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武漢新芯 50nm 高性能 SPI NOR Flash 產(chǎn)品全線量產(chǎn)

Carol Li ? 來源:電子發(fā)燒友整理 ? 作者:李彎彎 ? 2020-05-14 09:33 ? 次閱讀

近日,武漢新芯宣布其采用50nmFloatingGate工藝SPINORFlash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn),產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。

XM25QWxxC系列產(chǎn)品在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)讀取速度可達(dá)133MHz(在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持),工作溫度范圍可達(dá)-40℃到105℃。在電源電壓下降后,時(shí)鐘速度沒有任何減慢,其傳輸速率可以勝過8位和16位并行閃存。在連續(xù)讀取模式下能實(shí)現(xiàn)高效的存儲(chǔ)器訪問,僅需8個(gè)時(shí)鐘的指令周期即可讀取24位地址,從而實(shí)現(xiàn)真正的XIP(executeinplace)操作。

XM25QWxxC系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封裝,在中高容量產(chǎn)品也將針對(duì)可穿戴設(shè)備等尺寸受限的應(yīng)用推出WLCSP封裝,協(xié)助客戶將空間利用發(fā)揮到極致。全線產(chǎn)品支持KnownGoodDie(KGD)解決方案,并為客戶提供RDL服務(wù),滿足客戶定制化的SiP需求。

“XM25QWxxC系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)的50nmFloatingGate工藝,在性能和成本方面進(jìn)一步提高了競(jìng)爭(zhēng)力。”武漢新芯運(yùn)營(yíng)中心副總裁孫鵬先生表示,“針對(duì)快速發(fā)展的IoT5G市場(chǎng),武漢新芯將持續(xù)投入研發(fā)自有品牌的閃存產(chǎn)品,不斷拓展產(chǎn)品線,為客戶帶來更多高性價(jià)比的產(chǎn)品與解決方案。”

電子發(fā)燒友網(wǎng)此前報(bào)道過,武漢新芯是一家存儲(chǔ)IDM企業(yè),包括晶圓代工與自有品牌兩部分業(yè)務(wù),公司專注于NORFlash與晶圓級(jí)XtackingTM技術(shù)。2019年武漢新芯在消費(fèi)電子通信、筆記本電腦、TWS耳機(jī)、智慧電網(wǎng)等市場(chǎng)均取得了不錯(cuò)的成績(jī),筆記本電腦市場(chǎng)占有15%的市場(chǎng)份額,在國(guó)內(nèi)安防市場(chǎng)NORFlash占據(jù)3成市場(chǎng)份額。

武漢新芯自有品牌產(chǎn)品市場(chǎng)銷售負(fù)責(zé)人馬珮玲女士此前在接受電子發(fā)燒友網(wǎng)采訪的時(shí)候談到,目前筆記本用NORFlash將由128M在明年轉(zhuǎn)入256M的容量需求。在智慧電網(wǎng)市場(chǎng)也會(huì)用到128M和256M的NORFlash。

另外5G基站對(duì)NORFlash的需求容量達(dá)512M,一個(gè)5G基站用到四顆NORFlash,武漢新芯正在加速研發(fā),有望為國(guó)內(nèi)5G基站客戶批量供貨。

電子發(fā)燒友綜合報(bào)道,參考武漢新芯,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來源和出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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