Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？

Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成

Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個存儲元件都將一個磁性隧道結(jié)（MTJ）器件用于存儲單元。

磁性隧道結(jié)存儲元件

磁性隧道結(jié)（MTJ）存儲元件由固定磁性層，薄介電隧道勢壘和自由磁性層組成。當(dāng)對MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的過程穿過介質(zhì)阻擋層。

當(dāng)自由層的磁矩平行于固定層時，MTJ器件具有低電阻，而當(dāng)自由層磁矩與固定層矩反平行時，MTJ器件具有高電阻。電阻隨設(shè)備磁性狀態(tài)的變化是一種被稱為磁阻的效應(yīng)，因此被稱為“磁阻” RAM。

Everspin MRAM技術(shù)可靠

與大多數(shù)其他半導(dǎo)體存儲技術(shù)不同，數(shù)據(jù)存儲為磁性狀態(tài)而不是電荷，并通過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態(tài)。使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲有兩個主要好處。首先，磁極化不會像電荷一樣隨時間流逝而消失，因此即使關(guān)閉電源，信息也會被存儲。其次，在兩種狀態(tài)之間切換磁極化不涉及電子或原子的實(shí)際運(yùn)動，因此不存在已知的磨損機(jī)制。

Everspin MRAM特點(diǎn)

?消除備用電池和電容器

?非易失性工作存儲器

?實(shí)時數(shù)據(jù)收集和備份

?AEC-Q100合格選件

?停電時保留數(shù)據(jù)

?延長系統(tǒng)壽命和可靠性