在中國信息化百人會2020年峰會上，華為的消費者業(yè)務(wù)CEO余承東直言：華為要沒芯片可用了。

余承東表示，今年秋季華為將發(fā)布品牌Mate40系列5G新品手機(jī)，并選擇搭載麒麟9000系列芯片。不過，該系列手機(jī)或?qū)⒊蔀樽詈笠淮钶d華為自產(chǎn)麒麟芯片的產(chǎn)品。

由于美國對華為的第二輪制裁，麒麟9000系列芯片將可能變成麒麟高端芯片的最后一代，絕版。原因，余承東說的很清楚：現(xiàn)在國內(nèi)的半導(dǎo)體工藝上還沒有趕上。

正如余承東所說的，華為代表著中國芯片產(chǎn)業(yè)所走過的艱難的道路，從嚴(yán)重落后、到有點落后、到趕上來、再到領(lǐng)先。

可是美國政府要摧毀所有領(lǐng)先于美國公司的外國公司，所以華為就受到美國以國家之力的打壓。

這是光榮，也很悲壯。

而要破除技術(shù)壁壘，只有一條難走的路：在壁壘之外構(gòu)建一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈和一條完整的生態(tài)系統(tǒng)。

近期，有媒體報道稱，據(jù)權(quán)威人士透露，“十四五”規(guī)劃之中，我國計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。

事實上，近年來，包括LED企業(yè)在內(nèi)，中國企業(yè)正加速推動中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，在國際巨頭筑起的高墻下奮力進(jìn)擊與突圍。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

根據(jù)世紀(jì)證券公司陳建生的研究報告《從新基建與消費電子看第三代半導(dǎo)體材料》，從應(yīng)用范圍來說，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域還具有學(xué)科交叉性強(qiáng)、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點。在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點新材料。

第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）。

圖：SiC與GaN處于穩(wěn)步爬升的光明期

然而，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的高技術(shù)門檻導(dǎo)致其市場被日美歐寡頭壟占，美歐等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)加大化合物半導(dǎo)體投入。2018年，美國、歐盟等國家和組織啟動了超過15個研發(fā)項目，其中，美國的研發(fā)支持力度最大。

2018年美國能源部（DOE）、國防先期研究計劃局（DARPA）、和國家航空航天局（NASA）和電力美國(Power America)等機(jī)構(gòu)紛紛制定第三代半導(dǎo)體相關(guān)的研究項目，支持總資金超過4億美元，涉及光電子、射頻和電力電子等方向，以期保持美國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域全球領(lǐng)先的地位。

此外，歐盟先后啟動了“硅基高效毫米波歐洲系統(tǒng)集成平臺（SERENA）”項目和“5GGaN2”項目，以搶占5G發(fā)展先機(jī)。

圖：全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局

在中國，先進(jìn)半導(dǎo)體材料已上升至國家戰(zhàn)略層面，2025年目標(biāo)滲透率超過50%。

底層材料與技術(shù)是半導(dǎo)體發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué)，在2025中國制造中，分別對第三代半導(dǎo)體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊等細(xì)分領(lǐng)域做出了目標(biāo)規(guī)劃。在任務(wù)目標(biāo)中提到2025實現(xiàn)在5G通信、高效能源管理中的國產(chǎn)化率達(dá)到50%；在新能源汽車、消費電子中實現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，在通用照明市場滲透率達(dá)到80%以上。

圖：中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院整理

目前第三代半導(dǎo)體材料已逐漸滲透5G、新能源汽車、綠色照明等新興領(lǐng)域，被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。未來，5G對高功率射頻的需求，手機(jī)和筆電對高效輕小快充的需求將在2020-2021年爆發(fā)，疫情對深紫外UVC的需求將在2020年短期內(nèi)集中爆發(fā)。中長期來看，三類需求面對的都是GaN器件的藍(lán)海市場，具有可觀的增長空間。

中國LED企業(yè)布局第三代半導(dǎo)體

國家重要政策大力支持第三代半導(dǎo)體行業(yè)，半導(dǎo)體板迎來重大利好。中國LED產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)紛紛布局。

光莆股份

昨(14)日，光莆股份發(fā)布公告宣布擬出資7500萬參與投資產(chǎn)業(yè)投資基金，以加快公司在第三代半導(dǎo)體光應(yīng)用領(lǐng)域戰(zhàn)略布局落地。目前，基金尚處于籌備階段。

公告顯示，光莆股份擬與廈門火炬集團(tuán)創(chuàng)業(yè)投資有限公司(以下簡稱“火炬創(chuàng)投”)、廈門火炬中傳新板投資合伙企業(yè)(有限合伙)(暫定名，以下簡稱“火炬中傳”)等共同投資設(shè)立廈門火炬光莆中傳新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)(暫定名，以下簡稱“產(chǎn)業(yè)基金”)。

