電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）最近，聞泰科技發(fā)布公告稱(chēng)將進(jìn)一步收購(gòu)安世剩余股權(quán)，并將增資為安世半導(dǎo)體進(jìn)行工藝升級(jí)等項(xiàng)目。而在年初，安世半導(dǎo)體也任命了張學(xué)政為首席執(zhí)行官。這家以汽車(chē)用功率半導(dǎo)體而著稱(chēng)的公司，在第三代半導(dǎo)體氮化鎵的技術(shù)和產(chǎn)品推進(jìn)上，又有了新的動(dòng)作。

安世每年交付900多億件、15000種產(chǎn)品，聞泰進(jìn)一步收購(gòu)并計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)

2019年安世半導(dǎo)體的年銷(xiāo)售額達(dá)到14.3億美元，公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC，占全球市場(chǎng)份額為14.2%。每年可提供超過(guò)15000種產(chǎn)品，每年新增800余種產(chǎn)品。

Nexperia每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車(chē)行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。安世的產(chǎn)品著眼于汽車(chē)、微型化、能效以及保護(hù)等當(dāng)下與未來(lái)的挑戰(zhàn)。

安世擁有自己的2家前道和3家后道制造廠，2家前道工廠分別位于德國(guó)漢堡，英國(guó)曼徹斯特。3家后道工廠分別位于中國(guó)廣東，菲律賓卡布堯，馬來(lái)西亞芙蓉市。超過(guò)12000名員工，為客戶(hù)提供全球支持。

聞泰科技在今年一季報(bào)并公告稱(chēng)擬收購(gòu)安世剩余20%的股權(quán)，安世集團(tuán)整合進(jìn)一步加強(qiáng)，公告定增加支付現(xiàn)金的形式收購(gòu)少數(shù)股東權(quán)益，交易完成后聞泰將持有安世集團(tuán)98.23%的股權(quán)。

今年3月月，Nexperia對(duì)外宣布，現(xiàn)任Nexperia董事會(huì)主席的張學(xué)政將擔(dān)任首席執(zhí)行官。

另外，聞泰擬募資用于安世中國(guó)先進(jìn)封測(cè)平臺(tái)及工藝升級(jí)項(xiàng)目。

安世發(fā)布第二代氮化鎵GaN FET，主打工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域

2019年安世進(jìn)入高壓寬帶隙半導(dǎo)體市場(chǎng)，采用高電子遷移率晶體管技術(shù)，采用級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的氮化鎵技術(shù)助力工程師簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)，無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)和控制。

今年6月，新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過(guò)孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件，導(dǎo)通電阻RDS（on）降低到僅 41mΩ（最大值，25℃的典型值為 35mΩ），同時(shí)具有高的柵級(jí)閥值電壓和低反向?qū)妷骸CPAK封裝的新器件，將導(dǎo)通電阻值進(jìn)一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值為 33mΩ）。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，可滿(mǎn)足汽車(chē)應(yīng)用的要求。



Nexperia 的 CCPAK貼片封裝采用了創(chuàng)新的銅夾片封裝技術(shù)來(lái)代替內(nèi)部的封裝引線(xiàn)。這樣可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進(jìn)一步改善散熱。

650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。

安世半導(dǎo)體MOS 業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳先生分析說(shuō)，采用級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的氮化鎵技術(shù)，相當(dāng)于串連一個(gè)30伏的MOS管，可以做到常態(tài)關(guān)斷，使用級(jí)聯(lián)可以較容易將開(kāi)啟電壓優(yōu)化到4伏，相較于1.5伏更容易抗干擾。第二代GaN FET首先將應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，2021年可提供AEC-Q101認(rèn)證的器件。

安世半導(dǎo)體MOS 業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳先生

工業(yè)應(yīng)用方面覆蓋，服務(wù)器和電信電源的同步整流器，提供高端電源所需的高效率和高功率密度，比如80+鈦金牌電源單元；電池儲(chǔ)能和不間斷電源，增加功率密度，并減小輸出濾波器尺寸；還有，伺服驅(qū)動(dòng)器，輸出電流波形改善，更低的電機(jī)損耗和噪音。



在安世的全年?duì)I收中，汽車(chē)市場(chǎng)占到45%-50%，是安世半導(dǎo)體最重要的市場(chǎng)。汽車(chē)排放的任何一點(diǎn)CO2都會(huì)帶來(lái)環(huán)境影響，因此車(chē)輛電氣化是大勢(shì)所趨。從混合動(dòng)力到全電動(dòng)汽車(chē)，動(dòng)力系統(tǒng)電氣化有望在未來(lái)二十年主導(dǎo)半導(dǎo)體市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)。在這一領(lǐng)域，基于硅的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的功率密度和效率將發(fā)揮主導(dǎo)作用，尤其對(duì)于車(chē)載充電器（EV充電）、DC/DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)牽引逆變器（xEV牽引逆變器）而言。GAN039 產(chǎn)品最適合應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電機(jī)和直流-直流轉(zhuǎn)換器上，未來(lái)產(chǎn)品的目標(biāo)市場(chǎng)為牽引逆變器。



GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因?yàn)镚aN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達(dá)到更高的效率、更好的熱性能和更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)拓?fù)洹Ｔ谄?chē)領(lǐng)域，這意味著車(chē)輛行駛里程更長(zhǎng)，而這正是所有電動(dòng)汽車(chē)消費(fèi)者最關(guān)心的問(wèn)題。現(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動(dòng)力汽車(chē)或純電動(dòng)汽車(chē)中使用的牽引逆變器的首選技術(shù)。

GaN能超越基于硅的IGBT和SiC的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于制造產(chǎn)業(yè)鏈的成熟度。李東岳分析，基于硅基的氮化鎵器件可以用硅產(chǎn)線(xiàn)的生產(chǎn)設(shè)備，而碳化硅需要專(zhuān)門(mén)的設(shè)備，且原材料生產(chǎn)比較復(fù)雜。在未來(lái)電動(dòng)和混動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)能快速上升的時(shí)候，氮化鎵的器件更容易上量，擴(kuò)產(chǎn)靈活，生產(chǎn)工藝更簡(jiǎn)單，成本也更有優(yōu)勢(shì)。車(chē)規(guī)級(jí)GAN器件目前市面上還比較少，安世半導(dǎo)體憑借多年車(chē)規(guī)級(jí)器件的管理和制造工藝經(jīng)驗(yàn)，能夠率先提供這一器件。

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