北京時間21日消息,三星電子公司周四表示,其在韓國的第六條代工芯片生產線已于本月較早時破土動工,計劃明年下半年開始生產,將生產邏輯芯片,以減少其對波動較大的存儲芯片部門的依賴。
三星正與臺積電在代工生產業務上展開競爭,以贏得高通等客戶的訂單。
新的生產線位于距首爾兩小時車程的平澤市京畿道華城工廠的V1生產線上。將使用極紫外線(EUV)光刻技術,生產先進的5納米芯片。
據悉,V1 主要是基于極紫外線 (EUV) 工藝技術的生產線,于今年 2月開始運行。三星電子在去年4月份完成了基于 EUV 工藝的 5 納米制程技術的開發,有望在今年年底或明年年初建立一個完整的 5 納米量產系統,預計V1生產線將代工高通的驍龍X60芯片。
相較之下,臺積電已經建立了一條5納米的生產線,并預計在下個月開始量產高通驍龍X60芯片。如果該消息屬實,臺積電將是第一家成功使用 5 納米EUV鑄造工藝大規模生產芯片的公司。
三星電子和臺積電不僅在5納米工藝領域競爭,而且競先開發3納米工藝。三星電子決心在全球代工領域中占據領先地位,該公司將在今年加快3納米工藝的研發,并為此投資約1.33萬億韓元,以便在2030年成為系統半導體領域的龍頭。
對此,臺積電也開始大規模投資研發3納米工藝。該公司宣布計劃投資150億美元進行研發,并招聘4000余名新員工。
一名產業高管表示:“各大廠商除了在半導體微制造工藝市場率先發展技術外,最先量產以獲得產品訂單的競爭也越來越激烈。”
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