DDR5暫無發(fā)布日期，DDR4正在取得重大進(jìn)展。

今年夏天初，美光（Micron）和三星（Samsung）等公司宣布了采用DDR5的內(nèi)存的巨大飛躍。盡管新版本似乎在我們的掌控之中，但仍需要一段時間才能將當(dāng)前的PC和服務(wù)器設(shè)計為與DDR5兼容。

同時，為了幫助減緩需求曲線以提高數(shù)據(jù)速率，DDR4進(jìn)行了升級，具有更高的密度，更快的速度和更快的響應(yīng)速度。以下是DDR4的一些最新進(jìn)展，以保持其3A游戲中的份額。

美光為游戲做好準(zhǔn)備

美光的全球計算機(jī)內(nèi)存和存儲消費品牌美光Crucial最近宣布了限量版Crucial Ballistix MAX 5100游戲DRAM。該存儲設(shè)備是為游戲玩家量身打造的Crucial Ballistix產(chǎn)品組合的一部分。

Crucial提供可定制的DRAM模塊以及鋁制散熱器，以最大程度地散熱。圖片由Micron提供給Crucial

該DRAM模塊可以以5,100 MT / s（每秒百萬次傳輸）的速度傳輸數(shù)據(jù)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的3,200 MT / s的速度。

美光副總裁兼消費產(chǎn)品總經(jīng)理Teresa Kelley描述了美光在DDR4方面的發(fā)展：“我們是第一個推出DDR4，第一個在游戲DRAM上安裝LED的公司，現(xiàn)在我們最新的Crucial Ballistix存儲器正在提供通過提供更高的幀頻和更好的系統(tǒng)性能，游戲玩家將擁有更銳利的優(yōu)勢。”

SMART Modular Technologies推出NVDIMM

DDR4進(jìn)步的另一個參與者是SMART Modular Technologies。內(nèi)存模塊，固態(tài)存儲產(chǎn)品和混合解決方案的開發(fā)人員最近分享了有關(guān)高密度，非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊（NVDIMM）的消息。這些模塊有16 GB和32 GB版本。這些模塊將以DDR4 3,200的速度運行。

NVDIMM對于大量敏感數(shù)據(jù)傳輸至關(guān)重要，因為在斷電或斷開電源輸入的情況下，NVDIMM會保留所有數(shù)據(jù)，直到電源恢復(fù)。美光公司計算和網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)的市場營銷副總裁Malcolm Humphrey解釋說，內(nèi)存模塊是為動態(tài)環(huán)境設(shè)計的。

SMART的內(nèi)存模塊將具有32 GB的高密度，從而可以集成更多芯片并傳輸更多信號。圖片由SMART Modular Technologies提供

他解釋說：“需要彈性內(nèi)存和存儲以確保關(guān)鍵任務(wù)信息持續(xù)可用性的企業(yè)將從SMART的NVDIMM中受益。”

SMART的設(shè)備將結(jié)合美光的DDR4 DRAM技術(shù)以及內(nèi)部制造的高速PCB設(shè)計，這些設(shè)計可在無限寫入耐力下運行。

Lexar成為新玩家，可加快數(shù)據(jù)速率

Lexar是一家以SSD卡，閃存驅(qū)動器，存儲卡和讀卡器聞名的公司。每種技術(shù)都有自己專用的質(zhì)量保證實驗室，可以在啟動新設(shè)備之前進(jìn)行廣泛的測試。Lexar加入了該計劃，以滿足更快的數(shù)據(jù)速率，更大的帶寬和更低的功耗的需求曲線。

該公司的兩個新的DRAM內(nèi)存模塊提供了高級性能，將提高家用PC的速度。據(jù)說Lexar DDR4-2666 SODIMM筆記本內(nèi)存和Lexar DDR4-2666 UDIMM臺式機(jī)內(nèi)存可在1.2 V電壓下運行，并提供2666 MT / s的速度。

即使與其他制造商（例如美光公司）以5100 MT / s的速度創(chuàng)造終極的游戲體驗一樣，Lexar仍將目標(biāo)鎖定在當(dāng)前的同業(yè)，學(xué)生和教師身上。

新型Lexar臺式機(jī)和筆記本電腦內(nèi)存的運行速度將比普通家用PC快，這使其成為在家中工作的有用選擇。圖片由Lexar提供

“盡管遠(yuǎn)程辦公室和任何地方的學(xué)習(xí)都在增加，但我們的目標(biāo)是繼續(xù)提供具有卓越質(zhì)量和性能的產(chǎn)品，以便您可以構(gòu)建一個智能工作室或智能教室，以獲得最佳的用戶體驗，”總經(jīng)理Mick Chen說道。雷克沙

盡管Lexar在內(nèi)存游戲中還算是一個新生事物，但該公司正在為更快的數(shù)據(jù)傳輸速度而努力。

DDR5上市延遲，讓DDR4更新速度激增

DDR4的設(shè)計規(guī)格最初為2 GB的內(nèi)存和1,600 MT / s的內(nèi)存速度，但此峰值已發(fā)展為64 GB的內(nèi)存選項，數(shù)據(jù)速度達(dá)到3200 MT / s。即使DDR5將具有雙倍的訪問內(nèi)存和更低的功耗，但主要的吸引力在于數(shù)據(jù)的傳輸速度。

從外觀上看，美光仍在通過Critical Ballistix改進(jìn)其DDR4，速度為6,666 MT / s。盡管如此，當(dāng)DDR5完全實現(xiàn)時，預(yù)測將其設(shè)置為超過8400 MT / s的速度。

DDR5有望以更低的功耗，更快的數(shù)據(jù)傳輸和更高的密度來實現(xiàn)比DDR4更大的飛躍，從而實現(xiàn)更強的信號處理。圖片由美光科技提供

DDR5可能要過一段時間才會推出-由于當(dāng)前的大流行而推遲了發(fā)布日期。但是，正如美光（Micron），雷克沙（Lexar）和SMART Modular Technologies這樣的公司所表明的那樣，這沒有理由阻止新DDR4模塊的發(fā)展。