產(chǎn)業(yè)基金為有限合伙制，總認(rèn)繳規(guī)模為人民幣1.5億元，火炬創(chuàng)投作為普通合伙人認(rèn)繳出資額為人民幣7,400萬元，火炬中傳作為普通合伙人認(rèn)繳出資額為人民幣100萬元，光莆股份作為有限合伙人擬以自有資金認(rèn)繳出資額為人民幣7,500萬元，其中光莆股份首期出資額為人民幣750萬元，具體出資時間在基金完成設(shè)立后以基金管理人發(fā)出的繳款通知為準(zhǔn)。

產(chǎn)業(yè)基金的投資目標(biāo)涵蓋第三代半導(dǎo)體光應(yīng)用、5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、類醫(yī)療器械、大數(shù)據(jù)、云計算、智能制造、電子信息、光電信息等新興科技領(lǐng)域國家政策支持的高科技、高成長公司，并優(yōu)先布局光莆股份可并購的項目。

三安光電

6月16日，三安光電發(fā)布《關(guān)于簽署<項目投資建設(shè)合同>的公告》，公司決定在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。

根據(jù)公告，三安光電在用地各項手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個月內(nèi)完成一期項目建設(shè)并實現(xiàn)投產(chǎn)，48個月內(nèi)完成二期項目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實現(xiàn)投產(chǎn)，72個月內(nèi)實現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。公司與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會于2020年6月15日簽署《項目投資建設(shè)合同》。公司設(shè)立子公司的名稱、經(jīng)營范圍等相關(guān)信息最終以有權(quán)機(jī)關(guān)核準(zhǔn)為準(zhǔn)，公司將在取得設(shè)立的子公司營業(yè)執(zhí)照后，履行信息披露義務(wù)。

士蘭微電子

士蘭微電子是專業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)。公司主要產(chǎn)品包括集成電路、半導(dǎo)體分立器件、LED（發(fā)光二極管）產(chǎn)品等三大類。官方消息顯示，士蘭微電子已成為國內(nèi)規(guī)模最大的集成電路芯片設(shè)計與制造一體（IDM）的企業(yè)之一。

2003年，士蘭微電子的第一條芯片生產(chǎn)線投入運行之后，士蘭微的組織結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型為IDM的模式。

2017年12月18日，士蘭微電子與廈門半導(dǎo)體投資公司簽訂了總投資220億元的兩個項目；在廈門規(guī)劃建設(shè)兩條12英寸90～65nm的特色工藝芯片生產(chǎn)線和一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。

2018年10月18日，士蘭微廈門12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線在廈門海滄動工。

據(jù)悉，廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司總投資50億元，分兩期實施，建設(shè)4英寸、6英寸的化合物芯片生產(chǎn)線。項目一期計劃2021年達(dá)產(chǎn)；項目二期計劃2021年啟動，2024年達(dá)產(chǎn)。

2019年12月23日，士蘭化合物半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線試產(chǎn)。截止當(dāng)時，一期項目主要設(shè)備已全部進(jìn)場安裝調(diào)試完成，砷化鎵與氮化鎵芯片產(chǎn)品已分別于2019年10月18日、12月10日正式通線點亮。

利亞德

早在2017年初，利亞德全資子公司利亞德香港就出資350萬美元認(rèn)購了賽富樂斯（SAPHLUX）公司1,501,220股AA級優(yōu)先股，占賽富樂斯總股本的14%。

作為一家專注于第三代半導(dǎo)體的技術(shù)企業(yè)，經(jīng)過從耶魯大學(xué)實驗研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化的十幾年積累，賽富樂斯擁有兩項全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體技術(shù)：半極性氮化鎵材料以及NPQD（納米孔量子點）Micro LED。

利亞德目前在大尺寸自發(fā)光領(lǐng)域已經(jīng)布局了Micro LED顯示，而在賽富樂斯上的布局，對于利亞德未來在更廣闊的消費顯示及第三代半導(dǎo)體應(yīng)用方向上或?qū)⒋笥旭砸妗?/p>

華燦光電

2019年11月14日，華燦光電成功獲批浙江省第三代半導(dǎo)體材料與器件重點實驗室，為義烏市首家省級重點實驗室。標(biāo)志著浙江省科技廳對華燦光電在第三代半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的技術(shù)儲備以及科研實力的肯定。

