由于芯片工藝不斷改進，從0.35um、0.18um、0.13um到目前的40nm甚至28nm，芯片的內核電壓也在不斷降低，從3.3V、1.8V、1.5V到40nm器件的0.9V，芯片對電源的波動越來越敏感。

與SI相比，電源完整性PI是一個比較新的概念，實際上PI也屬于SI研究的范疇，它和SI之間的關系非常密切。

保持電源的完整性，就是保持電源的穩定供電。在實際系統中，要做到這一點并不容易，因為系統中總是存在著不同頻率的噪聲。

首先需要把電源分配系統與外界很好的隔離起來，電源系統與外界主要的連接途徑是電壓調整模塊，通常總是需要在電壓調整模塊的附近使用T型或者PI型濾波網絡。以放置低頻噪聲串入。同時大電容也提供了一個電荷的蓄水池，及時提供電壓調整模塊所不能供給的電流。

另外，系統內部的一些元件會產生高頻的電源噪聲，例如在數字邏輯門在翻轉的時候，瞬間會從電源平面汲取一定的電流。電流值雖然不是很大，但是速度很快，如果是電源分配系統的阻抗，電源平面不能及時提供這些電流，那么就會在這里產生翻轉噪聲。如果PCB去耦處理不當，這個電源噪聲就會波及整個電源地平面。

與此相類似，當信號線穿過一個過孔，切換信號的參考平面時，例如由地平面切換到電源平面，相應的會在過孔附近的電源平面和地平面之間形成一個回路電流，這個回路電流同樣會成為系統噪聲，波及整個電源分布系統。

同步開關噪聲

同步開關噪聲（SSN）是指由于多個輸出同時發生翻轉而引起的感應噪聲。

要搞清楚SSN的原理，必須從不同的層面來分析。下圖所示，電源分配系統的感抗表示，同時也把硅片到PCB電源之間的連線感抗也表示出來。

SSN模型

從芯片級來考慮，如果多個IO同時由“1”到“0”翻轉，會在地腳上產生較大的變化電流，上圖實線箭頭部分，由于芯片電感的存在，而電感的特性是產生一個反向電動勢來抵抗電流的變化，因此在硅片內部的地平面和單板地之間將形成一定的電壓波動，這種現象又稱為地彈（ground-bounce）。

要知道PCB的地和硅片的地之間的電壓差關系，首先要分析輸出信號的電壓變化。當輸出信號由“1”翻轉到“0”時，在輸出驅動器的下拉MOS管和芯片電感上將產生一個相應的電流變化（I），這個電流滿足I=-C*（dV/dt），這里的負號表示電流的方向（灌電流）。如下圖I的變化情況，首先由0變為最大值，然后再回到0。

SSN產生原理

這樣的電流變化會在“芯片電感”兩端產生一個電壓的波動（V_Ldie） ，根據電感的特性，這個電壓值可以表示為V_Ldie=Ldie*（dI/dt），如上圖。

因此，在硅片地和PCB地之間就有一個V_Ldie的電壓差，假設PCB地保持不變，硅片地上就有一個相應的噪聲信號，這個噪聲信號會對輸出0的靜態信號造成影響，也有可能使得輸入信號誤采樣，如下圖，SSN對輸出低信號的影響。

SSN對輸出低信號的影響