，但Intel指出，浮柵型在讀取干擾、數據保持期上更優秀。三星、東芝、美光、SK海力士、西數等公司的FLC閃存也是箭在弦上，只是時間早晚的事。

FLC閃存一定會被推到市場上，但是最終能不能被接受還不好說，SINA存儲網絡協會董事會成員J Metz認為FLC閃存在技術上是不可避免的，但他對其市場前景表示懷疑，特別是TLC閃存等成本不斷下降的情況下。

根據J Metz的看法，阻礙FLC閃存的倒不是FLC本身缺點，而是廠商如果能在TLC或者QLC閃存上就做到需要的大容量、成本等指標，那就沒必要去推FLC閃存，畢竟后者在技術、可靠性等方面確實需要更多投入。
（責任編輯：fqj）