2020年7月8日，華燦光電院士工作站在義烏制造基地正式掛牌。院士工作站由長期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料及關(guān)鍵技術(shù)研究的中國科學(xué)院院士葉志鎮(zhèn)教授領(lǐng)銜，華燦光電研發(fā)團(tuán)隊支持，將助力華燦光電在第三代半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域加速提升核心技術(shù)，為國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供有力技術(shù)支撐。

乾照光電

乾照光電作為國內(nèi)紅黃光芯片最大供應(yīng)商之一，在穩(wěn)固LED產(chǎn)業(yè)競爭優(yōu)勢的同時，也在積極拓展VCSEL激光、Mini LED、Micro LED、紫外UVLED、紅外探測器、砷化鎵襯底等第二代、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)會。

截止目前，其VCSEL芯片產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)小批量出貨，有望搶占3D感測的先機(jī)。除了高度看好VCSEL芯片，乾照光電在回復(fù)投資者提問時還表示，公司正在積極探索第三代半導(dǎo)體更多的應(yīng)用領(lǐng)域。

第三代半導(dǎo)體方興未艾，為了走在行業(yè)發(fā)展的前沿，乾照光電還積極參與了深圳第三代半導(dǎo)體研究院的建設(shè)，并成為研究院產(chǎn)業(yè)委員會成員單位。

國星光電

此前，國星光電在深交所互動易平臺上回答了投資者的問題時表示，硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用”及公司參與申報的“彩色Micro LED顯示與超高亮度微顯示技術(shù)研究”項目皆已獲批廣東省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃項目，按計劃正常實施中。

同時，國星光電表示，國星半導(dǎo)體主要業(yè)務(wù)包括藍(lán)寶石氮化鎵基及硅基襯底為基材的LED芯片。氮化鎵基產(chǎn)品包含藍(lán)綠顯屏芯片，數(shù)碼用芯片，白光照明芯片，車燈用大功率倒裝芯片，UVA紫光芯片等。

據(jù)悉，國星光電美國子公司RaySent科技公司將相關(guān)硅襯底GaN外延及垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的主要技術(shù)依照約定已轉(zhuǎn)移給子公司國星半導(dǎo)體，由國星半導(dǎo)體在應(yīng)用場景繼續(xù)進(jìn)行上述技術(shù)的后續(xù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)。Raysent已在美國申請數(shù)項專利，國星半導(dǎo)體目前已申請氮化鎵的專利200多篇，其中硅基氮化鎵技術(shù)專利4篇。

澳洋順昌

澳洋順昌子公司淮安光電是行業(yè)內(nèi)極少數(shù)具有從襯底切磨拋、PSS、外延片到芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈的公司，公司主要產(chǎn)品為藍(lán)綠光LED芯片，即在藍(lán)寶石襯底上生長制造氮化鎵發(fā)光二極管，公司在LED芯片相關(guān)領(lǐng)域有專利技術(shù)。

聚燦光電

聚燦光電的主要產(chǎn)品為GaN基高亮度藍(lán)光LED芯片及外延片。2019年12月20日公司在互動平臺稱：公司堅持聚焦資源、做強(qiáng)LED主業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略。公司主營高光效LED外延片、芯片，并非OLED方面。所有LED芯片都屬于公司業(yè)務(wù)范圍，因此公司布局了mini LED方面的技術(shù)。

今年9月4日，聚燦光電發(fā)布關(guān)于子公司簽署《投資合同書》的公告。

據(jù)披露，該項目為聚燦光電擴(kuò)產(chǎn)項目，主要產(chǎn)品包括Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片，項目總投資約350000萬元，其中固定資產(chǎn)投資約300000萬元（含設(shè)備投入270000萬元以上）。

項目用地位于聚燦光電現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)南部及廠區(qū)西南側(cè)新增43畝工業(yè)用地，于2020年第四季度陸續(xù)投入使用。廠房建設(shè)總建筑面積約3萬平方米，聚燦光電在取得新增國有土地使用權(quán)證后36月內(nèi)建成投產(chǎn)（包含既有老廠房改建、裝修和新建廠房）。

南大光電

南大光電的高純磷烷、砷烷研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目已經(jīng)列入國家科技重大專項。高純磷烷和高純砷烷都是LED、超大規(guī)模集成電路、砷化鎵太陽能電池的重要原材料。

近日，南大光電還在互動平臺表示：公司高純?nèi)谆壆a(chǎn)品可以用于生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵。新型硅前驅(qū)體可通過化學(xué)氣相沉積或原子層沉積生成新型半導(dǎo)體所需要的特種含硅薄膜，可以滿足高性能計算和低功耗需求的高級邏輯和存儲器芯片制造要求，應(yīng)用領(lǐng)域主要有電腦、手機(jī)芯片等。

原文標(biāo)題：華為“斷供”，LED企業(yè)加快第三代半導(dǎo)體布局

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