本篇主要介紹PCIe總線的AC耦合電容、總線的去加重等高速信號調整技術。

AC耦合電容可以參考之前的文章《邏輯電平之差分互連AC耦合電容（7）》，本文主要針對PCIe接口介紹AC耦合電容的實際使用。

信號調整相關資料可以參考之前的文章《高速信號調整技術》，本文主要針對PCIe介紹其使用的具體的調整技術。

1、AC耦合電容

一般使用AC耦合電容是為了提供直流偏壓。直流偏壓就是濾除信號的直流分量，使信號關于0軸對稱。

從這個作用看，其實理想電容應該可以放在通道的任何一個地方。但實際電路中的電容并非理想的，有寄生電感的存在，而且焊盤和換層過孔都是阻抗不連續點。

那為什么PCIe要求放在發送端呢？其實仔細看PCIe規范是說如果是兩塊板連接時，要放在發送的那塊板上。如果發送接收在同一塊板上，那么就隨意吧，但最好靠近一端。

下面是從PCIe 3.0規范中摘取出來的截圖，可以清晰的看到對AC耦合電容位置的準確描述！

PCIe總線還規定了耦合電容的大小范圍，詳細參見規范中的表4-18，摘取如下：

PCIe協議規定的AC耦合電容規范

All platforms that have transmitters supporting 8.0 GT/s must implement the 176-265nF CTX value. Platforms operating at 2.5 or 5.0 GT/s only may implement over arange of 75 to 265 nF. （如果是PCIe 3.0則AC耦合電容必須選擇大一些?。?！這就是為什么大部分時候我們看到參考設計中的AC耦合電容都選擇0.1uF，而有時候會遇到有的設計的耦合電容不是0.1uF，而是0.22uF之類的值，對此不要感到驚訝。）

針對AC耦合電容，PCB布局布線一定要講求對稱！！！

2、高速信號調整
由于PCIe的速率越來越高，而普通的PCB板材和接插件對信號的傳輸損耗較嚴重，因此PCIe G1和G2在發送端都采用了去加重技術（De-emphasis），即發送端在發送信號時對跳變位之后的信號（代表信號中的低頻成分）減小幅度發送，這樣可以部分補償一下傳輸線路對高頻成分的衰減，從而得到比較好的眼圖（信號擺幅小，眼圖高度低，功耗小，EMC輻射?。?。

PCIe G1中采用的是-3.5dB的去加重，G2中采用的是-3.5dB和-6dB的去加重。對于G3，由于信號速率更高，需要采用更加復雜的二階去加重技術，即除了跳變位減小幅度（De-emphasis）發送外，在跳變位的前一位也要增大幅度發送，這個增大的幅度通常叫做Preshoot。

為了應對復雜的鏈路環境，PCIe G3中規定了共11種不同的Preshoot和De-emphasis的組合（Preset），實際應用中Tx和Rx端可以在Link Training階段協商出一個最優的Preset值。

PCIe G3除了在發送端對信號高頻進行補償，在接收端還要對信號做均衡（Equalization），就是在Rx端的接收芯片內增加一個均衡電路，可以抬高接收到的信號中的高頻分量，從而對線路的損耗進行進一步的補償。均衡器的強弱也有很多檔可選，在Link Training階段Tx和Rx端會協商出一個最佳的組合。

編輯：hfy