【Electronics Tutorials連載】最全放大器的分類及介紹--共源JFET放大器(三)
晶體管放大器電路(例如,公共發(fā)射極放大器)使用雙極晶體管制造,但是小信號(hào)放大器也可以使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造。與雙極型晶體管相比,這些器件的優(yōu)勢(shì)在于具有極高的輸入阻抗以及低噪聲輸出,使其非常適合用于輸入信號(hào)非常小的放大器電路。
【Electronics Tutorials連載】最全放大器的分類及介紹--放大器失真(四)
為了使信號(hào)放大器正常工作而不會(huì)對(duì)輸出信號(hào)造成任何失真,它需要在其基礎(chǔ)或柵極端子上采用某種形式的直流偏置。需要直流偏置,以便放大器可以在其整個(gè)周期內(nèi)放大輸入信號(hào),同時(shí)將偏置“ Q點(diǎn)”設(shè)置為盡可能靠近負(fù)載線的中間。
電源技術(shù)之交流電容和電容電抗(一)
電容器以電荷的形式將能量存儲(chǔ)在其導(dǎo)電板上。當(dāng)電容器跨接在直流電源電壓兩端時(shí),它將以由其時(shí)間常數(shù)確定的速率充電至所施加電壓的值。只要存在電源電壓,電容器將無限期保持或保持該電荷。在該充電過程中,充電電流i以等于板上電荷變化率的速率流入電容器,與電壓的任何變化相反。因此,電容器對(duì)流到其極板上的電流有反作用。
電源技術(shù)之交流電容和電容電抗(二)
流入純交流電容的電流使電壓領(lǐng)先90o。但是在現(xiàn)實(shí)世界中,不可能擁有純凈的交流電容,因?yàn)樗须娙萜鞯臉O板之間都將具有一定量的內(nèi)部電阻,從而會(huì)引起泄漏電流。然后,我們可以認(rèn)為電容器是電阻R與電容C串聯(lián)的電容器,可以粗略地稱為“不純電容器”。
運(yùn)算放大器的體系結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)技術(shù)
三階段建筑分析諸如741電路之類的電路時(shí),我們要做的第一件事是將原理圖劃分為多個(gè)階段,即將電路劃分為具有相干功能的子電路,并與其他子電路一起工作以創(chuàng)建設(shè)備的整體功能。
741體現(xiàn)了一種直觀而有效的架構(gòu),這將是許多放大器系統(tǒng)設(shè)計(jì)的良好起點(diǎn)。它由輸入級(jí),中間級(jí)和輸出級(jí)組成。
確定哪種PoE變壓器最佳:反激還是正激?
選擇合適的PoE變壓器在DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用時(shí),有兩種類型的PoE變壓器引起了激烈的爭論:反激和正向拓?fù)洹U蚝头醇ぷ儔浩骺梢詫⑹茈娫O(shè)備接口與其其余電路隔離,同時(shí)降低PoE輸入電壓來為PD電路供電。
避免存儲(chǔ)器件掉電丟數(shù)據(jù),我們要怎么做?
記錄數(shù)據(jù)的可靠性,通常只考慮到突然掉電、寫入不完全等,往往忽略了存儲(chǔ)器件的使用壽命。存儲(chǔ)器件的擦除次數(shù)壽命是行業(yè)公認(rèn)的客觀事實(shí),工程師只能盡量的符合器件使用規(guī)范,以免過快損耗擦寫壽命。
最高性能的Arm Cortex-R處理器,會(huì)領(lǐng)導(dǎo)計(jì)算型存儲(chǔ)的未來嗎?
