編者按：隨著中國、美國、臺(tái)灣和韓國在半導(dǎo)體工藝制程上投入重量級(jí)資金，半導(dǎo)體設(shè)備的銷售金額連年攀升。據(jù)SEMI的最新報(bào)告，到2020年，原始設(shè)備制造商的半導(dǎo)體制造設(shè)備全球銷售額預(yù)計(jì)將增長6％至632億美元，而2019年為596億美元，2021年將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長，創(chuàng)下700億美元的紀(jì)錄。

7月21日，SEMI在一年一度的SEMICON West上發(fā)布了《半導(dǎo)體制造設(shè)備年中總預(yù)測(cè)-OEM視角》（Mid-Year TotalSemiconductor Equipment Forecast – OEM Perspective）。到2020年，原始設(shè)備制造商的半導(dǎo)體制造設(shè)備全球銷售額預(yù)計(jì)將增長6％至632億美元，而2019年為596億美元，2021年將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長，創(chuàng)下700億美元的紀(jì)錄。

預(yù)計(jì)多個(gè)半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域的增長將推動(dòng)這一增長。晶圓廠設(shè)備領(lǐng)域-包括晶圓加工、工廠設(shè)施和掩模/掩模版設(shè)備-預(yù)計(jì)到2020年將增長5％，隨后因存儲(chǔ)器支出的復(fù)蘇以及對(duì)前沿和中國市場(chǎng)的投資，到2021年將增長13％。到2020年和2021年，晶圓代工和邏輯支出將占晶圓制造設(shè)備總銷售額的一半左右，并將在2020年和2021年以個(gè)位數(shù)的速度增長。2020年DRAM和NAND支出都將超過2019年的水平，2021預(yù)計(jì)分別增長20％以上。

預(yù)計(jì)到2020年，由于先進(jìn)封裝產(chǎn)能增長需求，封裝設(shè)備市場(chǎng)將增長10％達(dá)到32億美元，到2021年將增長8％達(dá)到34億美元。半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增長13％，2020年將達(dá)到57億美元，并在5G需求的支撐下在2021年繼續(xù)保持增長勢(shì)頭。

預(yù)計(jì)中國大陸、中國臺(tái)灣和韓國將在2020年的支出中居首位。中國大陸在晶圓代工和存儲(chǔ)領(lǐng)域的強(qiáng)勁支出有望使中國大陸在2020年和2021年的半導(dǎo)體設(shè)備總支出中躍居首位。中國臺(tái)灣在2019年實(shí)現(xiàn)68％的增長之后，預(yù)計(jì)今年將收縮，但到2021年將以10％的速度反彈，中國臺(tái)灣將保持設(shè)備投資的第二位。預(yù)計(jì)到2020年，韓國將超過其2019年的水平，在半導(dǎo)體設(shè)備投資中排名第三，使其在2020年成為第三大支出國。在存儲(chǔ)器投資回升的推動(dòng)下，韓國在2021年的設(shè)備支出預(yù)計(jì)將增長30％。大多數(shù)其他地區(qū)也將在2020年或2021年實(shí)現(xiàn)增長。

臺(tái)積電啟動(dòng)4nm制程 預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)

在5nm與3nm之間，臺(tái)積電還將推出4nm芯片，據(jù)介紹，4nm工藝將兼容5nm工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則，比5nm工藝芯片有更高的性價(jià)比，也計(jì)劃在2022年量產(chǎn)。

臺(tái)積電在其官網(wǎng)披露的第二季度電話會(huì)議中提到了4nm工藝，并表示將啟動(dòng)4nm工藝作為5nm工藝的延伸。此外，4nm工藝將兼容5nm工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則，較5nm工藝更有性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，瞄準(zhǔn)的是下一波的5nm產(chǎn)品，計(jì)劃在2022年大規(guī)模量產(chǎn)。

此前，臺(tái)積電曾表示，3nm工藝是繼5nm之后臺(tái)積電全新一代的芯片制程工藝節(jié)點(diǎn)，3nm工藝沿用FinEFT技術(shù)，主要是考量客戶在導(dǎo)入5nm制程的設(shè)計(jì)也能用在3nm制程中，無需面臨需要重新設(shè)計(jì)產(chǎn)品的問題，臺(tái)積電可以保持自身的成本競(jìng)爭(zhēng)力，獲得更多的客戶訂單。

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