在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的位置直接進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,可為物聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器學(xué)習(xí)與邊緣計(jì)算等應(yīng)用開啟龐大的機(jī)會(huì)。這在可預(yù)見的存儲(chǔ)使用場(chǎng)景中相當(dāng)關(guān)鍵,例如“數(shù)據(jù)庫加速”意味著不會(huì)有大型檔案的傳輸,安全性與隱私得以提升;在“視頻轉(zhuǎn)碼”的應(yīng)用中,數(shù)據(jù)可以有效率地轉(zhuǎn)碼或編碼以利串流,并在必要情況下采用不同的比特率與分辨率。
晶體管放大器電路(例如,公共發(fā)射極放大器)使用雙極晶體管制造,但是小信號(hào)放大器也可以使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造。與雙極型晶體管相比,這些器件的優(yōu)勢(shì)在于具有極高的輸入阻抗以及低噪聲輸出,使其非常適合用于輸入信號(hào)非常小的放大器電路。
【Electronics Tutorials連載】最全放大器的分類及介紹--放大器失真(四)
為了使信號(hào)放大器正常工作而不會(huì)對(duì)輸出信號(hào)造成任何失真,它需要在其基礎(chǔ)或柵極端子上采用某種形式的直流偏置。需要直流偏置,以便放大器可以在其整個(gè)周期內(nèi)放大輸入信號(hào),同時(shí)將偏置“ Q點(diǎn)”設(shè)置為盡可能靠近負(fù)載線的中間。
電源技術(shù)之交流電容和電容電抗(一)
電容器以電荷的形式將能量存儲(chǔ)在其導(dǎo)電板上。當(dāng)電容器跨接在直流電源電壓兩端時(shí),它將以由其時(shí)間常數(shù)確定的速率充電至所施加電壓的值。只要存在電源電壓,電容器將無限期保持或保持該電荷。在該充電過程中,充電電流i以等于板上電荷變化率的速率流入電容器,與電壓的任何變化相反。因此,電容器對(duì)流到其極板上的電流有反作用。
電源技術(shù)之交流電容和電容電抗(二)
流入純交流電容的電流使電壓領(lǐng)先90o。但是在現(xiàn)實(shí)世界中,不可能擁有純凈的交流電容,因?yàn)樗须娙萜鞯臉O板之間都將具有一定量的內(nèi)部電阻,從而會(huì)引起泄漏電流。然后,我們可以認(rèn)為電容器是電阻R與電容C串聯(lián)的電容器,可以粗略地稱為“不純電容器”。
運(yùn)算放大器的體系結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)技術(shù)
三階段建筑分析諸如741電路之類的電路時(shí),我們要做的第一件事是將原理圖劃分為多個(gè)階段,即將電路劃分為具有相干功能的子電路,并與其他子電路一起工作以創(chuàng)建設(shè)備的整體功能。
741體現(xiàn)了一種直觀而有效的架構(gòu),這將是許多放大器系統(tǒng)設(shè)計(jì)的良好起點(diǎn)。它由輸入級(jí),中間級(jí)和輸出級(jí)組成。
確定哪種PoE變壓器最佳:反激還是正激?
選擇合適的PoE變壓器在DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用時(shí),有兩種類型的PoE變壓器引起了激烈的爭論:反激和正向拓?fù)洹U蚝头醇ぷ儔浩骺梢詫⑹茈娫O(shè)備接口與其其余電路隔離,同時(shí)降低PoE輸入電壓來為PD電路供電。
避免存儲(chǔ)器件掉電丟數(shù)據(jù),我們要怎么做?
記錄數(shù)據(jù)的可靠性,通常只考慮到突然掉電、寫入不完全等,往往忽略了存儲(chǔ)器件的使用壽命。存儲(chǔ)器件的擦除次數(shù)壽命是行業(yè)公認(rèn)的客觀事實(shí),工程師只能盡量的符合器件使用規(guī)范,以免過快損耗擦寫壽命。
最高性能的Arm Cortex-R處理器,會(huì)領(lǐng)導(dǎo)計(jì)算型存儲(chǔ)的未來嗎?
在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的位置直接進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,可為物聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器學(xué)習(xí)與邊緣計(jì)算等應(yīng)用開啟龐大的機(jī)會(huì)。這在可預(yù)見的存儲(chǔ)使用場(chǎng)景中相當(dāng)關(guān)鍵,例如“數(shù)據(jù)庫加速”意味著不會(huì)有大型檔案的傳輸,安全性與隱私得以提升;在“視頻轉(zhuǎn)碼”的應(yīng)用中,數(shù)據(jù)可以有效率地轉(zhuǎn)碼或編碼以利串流,并在必要情況下采用不同的比特率與分辨率。
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發(fā)表于 11-18 10:21
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